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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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MRF6S19100HSR3 | - | ![]() | 3863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | NI-780S | MRF6 | 1.99GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 MA | 22W | 16.1db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK753R4-30B, 127 | - | ![]() | 4637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 10V | 3.4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 4951 pf @ 25 v | - | 255W (TC) | |||||||||||||||||||||
BUK9Y98-80E, 115 | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y98 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934067034115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF377HR5 | - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-860C3 | MRF37 | 860MHz | LDMOS | NI-860C3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.21.0075 | 50 | - | 2 a | 45W | 18.2db | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PVR100AZ-B2V5,115 | - | ![]() | 9921 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | PVR10 | 550 MW | SC-73 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN + Zener | - | 160 @ 100MA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB20N06T, 118 | 0.3600 | ![]() | 2034 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 55 v | 20.3A (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 483 pf @ 25 v | - | 62W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA64,116 | - | ![]() | 9407 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | MPSA64 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 달링턴 | 1.5V @ 100µa, 100ma | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S9100NR1 | - | ![]() | 9156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 표면 표면 | TO-270AB | MRF5 | 880MHz | LDMOS | TO-270 WB-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 MA | 20W | 19.5dB | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550C, 116 | - | ![]() | 2803 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC55 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP3450HR6 | - | ![]() | 3489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 110 v | 섀시 섀시 | NI-1230 | MRF6 | 860MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 150 | 이중 | - | 1.4 a | 90W | 22.5dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7K35-60EX | - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | BUK7K35 | MOSFET (금속 (() | 38W | LFPAK56D | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 20.7a | 30mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 12.5NC @ 10V | 794pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114EM/L315 | 0.0300 | ![]() | 6523 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 7,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557,116 | - | ![]() | 2738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC55 | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | BUK7526-100B, 127 | - | ![]() | 3903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 100 v | 49A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 2891 pf @ 25 v | - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP165NQ08T, 127 | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP16 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934062188127 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 165 NC @ 10 v | ± 20V | 8250 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | PH2525L, 115 | - | ![]() | 3949 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | ph25 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU580QX | 0.9500 | ![]() | 6761 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BFU580 | 1W | SOT-89-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 8.5dB | 12V | 60ma | NPN | 60 @ 30MA, 8V | 10.5GHz | 1.3dB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BF420,116 | - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BF420 | 830 MW | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 v | 50 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 30ma | 50 @ 25MA, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP61K25HR5 | 225.7800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 133 v | 섀시 섀시 | NI-1230 | mrfe6 | 230MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 100 MA | 1250W | 24dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | PMBT5401,215 | - | ![]() | 8738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBT5 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 150 v | 300 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | BLF8G27LS-100V, 112 | 52.4000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-1244B | 2.5GHz ~ 2.7GHz | LDMOS | CDFM6 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 6 | - | 900 MA | 25W | 17dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PDTC114TEF, 115 | - | ![]() | 1331 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | PDTC114 | 150 MW | SC-89 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 200 @ 1ma, 5V | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG591,115 | - | ![]() | 9602 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BFG59 | 2W | SC-73 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 15V | 200ma | NPN | 60 @ 70ma, 8V | 7GHz | - |
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