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트랜지스터(4003)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
PMST2222A,115	-	보상요청	9142	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PMST2					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000
BUK7606-75B,118	-	보상요청	8912	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					BUK76					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800
BCV27/DG/B2215	1.0000	보상요청	2209	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000
MRF6S23140HSR5	-	보상요청	5922	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	68V		표면 실장	NI-880S	MRF6	2.39GHz	LDMOS		NI-880S	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.3A	28W	15.2dB											-			28V
PH16030L,115	-	보상요청	4965	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669	PH16		MOSFET(금속)		LFPAK56, 전원-SO8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,500		N채널					30V	38A(Tc)	4.5V, 10V	16.9m옴 @ 15A, 10V	2V @ 1mA	8.2nC @ 4.5V	±15V	12V에서 680pF	-	41.6W(Tc)
PBRP123YS,126	-	보상요청	2509	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	PBRP123			500mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50V	800mA		-	PNP - 사전 바이어스됨	-	-		2.2kΩ	10kΩ
MRFE6VP6600NR3,528	-	보상요청	7796	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
BUK7Y18-55B,115	-	보상요청	6607	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669			MOSFET(금속)		LFPAK56, 전원-SO8	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널					55V	47.4A(Tc)	10V	18m옴 @ 20A, 10V	4V @ 1mA	21.9nC @ 10V	±20V	25V에서 1263pF	-	85W(Tc)
SI4800,518	-	보상요청	6206	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	SI4		MOSFET(금속)		8-SO	-	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					30V	9A(타)	4.5V, 10V	18.5m옴 @ 9A, 10V	250μA에서 800mV	11.8nC @ 5V	±20V		-	2.5W(타)
MRF7S15100HR3	-	보상요청	8252	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		방역	SOT-957A	MRF7	1.51GHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935319432128	EAR99	8541.29.0075	250			-	600mA	23W	19.5dB											-			28V
BUK794R1-40BT,127	-	보상요청	5785	NXP USA Inc.	트렌치플러스	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-5	BUK79		MOSFET(금속)		TO-220-5	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널					40V	75A(Tc)	10V	4.1m옴 @ 50A, 10V	4V @ 1mA	83nC @ 10V	±20V	25V에서 6808pF	온도 감지 다이오드	272W(Tc)
BFS25A,115	-	보상요청	4004	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		175°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BFS25			32mW	SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000						-												5V	6.5mA			NPN		50 @ 500μA, 1V	5GHz			1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
MRF5S19060MR1	-	보상요청	8626	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		표면 실장	TO-270AB	MRF5	1.93GHz ~ 1.99GHz	LDMOS		TO-270 WB-4	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	500			-	750mA	12W	14dB											-			28V
BC847C/DG/B2215	0.0200	보상요청	63	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000
PDTA114TK,115	-	보상요청	8396	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA114			250mW	SMT3; MPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		1μA	PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	200@1mA, 5V		10kΩ
PVR100AD-B3V0,115	-	보상요청	3955	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457	PVR10			300mW	SC-74	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																		45V	100mA		100nA(ICBO)	NPN + 제너	-	160 @ 100mA, 1V	-
MRF8S9202GNR3,528	123.4300	보상요청	1	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드					EAR99	8541.29.0075	1
BUK7Y08-40B/C,115	-	보상요청	4690	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669	BUK7Y08		MOSFET(금속)		LFPAK56, 전원-SO8	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934064767115	EAR99	8541.29.0095	1,500		N채널					40V	75A(Tc)	10V	8m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	36.3nC @ 10V	±20V	2040pF @ 25V	-	105W(Tc)
BUK9245-55A/C1118	0.2400	보상요청	15	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	2,500
PBRN113ES,126	-	보상요청	3291	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	PBRN113			700mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	2,000																		40V	800mA		500nA	NPN - 사전 바이어스됨	1.15V @ 8mA, 800mA	180 @ 300mA, 5V		1kΩ	1kΩ
BUK661R6-30C118	0.8800	보상요청	2	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1		N채널					30V	120A(Tc)	10V	1.6m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	229nC @ 10V	±16V	25V에서 14964pF	-	306W(Tc)
BUK9675-55A118	0.4800	보상요청	1	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드					EAR99	8541.29.0095	683
PHP165NQ08T,127	-	보상요청	1562	NXP USA Inc.	트렌치모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	PHP16		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934062188127	EAR99	8541.29.0095	50		N채널					75V	75A(Tc)	10V	5m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	165nC @ 10V	±20V	8250pF @ 25V	-	250W(Tc)
PUMH2/L135	0.0300	보상요청	212	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	10,000
BUK7675-55A,118	-	보상요청	8633	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					BUK76					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800
MRF8P20165WHR5	-	보상요청	9260	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	65V		방역	NI-780-4	MRF8	1.98GHz ~ 2.01GHz	LDMOS		NI-780-4	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	50	2개		-	550mA	37W	14.8dB											-			28V
PMN27UP,115-NXP	-	보상요청	2799	NXP USA Inc.	트렌치모스™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457			MOSFET(금속)		6-TSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000		P채널					20V	5.7A(타)		32m옴 @ 2.4A, 4.5V	250μA에서 950mV	31nC @ 4.5V	±8V	10V에서 2340pF	-	540mW(Ta), 6.25W(Tc)
PUMH14,115	-	보상요청	9681	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인					PUMH14					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF6VP3450HSR5-NXP	225.1400	보상요청	13	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	110V		방역	NI-1230-4S		470MHz ~ 860MHz	LDMOS		NI-1230-4S	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	50	2개		10μA	1.4A	450W	22.5dB											-			50V
PMV25ENEA215	1.0000	보상요청	5527	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	3,000

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²