| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF8P9300HSR6 | - | ![]() | 5070 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 70V | 방역 | NI-1230S | MRF8 | 960MHz | LDMOS | NI-1230S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935310166128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 2.4A | 100W | 19.4dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144VS,126 | - | ![]() | 8258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTC144 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 40 @ 5mA, 5V | 47kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84AK/DG/B2215 | - | ![]() | 2786 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1023HSR5 | - | ![]() | 5711 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-1230-4LS2L | MMRF1 | 2.3GHz | LDMOS | NI-1230-4LS2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 750mA | 66W | 14.9dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW61C/DG/B4215 | 0.0300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD17,115 | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PEMD1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P8300HR6 | - | ![]() | 2994년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 70V | 방역 | NI-1230 | MRF8 | 820MHz | LDMOS | NI-1230 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935314412128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 2A | 96W | 20.9dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21100HR3 | - | ![]() | 9247 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF8 | 2.17GHz | MOSFET | NI-780H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935317144128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | - | 700mA | 24W | 18.3dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC618,112 | - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC61 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 55V | 500mA | 50μA | NPN-달링턴 | 1.1V @ 200μA, 200mA | 10000 @ 200mA, 5V | 155MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113EMB,315 | 0.0200 | ![]() | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | PDTA113 | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 150mV @ 1.5mA, 30mA | 30 @ 40mA, 5V | 180MHz | 1kΩ | 1kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC4081R,115 | 0.0200 | ![]() | 990 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 2PC40 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40QA,147 | 0.0300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC2020NT1 | 30.7569 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 65V | 표면 실장 | 24-PowerQFN | MW7IC2020 | 2.14GHz | LDMOS | 24-PQFN(8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8542.33.0001 | 1,000 | - | 40mA | 2.4W | 32.6dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR106,215 | - | ![]() | 8315 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR10 | 500mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 15V | 100mA | NPN | 25 @ 50mA, 9V | 5GHz | 3.5dB @ 800MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN45EN,135 | 0.1800 | ![]() | 450 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | MOSFET(금속) | 6-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | N채널 | 30V | 5.2A(Tc) | 40m옴 @ 3A, 10V | 2V @ 1mA | 6.1nC @ 4.5V | 20V | 25V에서 495pF | - | 1.75W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC635,116 | - | ![]() | 8542 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC63 | 830mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y65-100E,115 | 1.0000 | ![]() | 4295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 19A(TC) | 5V | 63.3m옴 @ 5A, 10V | 2.1V @ 1mA | 14nC @ 5V | ±10V | 25V에서 1523pF | - | 64W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZEF,115 | - | ![]() | 9650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | PDTA143 | 250mW | SC-89 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 1μA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 100mV, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | 4.7kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC4617R,115 | - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | 2PC46 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 180@1mA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA323TK,115 | - | ![]() | 1479 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA32 | 250mW | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 15V | 500mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 80mV @ 2.5mA, 50mA | 100 @ 50mA, 5V | 2.2kΩ | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZT3906,115 | - | ![]() | 2696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | PZT39 | 1.05W | SC-73 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 40V | 100mA | 50nA(ICBO) | PNP | 200mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143EE,115 | - | ![]() | 9899 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | PDTC143 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 10mA, 5V | 4.7kΩ | 4.7kΩ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4350S,126 | - | ![]() | 9788 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PBSS4 | 830mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50V | 3A | 100nA(ICBO) | NPN | 290mV @ 200mA, 2A | 100 @ 2A, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S19130HSR5 | - | ![]() | 1228 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-880S | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2A | 26W | 13dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM857BV,115 | - | ![]() | 8323 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BCM85 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUJ302AD,118 | 1.0000 | ![]() | 9938 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 80W | DPAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V | 4A | 250mA | NPN | 1.5V @ 1A, 3.5A | 25 @ 800mA, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550XRVL | 0.0699 | ![]() | 8913 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-143R | BFU550 | 450mW | SOT-143R | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934067713235 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 15.5dB | 12V | 50mA | NPN | 60 @ 15mA, 8V | 11GHz | 1.25dB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||
| MRF8S26120HSR5 | - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF8 | 2.69GHz | LDMOS | NI-780S | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935310363178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900mA | 28W | 15.6dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002BK215 | 0.0200 | ![]() | 813 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN004-60P,127 | - | ![]() | 7318 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | PSMN0 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 75A(Tc) | 3.6m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 168nC @ 10V | 8300pF @ 25V | - | - |

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