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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 2C6193 | 8.5386 | ![]() | 2453 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C6193 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptm10hm09ft3g | 150.3300 | ![]() | 1664 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 100V | 139a | 10mohm @ 69.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 350NC @ 10V | 9875pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120TAM31T3AG | 306.5600 | ![]() | 2039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 395W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120TAM31T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 1200V (1.2kv) | 89A (TC) | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 3MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N5154U3/tr | 232.3316 | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSR2N5154U3/TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantxv2n2432ub/tr | - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2432ub/tr | 100 | 30 v | 100 MA | 10NA | NPN | 150mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | JANSM2N3439UA | - | ![]() | 3869 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N3439UA | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n918 | 13.6990 | ![]() | 5045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/301 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | 200 MW | To-72 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1ma, 10ma | 20 @ 3ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5049 | 519.0900 | ![]() | 5463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 100 W. | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5049 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 10 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx2n3762 | - | ![]() | 3658 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3762 | 1 W. | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 30 @ 1a, 1.5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JANKCBP2N3439 | - | ![]() | 2720 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbp2n3439 | 100 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICPB2002-1-110I | - | ![]() | 4850 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 28 v | 표면 표면 | 주사위 | 12GHz | 간 간 | 주사위 | 다운로드 | 1 | - | 1A | 125 MA | 12W | 10db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantxv2n2369aua/tr | 39.7404 | ![]() | 1741 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 360 MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2369aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM11T3AG | 310.6600 | ![]() | 6814 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1.067kW (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120AM11T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 254A (TC) | 10.4mohm @ 120a, 20V | 2.8V @ 9mA | 696NC @ 20V | 9060pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2369AUA/TR | 161.7712 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2369A | 360 MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansr2n2369aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIC94053BC6-TR | - | ![]() | 9034 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MIC94053 | MOSFET (금속 (() | SC-70-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 6 v | 2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 84mohm @ 100ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 6V | - | 270MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60TAM35PG | 257.8900 | ![]() | 2803 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 416W | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 600V | 72A | 35mohm @ 72a, 10V | 3.9V @ 5.4ma | 518NC @ 10V | 14000pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3771 | 221.3120 | ![]() | 1920 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/518 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N3771 | 6 w | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 30 a | 5MA | NPN | 4V @ 6A, 30A | 15 @ 15a, 4v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC180SMA120S | 9.6200 | ![]() | 1213 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | MSC180 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | TO-268 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC180SMA120S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 21A (TC) | 20V | 225mohm @ 8a, 20V | 3.26V @ 500µA | 34 NC @ 20 v | +23V, -10V | 510 pf @ 1000 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100UM65DAG | 328.4000 | ![]() | 9698 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 145A (TC) | 10V | 78mohm @ 72.5a, 10V | 5V @ 20MA | 1068 NC @ 10 v | ± 30V | 28500 pf @ 25 v | - | 3250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
jankca2n3634 | - | ![]() | 7878 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca2n3634 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT1201R4SFLLG | 24.3800 | ![]() | 3815 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT1201 | MOSFET (금속 (() | D3 [S] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 9A (TC) | 1.4ohm @ 4.5a, 10V | 5V @ 1MA | 120 nc @ 10 v | 2500 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6280 | 92.0892 | ![]() | 7010 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N6280 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214GN-50E | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | 150 v | 표면 표면 | 55-QQ | 1.2GHz ~ 1.4GHz | - | 55-QQ | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1214GN-50E | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 20 MA | 58W | 15.9dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSD2N2222AUA/TR | 156.9608 | ![]() | 1903 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2222aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSA6007 | - | ![]() | 6715 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-NSA6007 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT34M60S/TR | 12.7281 | ![]() | 5415 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT34M60 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT34M60S/TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 600 v | 36A (TC) | 10V | 190mohm @ 17a, 10V | 5V @ 1MA | 165 NC @ 10 v | ± 30V | 6640 pf @ 25 v | - | 624W (TC) |
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