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트랜지스터 (4003)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
PDTB114EU115 NXP USA Inc. PDTB114EU115 1.0000
RFQ
 ECAD 8066 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
BUK7535-100A,127 NXP USA Inc. BUK7535-100A, 127 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 BUK75 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
BUK6211-75C,118 NXP USA Inc. BUK6211-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 74A (TA) 11mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 81 NC @ 10 v ± 16V 5251 pf @ 25 v - 158W (TA)
BUK9Y65-100E,115 NXP USA Inc. BUK9Y65-100E, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 19A (TC) 5V 63.3mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 14 nc @ 5 v ± 10V 1523 pf @ 25 v - 64W (TC)
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. A2T21H410-24SR6 -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-1230-4LS2L A2T21 2.17GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935312756128 귀 99 8541.29.0075 150 이중 - 600 MA 72W 15.6dB - 28 v
PDTA144ET,235 NXP USA Inc. PDTA144ET, 235 0.0200
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 ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA14 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000
BLD6G22L-50,112 NXP USA Inc. bld6g22l-50,112 85.0500
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 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-1130A 2.14GHz LDMOS CDFM4 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 10.2A 170 MA 8W 14db - 28 v
2N7002CK,215 NXP USA Inc. 2N7002CK, 215 -
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 ECAD 7064 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 2N70 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
PSMN9RO-25YLC115 NXP USA Inc. psmn9ro-25ylc115 1.0000
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
PEMD16115 NXP USA Inc. PEMD16115 -
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1
MMRF5017HSR5138 NXP USA Inc. MMRF5017HSR5138 -
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 ECAD 4304 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
A2T18S162W31SR3 NXP USA Inc. A2T18S162W31SR3 -
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 ECAD 9820 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 NI-780S-2L2LA A2T18 1.84GHz LDMOS NI-780S-2L2LA 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935325964128 귀 99 8541.29.0075 250 - 1 a 32W 20.1dB - 28 v
PDTA115TT,215 NXP USA Inc. PDTA115TT, 215 -
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 ECAD 3574 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA11 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
BUK9506-55B,127 NXP USA Inc. BUK9506-55B, 127 -
RFQ
 ECAD 7519 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 60 nc @ 5 v ± 15V 7565 pf @ 25 v - 258W (TC)
BFG93A,215 NXP USA Inc. BFG93A, 215 -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFG93 300MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 12V 35MA NPN 40 @ 30MA, 5V 6GHz 1.7dB ~ 2.3db @ 1GHz ~ 2GHz
2PD601ASW,115 NXP USA Inc. 2PD601ASW, 115 0.0200
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 290 @ 2MA, 10V 100MHz
PDTA123JS,126 NXP USA Inc. PDTA123JS, 126 -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PDTA123 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
AFT18HW355SR5 NXP USA Inc. AFT18HW355SR5 -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-1230S Aft18 1.88GHz LDMOS NI-1230S 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935320115178 5A991G 8541.29.0040 50 이중 - 1.1 a 63W 15.2db - 28 v
A2I08H040NR1 NXP USA Inc. A2I08H040NR1 -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 to-270-15 0, 플랫 리드 A2I08 920MHz LDMOS TO-270WB-15 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 500 이중 - 25 MA 9W 30.7dB - 28 v
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. A2T21H360-24SR6 -
RFQ
 ECAD 9763 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-1230-4LS2L A2T21 2.14GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935318247128 귀 99 8541.29.0075 150 - 500 MA 63W 16.2db - 28 v
PDTC114TMB315 NXP USA Inc. PDTC114TMB315 0.0200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
MRF1511NT1 NXP USA Inc. MRF1511NT1 -
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 40 v 표면 표면 PLD-1.5 MRF15 175MHz LDMOS PLD-1.5 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 4a 150 MA 8W 13db - 7.5 v
MRFG35005NT1 NXP USA Inc. MRFG35005NT1 -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 15 v 표면 표면 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz Phemt Fet PLD-1.5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 - 80 MA 4.5W 11db - 12 v
MW6S010MR1 NXP USA Inc. MW6S010MR1 -
RFQ
 ECAD 4058 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v TO-270-2 MW6S010 960MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 125 MA 10W 18db - 28 v
PHP78NQ03LT,127 NXP USA Inc. php78nq03lt, 127 -
RFQ
 ECAD 6482 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP78 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 75A (TC) 5V, 10V 9mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 13 nc @ 5 v ± 20V 1074 pf @ 25 v - 93W (TC)
PSMN3R7-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R7-30YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.95mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 29 NC @ 10 v ± 20V 1848 pf @ 15 v - 79W (TC)
MRF6V2010GNR5 NXP USA Inc. MRF6V2010GNR5 -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v TO-270BA MRF6 220MHz LDMOS TO-270G-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 30 MA 10W 23.9dB - 50 v
BFU550XAR NXP USA Inc. bfu550xar 0.6400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFU550 450MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 21.5dB 12V 50ma NPN 60 @ 15ma, 8v 11GHz 0.75dB @ 900MHz
BFU520XAR NXP USA Inc. BFU520XAR 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFU520 450MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20dB 12V 30ma NPN 60 @ 5MA, 8V 10.5GHz 0.7dB @ 900MHz
NX138BK215 NXP USA Inc. NX138BK215 1.0000
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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