SIC
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트랜지스터 (5714)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MSCSM120AM31TBL1NG Microchip Technology MSCSM120AM31TBL1NG 140.4500
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 310W - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM31TBL1NG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 79a 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 3MA 232NC @ 20V 3020pf @ 1000V -
MX2N4392UB/TR Microchip Technology MX2N4392ub/tr 69.5324
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4392ub/tr 1
2N3749 Microchip Technology 2N3749 129.7947
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 ~ 111-4,- 2 w ~ 111 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2N3749 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 20µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 40 @ 1a, 2v -
MX2N4093UB/TR Microchip Technology mx2n4093ub/tr 89.2696
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/431 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4093ub/tr 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 8 ma @ 20 v 80 옴
JANSP2N2906AUB/TR Microchip Technology JANSP2N2906AUB/TR 148.3710
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2906 500MW ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansp2n2906aub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
MX2N4860UB/TR Microchip Technology mx2n4860ub/tr 68.9206
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4860ub/tr 1
MX2N4857UB/TR Microchip Technology mx2n4857ub/tr 68.9206
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4857ub/tr 1
MV2N4859UB/TR Microchip Technology MV2N4859ub/tr 80.6379
RFQ
 ECAD 7942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mv2n4859ub/tr 1
MV2N4393UB/TR Microchip Technology MV2N4393ub/tr 78.0577
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mv2n4393ub/tr 1
JANSD2N2907AUA/TR Microchip Technology JANSD2N2907AUA/TR 156.0008
RFQ
 ECAD 3829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2907 500MW UA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansd2n2907aua/tr 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANTX2N2919U/TR Microchip Technology jantx2n2919u/tr 52.0296
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/355 테이프 & tr (TR) 활동적인 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2919 350MW 3-smd - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n2919U/tr 귀 99 8541.21.0095 1 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
MV2N4858UB/TR Microchip Technology MV2N4858ub/tr 80.6379
RFQ
 ECAD 4471 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mv2n4858ub/tr 1
MX2N4393UB/TR Microchip Technology mx2n4393ub/tr 69.5324
RFQ
 ECAD 5368 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4393ub/tr 1
JANKCC2N3501 Microchip Technology JANKCC2N3501 15.8403
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcc2n3501 귀 99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
JANSP2N3700UB/TR Microchip Technology JANSP2N3700UB/TR 40.3302
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/391 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N3700 500MW ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansp2n3700ub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 10V -
MV2N4391UB/TR Microchip Technology mv2n4391ub/tr 78.0577
RFQ
 ECAD 1817 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mv2n4391ub/tr 1
JANTX2N2432AUB/TR Microchip Technology jantx2n2432aub/tr -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n2432aub/tr 1 30 v 100 MA - NPN - - -
2N2608 Microchip Technology 2N2608 71.3279
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 300MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2N2608 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 10pf @ 5V 30 v 1 ma @ 5 v 750 mV @ 1 µA
2N4092UB/TR Microchip Technology 2N4092ub/tr 44.5816
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2n4092ub/tr 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 15 ma @ 20 v 50 옴
JANKCA2N4150 Microchip Technology Jankca2n4150 29.4595
RFQ
 ECAD 5548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/394 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca2n4150 귀 99 8541.29.0095 1 70 v 10 a 10µA NPN 2.5V @ 1A, 10A 50 @ 1a, 5V -
JAN2N3700UB/TR Microchip Technology Jan2n3700ub/tr 8.1130
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/391 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N3700 500MW 3-UB (2.9x2.2) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN2N3700UB/TR 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 50 @ 500ma, 10V -
2C4150 Microchip Technology 2C4150 11.8769
RFQ
 ECAD 9041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2C4150 1
NCC1077/TR Microchip Technology NCC1077/TR -
RFQ
 ECAD 9798 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-ncc1077/tr 1
MSCSM120HM063CAG Microchip Technology MSCSM120HM063CAG 1.0000
RFQ
 ECAD 6250 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 MSCSM120 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120HM063CAG 귀 99 8541.29.0095 1 -
MSCSM70TLM10C3AG Microchip Technology MSCSM70TLM10C3AG 384.2800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 690W (TC) 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 700V 241A (TC) 9.5mohm @ 80a, 20V 2.4v @ 8ma (유형) 430NC @ 20V 9000pf @ 700V -
SG2803J-JAN Microchip Technology SG2803J-JAN -
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 18-CDIP (0.300 ", 7.62mm) SG2803 - 18-cerdip 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-SG2803J-JAN 귀 99 8541.29.0095 21 50V 500ma - 8 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma - -
APT77N60SC6/TR Microchip Technology APT77N60SC6/TR 15.5000
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT77N60 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT77N60SC6/TR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 600 v 77A (TC) 10V 41mohm @ 44.4a, 10V 3.6v @ 2.96ma 260 NC @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 25 v - 481W (TC)
CMTDGF50H603G Microchip Technology CMTDGF50H603G -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 쟁반 쓸모없는 - 150-CMTDGF50H603G 쓸모없는 1
CMLRGF60V601AMXG-AS Microchip Technology CMLRGF60V601AMXG-AS -
RFQ
 ECAD 3648 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 쟁반 쓸모없는 - 150-CMLRGF60V601AMXG-AS 쓸모없는 1
APT75GN60SDQ2G Microchip Technology APT75GN60SDQ2G 10.6800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT75GN60 기준 536 w d3pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT75GN60SDQ2G 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 1ohm, 15V 25 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 155 a 225 a 1.85V @ 15V, 75A 2.5mj (on), 2.14mj (OFF) 485 NC 47ns/385ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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