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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 |
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2N5115 | 35.8568 | ![]() | 6065 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N5115 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N5115ms | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 60 ma @ 15 v | 6 V @ 1 na | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MV2N4091UB | 92.3419 | ![]() | 2510 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | aptglq50h65t1g | 70.0200 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTGLQ50 | 175 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 70 a | 2.3V @ 15V, 50A | 50 µA | 예 | 3.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgtq150ta65tpg | 289.7800 | ![]() | 4036 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTGTQ150 | 365 w | 기준 | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 인버터 | - | 650 v | 150 a | 2.2V @ 15V, 150A | 150 µA | 예 | 9 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | APTGTQ200SK65T3G | 95.0308 | ![]() | 6040 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTGTQ200 | 483 w | 기준 | SP3F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 벅 벅 | - | 650 v | 200a | 2.2V @ 15V, 200a | 200 µA | 예 | 12 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vrf148amp | - | ![]() | 5018 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 170 v | M113 | VRF148 | 175MHz | MOSFET | M113 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 10 | n 채널 | 100µA | 100 MA | 30W | 16db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2920U | 275.9500 | ![]() | 8530 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 쟁반 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N2920 | 350MW | 6-SMD | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL120TA120TPG | 294.8500 | ![]() | 7669 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGL120 | 517 w | 기준 | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 140 a | 2.15V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200A60T3AG | 114.4100 | ![]() | 9206 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT200 | 750 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 290 a | 1.9V @ 15V, 200a | 250 µA | 예 | 12.3 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT15GT120BRG | - | ![]() | 4875 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Thunderbolt IGBT® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT15GT120 | 기준 | 250 W. | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 15a, 5ohm, 15V | NPT | 1200 v | 36 a | 45 a | 3.6V @ 15V, 15a | 585µJ (on), 260µJ (OFF) | 105 NC | 10ns/85ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25GP120BDQ1G | - | ![]() | 1553 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT25GP120 | 기준 | 417 w | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 25A, 5ohm, 15V | Pt | 1200 v | 69 a | 90 a | 3.9V @ 15V, 25A | 500µJ (on), 440µJ (OFF) | 110 NC | 12ns/70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25GP90BG | - | ![]() | 8000 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT25GP90 | 기준 | 417 w | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 25A, 5ohm, 15V | Pt | 900 v | 72 a | 110 a | 3.9V @ 15V, 25A | 370µJ (OFF) | 110 NC | 13ns/55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APL602B2G | 56.9103 | ![]() | 1710 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APL602 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 49A (TC) | 12V | 125mohm @ 24.5a, 12v | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 9000 pf @ 25 v | - | 730W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30M85BVRG | 11.1100 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT30M85 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 40A (TC) | 10V | 85mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 195 NC @ 10 v | ± 30V | 4950 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT35GN120BG | 8.4700 | ![]() | 3180 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT35GN120 | 기준 | 379 w | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 35A, 2.2OHM, 15V | npt, 필드 트렌치 중지 | 1200 v | 94 a | 105 a | 2.1V @ 15V, 35A | 2.315mj (OFF) | 220 NC | 24ns/300ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40GP90BG | 15.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT40GP90 | 기준 | 543 w | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 40A, 5ohm, 15V | Pt | 900 v | 100 a | 160 a | 3.9V @ 15V, 40A | 825µJ (OFF) | 145 NC | 16ns/75ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT40GP90JDQ2 | 40.0700 | ![]() | 3260 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | APT40GP90 | 284 w | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | Pt | 900 v | 64 a | 3.9V @ 15V, 40A | 350 µA | 아니요 | 3.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | APT50GN60BG | 5.3400 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | apt50gn60 | 기준 | 366 w | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 50A, 4.3OHM, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 107 a | 150 a | 1.85V @ 15V, 50A | 1185µJ (on), 1565µJ (OFF) | 325 NC | 20ns/230ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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