SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
MMRF1017NR3 NXP USA Inc. MMRF1017NR3 -
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ECAD 2184 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 OM-780-2 MMRF1 960MHz LDMOS OM-780-2 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935312011528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 80W 20dB - 28V
MRF6S9060NR1 NXP USA Inc. MRF6S9060NR1 -
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ECAD 5779 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 표면 실장 TO-270AA MRF6 880MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 450mA 14W 21.4dB - 28V
PDTA143ZK,135 NXP USA Inc. PDTA143ZK,135 -
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ECAD 3808 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA143 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934054805135 EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 1μA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 100mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 47kΩ
UJA1168TK/FD,118 NXP USA Inc. UJA1168TK/FD,118 -
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ECAD 7125 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
MRF6V14300HR3 NXP USA Inc. MRF6V14300HR3 -
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ECAD 6659 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 100V 방역 SOT-957A MRF6 1.4GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 150mA 330W 18dB - 50V
BUK9506-55B,127 NXP USA Inc. BUK9506-55B,127 -
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ECAD 7519 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUK95 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 75A(Tc) 4.5V, 10V 5.4m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA 60nC @ 5V ±15V 25V에서 7565pF - 258W(Tc)
A2T20H160W04NR3528 NXP USA Inc. A2T20H160W04NR3528 94.8200
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ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0075 1
PBSS5350S,126 NXP USA Inc. PBSS5350S,126 -
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ECAD 4268 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 PBSS5 830mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 200mA, 2A 100 @ 2A, 2V 100MHz
PSMN1R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R7-25YLC,115 -
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ECAD 1319 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 PSMN1 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 25V 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.9m옴 @ 25A, 10V 1.95V @ 1mA 59nC @ 10V ±20V 3735pF @ 12V - 164W(Tc)
MRF8S21200HSR5 NXP USA Inc. MRF8S21200HSR5 -
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ECAD 7216 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 65V 방역 NI-1230S MRF8 2.14GHz LDMOS NI-1230S - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 5A991G 8541.29.0075 50 2개 - 1.4A 48W 18.1dB - 28V
BFG505/X,235 NXP USA Inc. BFG505/X,235 -
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ECAD 5935 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-253-4, TO-253AA BFG50 150mW SOT-143B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934018770235 EAR99 8541.21.0075 10,000 - 15V 18mA NPN 60 @ 5mA, 6V 9GHz 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. A2T21H360-23NR6 -
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ECAD 7885 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V OM-1230-4L2L A2T21 2.11GHz ~ 2.2GHz LDMOS OM-1230-4L2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 150 2개 10μA 500mA 373W 16.8dB - 28V
PDTA323TK,115 NXP USA Inc. PDTA323TK,115 -
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ECAD 1479 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA32 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 15V 500mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 80mV @ 2.5mA, 50mA 100 @ 50mA, 5V 2.2kΩ
PDTA144EU,115 NXP USA Inc. PDTA144EU,115 0.0200
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ECAD 44 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 PDTA144 200mW SOT-323 다운로드 EAR99 8541.21.0095 1 50V 100mA 1μA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 80 @ 5mA, 5V 47kΩ 47kΩ
MRF8P9210NR3 NXP USA Inc. MRF8P9210NR3 -
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ECAD 1418 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 70V NI-780-4 MRF8P9210 960MHz MOSFET NI-780-4 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935321673528 EAR99 8541.29.0095 250 N채널 - 750mA 63W 16.8dB - 28V
PDTA143ZMB315 NXP USA Inc. PDTA143ZMB315 0.0300
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ECAD 179 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1
PSMN070-200B NXP USA Inc. PSMN070-200B -
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ECAD 3024 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN070 - 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 -
BC860B,215 NXP USA Inc. BC860B,215 0.0200
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ECAD 152 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC86 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
BSS84AKW/DG/B2215 NXP USA Inc. BSS84AKW/DG/B2215 0.0500
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ECAD 81 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1
BFU530W,115 NXP USA Inc. BFU530W,115 0.2500
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ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1
BUK96180-100A,118 NXP USA Inc. BUK96180-100A,118 1.0000
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ECAD 1557 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 11A(타) 173m옴 @ 5A, 10V 2V @ 1mA ±15V 25V에서 619pF - 54W(타)
BC847C/DG/B3215 NXP USA Inc. BC847C/DG/B3215 0.0200
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ECAD 258 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 100MHz
PMPB15XN,115 NXP USA Inc. PMPB15XN,115 -
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ECAD 7078 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 PMPB15 MOSFET(금속) DFN2020MD-6 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 20V 7.3A(타) 1.8V, 4.5V 21m옴 @ 7.3A, 4.5V 250μA에서 900mV 20.2nC @ 4.5V ±12V 1240pF @ 10V - 1.7W(Ta), 12.5W(Tc)
PDTC123JM,315 NXP USA Inc. PDTC123JM,315 0.0200
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ECAD 2672 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 PDTC123 250mW DFN1006-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 100mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
PHPT60606PY115 NXP USA Inc. PHPT60606PY115 -
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ECAD 7715 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1,500
PBSS5320D,125 NXP USA Inc. PBSS5320D,125 0.0700
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ECAD 345 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSS5 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000
BUT12AX,127 NXP USA Inc. 하지만 12AX,127 -
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ECAD 5754 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 하지만12 23W TO-220F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 450V 8A 1mA NPN 1.5V @ 1A, 5A 10 @ 1A, 5V -
BUK9K13-60EX NXP USA Inc. BUK9K13-60EX -
보상요청
ECAD 6785 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K13 MOSFET(금속) 64W LFPAK56D 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 2 N채널(듀얼) 60V 40A 12.5m옴 @ 10A, 5V 2.1V @ 1mA 22.4nC @ 5V 2953pF @ 25V 게임 레벨 레벨
BCM856DS/DG/B2115 NXP USA Inc. BCM856DS/DG/B2115 1.0000
보상요청
ECAD 4169 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
MRF7S19210HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19210HSR5 -
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ECAD 1011 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4A 63W 20dB - 28V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고