SIC
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트랜지스터 (4003)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
PDTA115TT,215 NXP USA Inc. PDTA115TT, 215 -
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA11 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
BUK9506-55B,127 NXP USA Inc. BUK9506-55B, 127 -
RFQ
 ECAD 7519 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 60 nc @ 5 v ± 15V 7565 pf @ 25 v - 258W (TC)
BFG93A,215 NXP USA Inc. BFG93A, 215 -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFG93 300MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 12V 35MA NPN 40 @ 30MA, 5V 6GHz 1.7dB ~ 2.3db @ 1GHz ~ 2GHz
PDTA123JS,126 NXP USA Inc. PDTA123JS, 126 -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PDTA123 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
AFT18HW355SR5 NXP USA Inc. AFT18HW355SR5 -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-1230S Aft18 1.88GHz LDMOS NI-1230S 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935320115178 5A991G 8541.29.0040 50 이중 - 1.1 a 63W 15.2db - 28 v
A2I08H040NR1 NXP USA Inc. A2I08H040NR1 -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 to-270-15 0, 플랫 리드 A2I08 920MHz LDMOS TO-270WB-15 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 500 이중 - 25 MA 9W 30.7dB - 28 v
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. A2T21H360-24SR6 -
RFQ
 ECAD 9763 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-1230-4LS2L A2T21 2.14GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935318247128 귀 99 8541.29.0075 150 - 500 MA 63W 16.2db - 28 v
PDTC114TMB315 NXP USA Inc. PDTC114TMB315 0.0200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
MW6S010MR1 NXP USA Inc. MW6S010MR1 -
RFQ
 ECAD 4058 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v TO-270-2 MW6S010 960MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 125 MA 10W 18db - 28 v
PSMN3R7-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R7-30YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.95mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 29 NC @ 10 v ± 20V 1848 pf @ 15 v - 79W (TC)
MRF6V2010GNR5 NXP USA Inc. MRF6V2010GNR5 -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v TO-270BA MRF6 220MHz LDMOS TO-270G-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 30 MA 10W 23.9dB - 50 v
NX138BK215 NXP USA Inc. NX138BK215 1.0000
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
ON5157,127 NXP USA Inc. on5157,127 -
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 on5157 - - TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057064127 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - -
BC847C/DG/B2215 NXP USA Inc. BC847C/DG/B2215 0.0200
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
MRFE6VP6600NR3,528 NXP USA Inc. MRFE6VP6600NR3,528 -
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
BFU768F115 NXP USA Inc. BFU768F115 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
MRF6VP3450HSR6 NXP USA Inc. MRF6VP3450HSR6 -
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 110 v 섀시 섀시 NI-1230S MRF6 860MHz LDMOS NI-1230S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 150 이중 - 1.4 a 90W 22.5dB - 50 v
PH9130AL115 NXP USA Inc. ph9130al115 0.2700
RFQ
 ECAD 511 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 pH9130 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1,500
PHB143NQ04T,118 NXP USA Inc. PHB143NQ04T, 118 -
RFQ
 ECAD 3944 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB14 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 200W (TC)
MRF7S15100HR3 NXP USA Inc. MRF7S15100HR3 -
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF7 1.51GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935319432128 귀 99 8541.29.0075 250 - 600 MA 23W 19.5dB - 28 v
ON5214,118 NXP USA Inc. on5214,118 -
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB on52 - - D2PAK - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934056356118 귀 99 8541.29.0095 800 - - - - -
BC54PAS115 NXP USA Inc. BC54PAS115 1.0000
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PMST2222A,115 NXP USA Inc. PMST2222A, 115 -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 pmst2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PDTA114EE,115-NXP NXP USA Inc. PDTA114EE, 115-NXP 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA114 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000
UJA1168TK/FD,118 NXP USA Inc. UJA1168TK/FD, 118 -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
AFT20P060-4NR3 NXP USA Inc. AFT20P060-4NR3 -
RFQ
 ECAD 7897 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 OM-780-4L AFT20 2.17GHz LDMOS OM-780-4L - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935311386528 5A991G 8541.29.0040 250 이중 - 450 MA 6.3W 18.9dB - 28 v
MRF5S21090HR3 NXP USA Inc. MRF5S21090HR3 -
RFQ
 ECAD 9840 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF5 2.11GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 250 - 850 MA 19W 14.5dB - 28 v
BUK7230-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK7230-55A/C1118 0.2900
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 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
BF904215 NXP USA Inc. BF904215 -
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 ECAD 5420 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BF904215-NXP 귀 99 8541.21.0095 1
MRF7S21110HR3 NXP USA Inc. MRF7S21110HR3 -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF7 2.17GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.1 a 33W 17.3db - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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