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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JAN2N3765U4 | - |  | 2006 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1.5 a | 100µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 40 @ 500ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
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| APTM10UM02FAG | 302.6400 | | 7338 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 570A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 200a, 10V | 4V @ 10MA | 1360 NC @ 10 v | ± 30V | 40000 pf @ 25 v | - | 1660W (TC) | |||||||||||||||||||
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 | MSC130SM120JCU3 | 101.2300 | | 20 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MSC130 | sicfet ((카바이드) | SOT-227 (ISOTOP®) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC130SM120JCU3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 173A (TC) | 20V | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 2MA | 464 NC @ 20 v | +25V, -10V | 6040 pf @ 1000 v | - | 745W (TC) | ||||||||||||||||||
| jantx2n3868s | 32.0929 | | 4609 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/350 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3868 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 MA | 100µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 30 @ 1.5A, 2V | - | |||||||||||||||||||||||
| jantx2n3764u4 | - | | 5632 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 30 @ 1a, 1.5v | - | |||||||||||||||||||||||||
 | JANS2N3019 | 102.4400 | | 933 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3019 | 800MW | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| 2N4036 | 15.8550 | | 1452 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4036 | 1 |
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