RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (5714)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
JANS2N2920	183.5200	RFQ	248	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/355	대부분	sic에서 중단되었습니다	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N2920		350MW		TO-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1										60V	30ma		10µA (ICBO)			2 NPN (()	300mv @ 100µa, 1ma	300 @ 1ma, 5V	-
2N3781	33.0450	RFQ	9389	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			5 w		TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-2N3781	귀 99	8541.29.0095	1										100 v	1 a		-			PNP	-	-	-
APTGLQ40DDA120CT3G	106.1000	RFQ	6216	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SP6	APTGLQ40		250 W.	기준	SP6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	이중 이중 헬기								트렌치 트렌치 정지	1200 v	75 a	2.4V @ 15V, 40A	100 µa	예	2.3 NF @ 25 v
JANS2N6676T1	-	RFQ	5696	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)					TO-254	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1										300 v	15 a		-			NPN	-	-	-
2N5793A	71.0700	RFQ	2043	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N5793		600MW		To-78-6	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5793A	귀 99	8541.21.0095	1										40V	600ma		10µA (ICBO)			2 NPN (()	900mv @ 30ma, 300ma	40 @ 150ma, 10V	-
jantxv2n6052	-	RFQ	3708	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/501	대부분	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			150 W.		TO-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1										100 v	12 a		1MA			pnp- 달링턴	3V @ 120ma, 12a	1000 @ 6A, 3V	-
jantxv2n3439p	21.7987	RFQ	3781	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/368	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			800MW		TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv2n3439p			1										350 v	1 a		2µA			NPN	500mv @ 4ma, 50ma	40 @ 20MA, 10V	-
jantxv2n1717s	-	RFQ	3463	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔					TO-39 (TO-205AD)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1										100 v	750 MA		-			NPN	-	-	-
JANS2N5153L	67.8904	RFQ	1008	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/545	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			1 W.		To-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1										80 v	1 MA		1MA			PNP	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
2N2907AUB/TR	6.0914	RFQ	7478	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음	2N2907		500MW		ub	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-2n2907aub/tr	귀 99	8541.21.0095	1										60 v	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
JANKCC2N3499	15.8403	RFQ	2626	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/366	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		TO-39 (TO-205AD)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankcc2n3499	귀 99	8541.29.0095	1										100 v	500 MA		10µA (ICBO)			NPN	600mv @ 30ma, 300ma	100 @ 150ma, 10V	-
JAN2N5004	416.0520	RFQ	3317	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/534	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	섀시, 마운트 스터드	TO-210AA, TO-59-4, 스터드	2N5004		2 w		To-59	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1										80 v	5 a		50µA			NPN	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
2N5288	519.0900	RFQ	7287	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드			116 w		To-61	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5288	귀 99	8541.29.0095	1										100 v	10 a		-			NPN	900MV @ 500µA, 5MA	-	-
APTC60BBM24T3G	132.3111	RFQ	4620	마이크로 마이크로 기술	Coolmos ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		SP3	APTC60	MOSFET (금속 (()	462W		SP3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 교량)	600V	95A	24mohm @ 47.5a, 10V	3.9V @ 5MA	300NC @ 10V	14400pf @ 25v	-
JANSD2N3637UB/TR	147.3102	RFQ	7813	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			1 W.		ub	-			영향을받지 영향을받지	150-jansd2n3637ub/tr			50										175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5ma, 50ma	100 @ 50MA, 10V	-
jantxv2n5339	12.4754	RFQ	5523	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/560	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N5339		1 W.		TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1										100 v	5 a		100µA			NPN	1.2v @ 500ma, 5a	60 @ 2a, 2v	-
2N336AT2	65.1035	RFQ	6404	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인				2N336					-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
JANSP2N2222AUB/TR	108.5100	RFQ	6971	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-				150-JANSP2N2222AUB/TR			50
JANSR2N2222AL	100.9002	RFQ	6787	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/255	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			500MW		TO-18 (TO-206AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSR2N2222AL			1										50 v	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
2N6987U	59.3712	RFQ	8927	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	20-Clcc	2N6987		1W		20-CLCC (8.89x8.89)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	2N6987UMS	귀 99	8541.29.0095	1										60V	600ma		10µA (ICBO)			4 PNP (()	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
jantx2n6674	154.0672	RFQ	3603	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인				2N6674					-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1
JANKCBL2N3700	-	RFQ	5209	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/391	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			500MW		TO-18 (TO-206AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankcbl2n3700			100										80 v	1 a		10NA			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 10V	-
jantxv2n6384	69.1068	RFQ	5478	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/523	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	2N6384		6 w		TO-204AA (TO-3)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1										60 v	10 a		1MA			npn-달링턴	3V @ 100MA, 10A	1000 @ 5a, 3v	-
JANS2N2919U/TR	153.2106	RFQ	5645	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/355	테이프 & tr (TR)	활동적인	200 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 없음					6-SMD	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JANS2N2919U/TR			1										60 v	30 MA		-			NPN	-	-	-
JANKCCD2N3498	-	RFQ	2245	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/366	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jankccd2n3498			100										100 v	500 MA		10µA (ICBO)			NPN	600mv @ 30ma, 300ma	40 @ 150ma, 10V	-
JAN2N5238S	16.4787	RFQ	1842	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/394	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N5238		1 W.		TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1										170 v	10 a		10µA			NPN	2.5V @ 1A, 10A	40 @ 5a, 5V	-
jantxv2n5154p	22.4105	RFQ	5369	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/544	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		TO-39 (TO-205AD)	-			영향을받지 영향을받지	150-jantxv2n5154p			1										80 v	2 a		50µA			NPN	1.5v @ 500ma, 5a	70 @ 2.5a, 5V	-
2N3765U4	145.3500	RFQ	1807	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			500MW		U4	-			영향을받지 영향을받지	150-2N3765U4	귀 99	8541.21.0095	1										60 v	1.5 a		100µA			PNP	900mv @ 100ma, 1a	40 @ 500ma, 1V	-
jankcad2n3810	-	RFQ	8717	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500 /336	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N3810		350MW		To-78-6	-			영향을받지 영향을받지	150-jankcad2n3810			100										60V	50ma		10µA (ICBO)			2 PNP (()	250mv @ 100µa, 1ma	150 @ 1ma, 5V	-
jantxv2n3498	16.4654	RFQ	9188	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/366	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N3498		1 W.		TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1										100 v	500 MA		10µA (ICBO)			NPN	600mv @ 30ma, 300ma	40 @ 150ma, 10V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5714)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²