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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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JANSF2N5152 | 98.9702 | ![]() | 8251 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2N3762L | - | ![]() | 4245 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 100µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 40 @ 500ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | APT6025BLLG | 14.3500 | ![]() | 4172 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT6025 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 24A (TC) | 250mohm @ 12a, 10V | 5V @ 1MA | 65 nc @ 10 v | 2910 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N3635UB | 147.1604 | ![]() | 9763 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansf2n3635ub | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N3634ub/tr | - | ![]() | 7818 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 1 W. | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3719 | 17.3698 | ![]() | 2973 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 6 w | To-5 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 40 v | 10 µA | 10µA | PNP | 1.5V @ 300MA, 3A | 25 @ 1a, 1.5v | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM042T6AG | - | ![]() | 1216 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 2.031kW (TC) | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120AM042T6AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 495A (TC) | 5.2MOHM @ 240A, 20V | 2.8V @ 18MA | 1392NC @ 20V | 18100pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||
2N3419S | 17.7422 | ![]() | 8221 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3419 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 20 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3057A | 78.1900 | ![]() | 5333 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 2N3057 | 500MW | TO-46 (TO-206AB) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
JANSM2N5152 | 95.9904 | ![]() | 8894 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N5152 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n2222a | 3.5910 | ![]() | 7328 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2222 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3506L | 12.2626 | ![]() | 2347 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3506 | 1 W. | TO-5AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 1µA | NPN | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 50 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jankca2N2920 | 44.3954 | ![]() | 4710 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2920 | 350MW | To-78-6 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca2n2920 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N1481 | 25.4429 | ![]() | 6535 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N1481 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 5µA (ICBO) | NPN | 750mv @ 10ma, 200ma | 35 @ 200ma, 4v | - | ||||||||||||||||||||||
JAN2N3700 | 3.9102 | ![]() | 6903 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N3700 | 500MW | TO-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TC6215TG-G | 1.8500 | ![]() | 2684 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TC6215 | MOSFET (금속 (() | - | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n 및 p 채널 | 150V | - | 4ohm @ 2a, 10V | 2V @ 1mA | - | 120pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
![]() | APTC80AM75SCG | 261.7400 | ![]() | 7659 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTC80 | MOSFET (금속 (() | 568W | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 800V | 56A | 75mohm @ 28a, 10V | 3.9V @ 4MA | 364NC @ 10V | 9015pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2907AUB | 59.6002 | ![]() | 2170 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2907 | 500MW | ub | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | JANSR2N2907AUBMS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 1ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3810 | 16.2800 | ![]() | 218 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N380 | 350MW | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||
APT20GN60BDQ2G | 7.0000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | apt20gn60 | 기준 | 136 W. | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT20GN60BDQ2G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 4.3OHM, 15V | 30 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 40 a | 60 a | 1.9V @ 15V, 20A | 230µJ (on), 580µJ (OFF) | 120 NC | 9ns/140ns | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4231 | 27.4645 | ![]() | 2744 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N4231 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3763L | - | ![]() | 1140 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1.5 a | 100µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 40 @ 500ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3741U4 | - | ![]() | 2817 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/441 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 25 W. | U4 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 1.25ma, 1a | 30 @ 250ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||
JANKCCP2N5151 | - | ![]() | 7967 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccp2n5151 | 100 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n2906aua/tr | 23.0356 | ![]() | 6445 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2906 | 500MW | 4-SMD | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N2906AUA/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | APTC80H29SCTG | 144.7313 | ![]() | 8251 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTC80 | MOSFET (금속 (() | 156w | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 800V | 15a | 290mohm @ 7.5a, 10V | 3.9V @ 1mA | 91NC @ 10V | 2254pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2C5882 | 37.0050 | ![]() | 8420 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5882 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2222AUB | 146.8306 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
JANTX2N4930 | - | ![]() | 5243 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/397 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 200 MA | PNP | 1.2v @ 3ma, 30ma | 50 @ 30MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM027T6AG | 939.0300 | ![]() | 6544 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 2.97kW (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120AM027T6AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 733A (TC) | 3.5mohm @ 360a, 20V | 2.8V @ 27MA | 2088NC @ 20V | 27000pf @ 1000V | - |
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