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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TP5335K1-G-VAO | - |  | 5577 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP5335 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-TP5335K1-G-VAOTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 350 v | 85MA (TJ) | 4.5V, 10V | 30ohm @ 200ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 110 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | MSCSM120HM31T3AG | 221.7900 | | 7986 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 395W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120HM31T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 브리지) | 1200V (1.2kv) | 89A (TC) | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 3MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||
 | APTM120H140FT1G | 73.6800 | | 8821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTM120 | MOSFET (금속 (() | 208W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 1200V (1.2kv) | 8a | 1.68ohm @ 7a, 10V | 5V @ 1MA | 145NC @ 10V | 3812pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||
 | VP0104N3-G | 1.0200 | | 978 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | VP0104 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 40 v | 250MA (TJ) | 5V, 10V | 8ohm @ 500ma, 10V | 3.5V @ 1mA | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | MNS2N3501UBP | 15.5500 | | 2594 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mns2n3501ubp | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
| JANSM2N2369AUB/TR | 149.5210 | | 9573 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2369A | 360 MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2369aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3498UB | 27.9450 | | 7189 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3498UB | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | JANHCA2N3636 | - | | 1679 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCA2N3636 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
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 | APT10090SLLG | 17.8700 | | 2907 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT10090 | MOSFET (금속 (() | D3 [S] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 12A (TC) | 900mohm @ 6a, 10V | 5V @ 1MA | 71 NC @ 10 v | 1969 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||
| 2C3250A | 9.2550 | | 8464 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3250A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5322E3 | 20.1300 | | 5537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 10 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5322E3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 v | 2 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
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 | APT6010B2LLG | 27.1800 | | 5738 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT6010 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 54A (TC) | 10V | 100mohm @ 27a, 10V | 5V @ 2.5MA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 6710 pf @ 25 v | - | 690W (TC) | |||||||||||||||||||
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 | APL602LG | 58.7804 | | 8710 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APL602 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 49A (TC) | 12V | 125mohm @ 24.5a, 12v | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 9000 pf @ 25 v | - | 730W (TC) | ||||||||||||||||||||
| JANS2N3440L | 231.5304 | | 2143 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 800MW | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N3440L | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | APT17F120J | 34.0700 | | 9357 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT17F120 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 18A (TC) | 10V | 580mohm @ 14a, 10V | 5V @ 2.5MA | 300 NC @ 10 v | ± 30V | 9670 pf @ 25 v | - | 545W (TC) | |||||||||||||||||||
 | JANKCBM2N3700 | - | | 1716 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbm2n3700 | 100 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| APT60M75L2LLG | 50.6400 | | 1545 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT60M75 | MOSFET (금속 (() | 264 MAX ™ [L2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 73A (TC) | 10V | 75mohm @ 36.5a, 10V | 5V @ 5MA | 195 NC @ 10 v | ± 30V | 8930 pf @ 25 v | - | 893W (TC) | |||||||||||||||||||
| 2C5662 | 13.9650 | | 3405 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5662 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60VDAM45T1G | 73.1700 | | 7035 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Coolmos ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 600V | 49a | 45mohm @ 24.5a, 10V | 3.9V @ 3MA | 150NC @ 10V | 7200pf @ 25v | 슈퍼 슈퍼 | |||||||||||||||||||||
| APT20M18B2VRG | 21.5900 | | 7614 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT20M18 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 100A (TC) | 18mohm @ 50a, 10V | 4V @ 2.5MA | 330 nc @ 10 v | 9880 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||
 | jantxv2n3635L | 14.3906 | | 5491 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3635 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| APT5010B2FLLG | 17.3800 | | 9102 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT5010 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 46A (TC) | 10V | 100mohm @ 23a, 10V | 5V @ 2.5MA | 95 NC @ 10 v | ± 30V | 4360 pf @ 25 v | - | 520W (TC) | |||||||||||||||||||
| JANS2N2221AUB/TR | 65.0804 | | 4082 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N2221AUB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
| JANSF2N5151 | 98.9702 | | 6943 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 µA | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
| JANS2N2369AUB/TR | 82.4304 | | 1698 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n2369aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||
| 2N5760 | 77.3850 | | 7509 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 150 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5760 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 6 a | - | NPN | - | - | - |
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