전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4416A | 74.1300 | ![]() | 2906 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | 300MW | To-72 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4416A | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 35 v | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 15 v | 2.5 v @ 1 na | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6500 | 30.5250 | ![]() | 3411 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 35 W. | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6500 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 v | 4 a | - | PNP | 1.5V @ 300µA, 3MA | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5620 | 74.1300 | ![]() | 6697 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 58 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5620 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | - | PNP | 1.5V @ 500µA, 2.5MA | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5389 | 519.0900 | ![]() | 7084 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 175 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5389 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 7 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5663 | 23.8800 | ![]() | 7573 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5663 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 2 a | 200na | NPN | 800mv @ 400ma, 2a | 25 @ 500ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6033 | 129.5850 | ![]() | 3432 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 140 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6033 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 40 a | 10MA | NPN | 1V @ 4A, 40A | 10 @ 40a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N2907AUB/TR | - | ![]() | 2767 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-msr2n2907aub/tr | 100 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | mx2n5116ub/tr | 87.0884 | ![]() | 7004 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n5116ub/tr | 100 | p 채널 | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 v | 1 v @ 1 na | 175 옴 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSD2N2369AUBC/TR | 252.7000 | ![]() | 6779 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2369aubc/tr | 50 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2484UBC/TR | 34.6800 | ![]() | 3307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2n2484ubc/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 60 v | 50 MA | 2NA | NPN | 300mv @ 100µa, 1ma | 250 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170AM11CT3AG | 536.8700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1.14kW (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170AM11CT3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 240A (TC) | 11.3MOHM @ 120A, 20V | 3.2v @ 10ma | 712NC @ 20V | 13200pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DUM31CTBL1NG | 166.2400 | ![]() | 3045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 310W | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DUM31CTBL1NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 1200V | 79a | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 1MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DDUM16CTBL3NG | - | ![]() | 2647 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 560W | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DDUM16CTBL3NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널, 채널 소스 | 1200V | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 2MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170AM058CD3AG | 1.0000 | ![]() | 6340 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1.642kW (TC) | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170AM058CD3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 353A (TC) | 7.5mohm @ 180a, 20V | 3.3v @ 15ma | 1068NC @ 20V | 19800pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170TAM15CTPAG | 1.0000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 843W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170TAM15CTPAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 179a (TC) | 15mohm @ 90a, 20V | 3.2v @ 7.5ma | 534NC @ 20V | 9900pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSCGLQ100A65TG | 100.3500 | ![]() | 5903 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | MSCGLQ | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCGLQ100A65TG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCGLQ75DDU120CTBL3NG | 321.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCGLQ | 470 W. | 기준 | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCGLQ75DDU120CTBL3NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 | - | 1200 v | 160 a | 2.4V @ 15V, 75A | 50 µA | 예 | 4.4 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DHM31CTBL2NG | 185.2400 | ![]() | 2760 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 310W | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DHM31CTBL2NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 1200V | 79a | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 1MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2C3637-MSCL | 7.3650 | ![]() | 3596 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3637-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4311 | 14.6400 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4311 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
JANSM2N3700 | 32.9802 | ![]() | 2006 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N3700 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5633 | 74.1300 | ![]() | 8599 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 150 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5633 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N2907AUB | - | ![]() | 3334 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSR2N2907AUB | 100 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MQ2N4091UB | 81.2497 | ![]() | 6682 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MQ2N4091UB | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N498S | 21.1350 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N498S | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2907AUBP | 16.0500 | ![]() | 2382 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2907AUBP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 1ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
JANSD2N2906A | 99.9500 | ![]() | 8581 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSD2N2906A | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3762 | 8.4600 | ![]() | 3657 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3762 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2907aubc | 23.3282 | ![]() | 8211 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2907aubc | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2992 | 27.6600 | ![]() | 3883 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2992 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 1 a | - | PNP | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고