SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANSF2N5152 Microchip Technology JANSF2N5152 98.9702
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANTX2N3762L Microchip Technology Jantx2N3762L -
RFQ
ECAD 4245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/396 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 1.5 a 100µA (ICBO) PNP 900mv @ 100ma, 1a 40 @ 500ma, 1V -
APT6025BLLG Microchip Technology APT6025BLLG 14.3500
RFQ
ECAD 4172 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT6025 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 24A (TC) 250mohm @ 12a, 10V 5V @ 1MA 65 nc @ 10 v 2910 pf @ 25 v -
JANSF2N3635UB Microchip Technology JANSF2N3635UB 147.1604
RFQ
ECAD 9763 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. ub - 영향을받지 영향을받지 150-jansf2n3635ub 1 140 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
JANSM2N3634UB/TR Microchip Technology JANSM2N3634ub/tr -
RFQ
ECAD 7818 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 1 W. ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
2N3719 Microchip Technology 2N3719 17.3698
RFQ
ECAD 2973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 6 w To-5 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 40 v 10 µA 10µA PNP 1.5V @ 300MA, 3A 25 @ 1a, 1.5v 60MHz
MSCSM120AM042T6AG Microchip Technology MSCSM120AM042T6AG -
RFQ
ECAD 1216 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 2.031kW (TC) - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM042T6AG 귀 99 8541.29.0095 5 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 495A (TC) 5.2MOHM @ 240A, 20V 2.8V @ 18MA 1392NC @ 20V 18100pf @ 1000V -
2N3419S Microchip Technology 2N3419S 17.7422
RFQ
ECAD 8221 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N3419 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 3 a 5µA NPN 500mv @ 200ma, 2a 20 @ 1a, 2v -
JANS2N3057A Microchip Technology JANS2N3057A 78.1900
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/391 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 2N3057 500MW TO-46 (TO-206AB) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 50 @ 500ma, 10V -
JANSM2N5152 Microchip Technology JANSM2N5152 95.9904
RFQ
ECAD 8894 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-JANSM2N5152 1 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANTXV2N2222A Microchip Technology jantxv2n2222a 3.5910
RFQ
ECAD 7328 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2222 500MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N3506L Microchip Technology 2N3506L 12.2626
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3506 1 W. TO-5AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 3 a 1µA NPN 1.5V @ 250MA, 2.5A 50 @ 500ma, 1V -
JANKCA2N2920 Microchip Technology Jankca2N2920 44.3954
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/355 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N2920 350MW To-78-6 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca2n2920 귀 99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
2N1481 Microchip Technology 2N1481 25.4429
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N1481 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 1.5 a 5µA (ICBO) NPN 750mv @ 10ma, 200ma 35 @ 200ma, 4v -
JAN2N3700 Microchip Technology JAN2N3700 3.9102
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/391 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N3700 500MW TO-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 50 @ 500ma, 10V -
TC6215TG-G Microchip Technology TC6215TG-G 1.8500
RFQ
ECAD 2684 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC6215 MOSFET (금속 (() - 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,300 n 및 p 채널 150V - 4ohm @ 2a, 10V 2V @ 1mA - 120pf @ 25V -
APTC80AM75SCG Microchip Technology APTC80AM75SCG 261.7400
RFQ
ECAD 7659 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTC80 MOSFET (금속 (() 568W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 800V 56A 75mohm @ 28a, 10V 3.9V @ 4MA 364NC @ 10V 9015pf @ 25v -
JANSR2N2907AUB Microchip Technology JANSR2N2907AUB 59.6002
RFQ
ECAD 2170 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2907 500MW ub 다운로드 영향을받지 영향을받지 JANSR2N2907AUBMS 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 1ma, 10V -
2N3810 Microchip Technology 2N3810 16.2800
RFQ
ECAD 218 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N380 350MW To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
APT20GN60BDQ2G Microchip Technology APT20GN60BDQ2G 7.0000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 apt20gn60 기준 136 W. TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT20GN60BDQ2G 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 4.3OHM, 15V 30 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 60 a 1.9V @ 15V, 20A 230µJ (on), 580µJ (OFF) 120 NC 9ns/140ns
2N4231 Microchip Technology 2N4231 27.4645
RFQ
ECAD 2744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N4231 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
JANTXV2N3763L Microchip Technology jantxv2n3763L -
RFQ
ECAD 1140 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/396 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 1.5 a 100µA (ICBO) PNP 900mv @ 100ma, 1a 40 @ 500ma, 1V -
JANS2N3741U4 Microchip Technology JANS2N3741U4 -
RFQ
ECAD 2817 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/441 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 25 W. U4 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 1.25ma, 1a 30 @ 250ma, 1V -
JANKCCP2N5151 Microchip Technology JANKCCP2N5151 -
RFQ
ECAD 7967 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankccp2n5151 100 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JAN2N2906AUA/TR Microchip Technology Jan2n2906aua/tr 23.0356
RFQ
ECAD 6445 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2906 500MW 4-SMD - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN2N2906AUA/TR 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
APTC80H29SCTG Microchip Technology APTC80H29SCTG 144.7313
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTC80 MOSFET (금속 (() 156w SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 800V 15a 290mohm @ 7.5a, 10V 3.9V @ 1mA 91NC @ 10V 2254pf @ 25V -
2C5882 Microchip Technology 2C5882 37.0050
RFQ
ECAD 8420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2C5882 1
JANSF2N2222AUB Microchip Technology JANSF2N2222AUB 146.8306
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANTX2N4930 Microchip Technology JANTX2N4930 -
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/397 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 200 v 200 MA PNP 1.2v @ 3ma, 30ma 50 @ 30MA, 10V -
MSCSM120AM027T6AG Microchip Technology MSCSM120AM027T6AG 939.0300
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 2.97kW (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM027T6AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 733A (TC) 3.5mohm @ 360a, 20V 2.8V @ 27MA 2088NC @ 20V 27000pf @ 1000V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고