| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PDTA144WM,315 | 0.0300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA14 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT1006NT1 | - | ![]() | 8020 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | PLD-1.5W | MHT1006 | 2.17GHz | LDMOS | PLD-1.5W | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 90mA | 1.26W | 21.7dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC860C,215 | - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC86 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFG35010NT1 | - | ![]() | 1782년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 15V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 180mA | 9W | 10dB | - | 12V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA124TM,315 | 0.0300 | ![]() | 190 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA124 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9107-40ATC,118 | 1.0000 | ![]() | 3350 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-5, D²Pak(4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET(금속) | SOT-426 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.2m옴 @ 50A, 10V | 2V @ 1mA | ±15V | 5836pF @ 25V | 온도 감지 다이오드 | 272W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | A3G35H100-04SR3 | 96.8086 | ![]() | 6166 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | A3G35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S16150HSR5 | - | ![]() | 2434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 1.6GHz ~ 1.66GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.5A | 32W | 19.7dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847C/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848W/DG/B2115 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V13250HSR3 | - | ![]() | 1648년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 120V | 방역 | NI-780S | MRF6 | 1.3GHz | LDMOS | NI-780S | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100mA | 250W | 22.7dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4130QA147 | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7611-55B,118 | 0.6200 | ![]() | 720 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK76 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX2020N2X | - | ![]() | 3899 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | NX20 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S19170HSR3 | - | ![]() | 7830 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-880S | MRF7 | 1.99GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935319253128 | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 1.4A | 50W | 17.2dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9509-55A,127 | - | ![]() | 8053 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 8m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | 60nC @ 5V | ±15V | 25V에서 4633pF | - | 211W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | PHB38N02LT,118 | - | ![]() | 7837 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | PHB38 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 20V | 44.7A(Tc) | 2.5V, 5V | 16m옴 @ 25A, 5V | 250μA에서 1.5V | 15.1nC @ 5V | 12V | 20V에서 800pF | - | 57.6W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | PBR941 | - | ![]() | 5634 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T21H360-24SR6 | - | ![]() | 9763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-1230-4LS2L | A2T21 | 2.14GHz | LDMOS | NI-1230-4LS2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935318247128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | - | 500mA | 63W | 16.2dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB15XN,115 | - | ![]() | 7078 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | PMPB15 | MOSFET(금속) | DFN2020MD-6 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 20V | 7.3A(타) | 1.8V, 4.5V | 21m옴 @ 7.3A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 20.2nC @ 4.5V | ±12V | 1240pF @ 10V | - | 1.7W(Ta), 12.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1100R,215 | - | ![]() | 1647년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 14V | 표면 실장 | SOT-143R | BF110 | 800MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 10mA | - | - | 2dB | 9V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC115TS,126 | - | ![]() | 6049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTC115 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 150mV, 5mA | 100 @ 1mA, 5V | 100kΩ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN9RO-25YLC115 | 1.0000 | ![]() | 5645 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT26H250-24SR6 | - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-1230-4LS2L | AFT26 | 2.5GHz | LDMOS | NI-1230-4LS2L | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935323547128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 700mA | 50W | 14.1dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK961R5-30E,118 | - | ![]() | 3018 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK96 | MOSFET(금속) | D2PAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 120A(Tc) | 5V, 10V | 1.3m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 93.4nC @ 5V | ±10V | 25V에서 14500pF | - | 324W(Tc) | ||||||||||||||||||||
| MRF7S19210HR5 | - | ![]() | 4495 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF7 | 1.99GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4A | 63W | 20dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU768F115 | 0.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFG35005NR5 | - | ![]() | 5665 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 15V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 80mA | 4.5W | 11dB | - | 12V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMH10/ZL115 | 0.0300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK655R0-75C,127 | - | ![]() | 9580 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 북65 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 120A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.3m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 177nC @ 10V | ±16V | 25V에서 11400pF | - | 263W(Tc) |

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