| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMG370XN,115 | - | ![]() | 5529 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMG37 | MOSFET(금속) | 6-TSSOP | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 960mA(타) | 2.5V, 4.5V | 440m옴 @ 200mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 0.65nC @ 4.5V | ±12V | 37pF @ 25V | - | 690mW(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PUMB11,135 | 1.0000 | ![]() | 8128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMB11 | 300mW | SOT-363 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | - | 10k옴 | 10k옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN6R0-30YLB,115 | 1.0000 | ![]() | 8064 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 71A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5m옴 @ 20A, 10V | 1.95V @ 1mA | 19nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1088pF | - | 58W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| MRF9080LR3 | - | ![]() | 1939년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF90 | 960MHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 600mA | 70W | 18.5dB | - | 26V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3946YPN,125 | - | ![]() | 8939 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMBT3946 | 350mW | SOT-363 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200mA | 50nA(ICBO) | NPN, PNP | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz, 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1208,115 | - | ![]() | 8171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 6V | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | BF120 | 400MHz | MOSFET | SOT-666 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 19mA | - | 32dB | 1.3dB | 5V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9880-55/CU135 | - | ![]() | 2269 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD114EU115 | 0.0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB950UPE147 | - | ![]() | 5599 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7619-100B,118 | - | ![]() | 6862 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK76 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 64A(티씨) | 10V | 19m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 53nC @ 10V | ±20V | 3400pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PHD37N06LT,118 | - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | PHD37 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 55V | 37A (Tc) | 5V, 10V | 32m옴 @ 17A, 10V | 2V @ 1mA | 22.5nC @ 5V | ±13V | 25V에서 1400pF | - | 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | PSMN057-200B,118 | - | ![]() | 3831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN0 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-16PAS115 | 1.0000 | ![]() | 3238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF24301HR5 | - | ![]() | 9656 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | SOT-957A | MRF24 | 2.4GHz ~ 2.5GHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 300W | 13.5dB | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BM315 | 1.0000 | ![]() | 3844 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC856 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7608-40B,118 | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK76 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123TMB,315 | 0.0300 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | PDTC123 | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 230MHz | 2.2kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF988S,112 | 509.2500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 110V | SOT539B | 860MHz | LDMOS | SOT539B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 더블, 세션 소스 | - | 1.3A | 250W | 20.8dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP54N06T,127 | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | PHP54 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 54A(티씨) | 10V | 20m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 36nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1592pF | - | 118W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BFU550215 | 0.2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7230-55A | - | ![]() | 5164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK7230 | - | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123JQA147 | 0.0300 | ![]() | 143 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC123 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P23080HSR3 | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-780S-4L | MRF8 | 2.3GHz | LDMOS | NI-780S-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935321471128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 280mA | 16W | 14.6dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||
![]() | PHP45NQ15T,127 | - | ![]() | 4535 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | PHP45 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 150V | 45.1A(Tc) | 10V | 42m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 1mA | 32nC @ 10V | ±20V | 1770pF @ 25V | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | BLS7G2933S-150,112 | 515.3300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | 60V | 방역 | SOT-922-1 | 2.9GHz ~ 3.3GHz | LDMOS | CDFM2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 4.2μA | 100mA | 150W | 13.5dB | - | 32V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-40E118 | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9508-55B,127 | - | ![]() | 5827 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | BUK95 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25/6215 | 0.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7E2R3-40E,127-NXP | 1.0000 | ![]() | 4675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK | - | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 10V | 2.3m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 109.2nC @ 10V | ±20V | 8500pF @ 25V | - | 293W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S21150HSR5 | - | ![]() | 2179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-880S | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.3A | 33W | 12.5dB | - | 28V |

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