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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT50M38JLL | 76.8000 |  | 89 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT50M38 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 88A (TC) | 10V | 38mohm @ 44a, 10V | 5V @ 5MA | 270 nc @ 10 v | ± 30V | 12000 pf @ 25 v | - | 694W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT40GT60BRG | 9.7000 | | 544 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Thunderbolt IGBT® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT40GT60 | 기준 | 345 w | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 40A, 5ohm, 15V | NPT | 600 v | 80 a | 160 a | 2.5V @ 15V, 40A | 828µJ (OFF) | 200 NC | 12ns/124ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VRF2933 | 164.9500 | | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 170 v | M177 | VRF2933 | 150MHz | MOSFET | M177 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q6240326 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 2MA | 250 MA | 300W | 25db | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT1003RSFLLG/TR | 12.6900 | | 4507 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT1003 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT1003RSFLLG/TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 1000 v | 4A (TC) | 10V | 3ohm @ 2a, 10V | 5V @ 1MA | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 694 pf @ 25 v | - | 139W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC035SMA170B | 40.5700 | | 9282 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -60 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MSC035 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC035SMA170B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1700 v | 68A (TC) | 20V | 45mohm @ 30a, 20V | 3.25V @ 2.5MA (유형) | 178 NC @ 20 v | +23V, -10V | 3300 pf @ 1000 v | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANKCB2N3440 | 22.6366 | | 4696 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcb2n3440 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSR2N5151 | 95.9904 | | 1890 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSR2N5151 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC360SMA120B | 6.2800 | | 237 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | MSC360 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC360SMA120B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT12060LVRG | 20.3800 | | 9246 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT12060 | MOSFET (금속 (() | TO-264 (L) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT12060LVRG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 20A (TC) | 10V | 600mohm @ 10a, 10V | 4V @ 2.5MA | 650 NC @ 10 v | ± 30V | 9500 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC040SMA120B4 | 24.9500 | | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | MSC040 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC040SMA120B4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 66A (TC) | 20V | 50mohm @ 40a, 20V | 2.6V @ 2MA | 137 NC @ 20 v | +23V, -10V | 1990 PF @ 1000 v | - | 323W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n2369au/tr | - | | 6359 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n2369au/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MDSGN-750ELMV | - | | 3528 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 v | 표면 표면 | 55kr | 1.03GHz ~ 1.09GHz | 헴 | 55kr | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MDSGN-750ELMV | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | - | 100 MA | 800W | 19.1db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n2604ub/tr | - | | 5446 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/354 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2604 | 400MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n2604ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 MA | 10NA | PNP | 300MV @ 500µA, 10MA | 60 @ 500µa, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSG2N2221AUB | 238.4918 | | 6956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSG2N2221AUB | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TN2510N8-G | 1.3500 | | 5320 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | TN2510 | MOSFET (금속 (() | TO-243AA (SOT-89) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 730ma (TJ) | 3V, 10V | 1.5ohm @ 750ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 125 pf @ 25 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2C4239 | 13.4862 | | 8237 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C4239 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| mx2n4859ub/tr | 68.9206 | | 7887 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4859ub/tr | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100H45FT3G | 153.0300 | | 1310 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | 357W | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 1000V (1KV) | 18a | 540mohm @ 9a, 10V | 5V @ 2.5MA | 154NC @ 10V | 4350pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4861 | 65.3100 | | 7433 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4861 | 1 | n 채널 | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 8 ma @ 15 v | 800 mV @ 500 PA | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx2n5794uc/tr | 152.4978 | | 7595 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/495 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5794 | 600MW | UC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n5794uc/tr | 100 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 900mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5629 | 74.1300 | | 1195 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5629 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 16 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSR2N5152 | 95.9904 | | 1920 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSR2N5152 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N3439U4 | 413.4420 | | 4044 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 800MW | U4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSD2N3439U4 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSM2N5153L | 98.9702 | | 1892 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N5153L | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSG2N2222AUBC/TR | 306.0120 | | 9964 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansg2n2222aubc/tr | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TP0606N3-G-P003 | 0.9100 | | 8669 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TP0606 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 60 v | 320MA (TJ) | 5V, 10V | 3.5ohm @ 750ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGT100TL60T3G | 111.2300 | | 1470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT100 | 340 W. | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT10035B2FLLG | 33.1603 | | 1252 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT10035 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 28A (TC) | 10V | 370mohm @ 14a, 10V | 5V @ 2.5MA | 186 NC @ 10 v | ± 30V | 5185 pf @ 25 v | - | 690W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSH2N2222AUA/TR | 167.4308 | | 9919 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansh2n2222aua/tr | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSR2N222AL | - | | 1973 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSR2N22AL | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - |
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