SIC
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트랜지스터 (5714)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DN2535N3-G Microchip Technology DN2535N3-G 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) DN2535 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 350 v 120ma (TJ) 0V 25ohm @ 120ma, 0V - ± 20V 300 pf @ 25 v 고갈 고갈 1W (TC)
TN0620N3-G Microchip Technology TN0620N3-G 1.6300
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0620 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 250MA (TJ) 5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 1.6V @ 1mA ± 20V 150 pf @ 25 v - 1W (TC)
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0.9500
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DN1509N8 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 90 v 360MA (TJ) 0V 6ohm @ 200ma, 0v - ± 20V 150 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.6W (TA)
LND150N8-G Microchip Technology LND150N8-G 0.7900
RFQ
 ECAD 4221 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA LND150 MOSFET (금속 (() SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 30MA (TJ) 0V 1000ohm @ 500µa, 0V - ± 20V 10 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.6W (TA)
TN0104N3-G-P003 Microchip Technology TN0104N3-G-P003 0.9800
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0104 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 450MA (TA) 3V, 10V 1.8ohm @ 1a, 10V 1.6V @ 500µA ± 20V 70 pf @ 20 v - 1W (TC)
VN10KN3-G Microchip Technology vn10kn3-g 0.6000
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) vn10kn3 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 310MA (TJ) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 30V 60 pf @ 25 v - 1W (TC)
VN1206L-G Microchip Technology VN1206L-G 2.1600
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN1206 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 230ma (TJ) 2.5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA ± 30V 125 pf @ 25 v - 1W (TC)
JANTX2N3421 Microchip Technology jantx2n3421 13.4200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/393 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3421 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 3 a 5µA NPN 500mv @ 200ma, 2a 40 @ 1a, 2v -
APTM20AM06SG Microchip Technology APTM20AM06SG 278.5720
RFQ
 ECAD 3264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM20 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 200V 300A 7.2MOHM @ 150A, 10V 5V @ 6MA 325NC @ 10V 18500pf @ 25v -
APTM20AM08FTG Microchip Technology APTM20AM08ftg 178.3214
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM20 MOSFET (금속 (() 781W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 200V 208a 10MOHM @ 104A, 10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14400pf @ 25v -
APTM20DUM04G Microchip Technology APTM20DUM04G 300.2300
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM20 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 200V 372A 5mohm @ 186a, 10V 5V @ 10MA 560NC @ 10V 28900pf @ 25V -
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75STG 164.9400
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM50 MOSFET (금속 (() 357W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 500V 46A 90mohm @ 23a, 10V 5V @ 2.5MA 123NC @ 10V 5600pf @ 25V -
APTM50SKM19G Microchip Technology APTM50SKM19G 200.7200
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 163A (TC) 10V 22.5mohm @ 81.5a, 10V 5V @ 10MA 492 NC @ 10 v ± 30V 22400 pf @ 25 v - 1136W (TC)
APTGT300DA170D3G Microchip Technology APTGT300DA170D3G 269.3100
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 D-3 모듈 APTGT300 1470 w 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1700 v 530 a 2.4V @ 15V, 300A 8 MA 아니요 26 NF @ 25 v
APTM100A18FTG Microchip Technology APTM100A18ftg 195.3300
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM100 MOSFET (금속 (() 780W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 1000V (1KV) 43A 210mohm @ 21.5a, 10V 5V @ 5MA 372NC @ 10V 10400pf @ 25v -
APTM100DAM90G Microchip Technology APTM100DAM90G 230.0917
RFQ
 ECAD 9653 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM100 MOSFET (금속 (() SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 78A (TC) 10V 105mohm @ 39a, 10V 5V @ 10MA 744 NC @ 10 v ± 30V 20700 pf @ 25 v - 1250W (TC)
APTM10DAM05TG Microchip Technology APTM10DAM05TG 126.6100
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM10 MOSFET (금속 (() SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 278A (TC) 10V 5mohm @ 125a, 10V 4V @ 5MA 700 NC @ 10 v ± 30V 20000 pf @ 25 v - 780W (TC)
APT150GN60LDQ4G Microchip Technology APT150GN60LDQ4G 28.3800
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT150 기준 536 w TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 150A, 1ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 220 a 450 a 1.85V @ 15V, 150A 8.81mj (on), 4.295mj (OFF) 970 NC 44ns/430ns
2N4091UB Microchip Technology 2N4091UB 47.6539
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N4091 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 30 ma @ 20 v 30 옴
2N4860 Microchip Technology 2N4860 57.9082
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 360 MW TO-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 18pf @ 10V 30 v 100 ma @ 15 v 6 V @ 500 PA 40
2N4860UB Microchip Technology 2N4860UB 86.7825
RFQ
 ECAD 5573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N4860 360 MW - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 18pf @ 10V 30 v 100 ma @ 15 v 6 V @ 500 PA 40
2N5115UB Microchip Technology 2N5115UB 52.5483
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N5115 500MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 60 ma @ 15 v 6 V @ 1 na 100 옴
MV2N4859 Microchip Technology MV2N4859 57.2964
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/385 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 MV2N4859 360 MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 18pf @ 10V 30 v 175 ma @ 15 v 10 V @ 500 PA 25 옴
MV2N4860UB Microchip Technology MV2N4860UB 80.4916
RFQ
 ECAD 5752 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 MV2N4860 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
MV2N4861 Microchip Technology MV2N4861 57.2964
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/385 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 MV2N4861 360 MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 18pf @ 10V 30 v 80 ma @ 15 v 4 V @ 0.5 NA 60 옴
MV2N5116 Microchip Technology MV2N5116 -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 MV2N5116 500MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 27pf @ 15V 30 v 25 ma @ 15 v 6 V @ 1 na 100 옴
MX2N4856UB Microchip Technology MX2N4856UB 68.7743
RFQ
 ECAD 3847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N4856 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
MX2N4858UB Microchip Technology MX2N4858UB 68.7743
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N4858 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
MX2N4861 Microchip Technology MX2N4861 50.8193
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/385 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4861 360 MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 18pf @ 10V 30 v 80 ma @ 15 v 4 V @ 0.5 NA 60 옴
APL602LG Microchip Technology APL602LG 58.7804
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APL602 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 49A (TC) 12V 125mohm @ 24.5a, 12v 4V @ 2.5MA ± 30V 9000 pf @ 25 v - 730W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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