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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JAN2N5237S Microchip Technology JAN2N5237S 16.4787
RFQ
ECAD 1156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/394 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N5237 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 120 v 10 a 10µA NPN 2.5V @ 1A, 10A 40 @ 5a, 5V -
JANSD2N3635UB Microchip Technology JANSD2N3635UB 147.1604
RFQ
ECAD 9152 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 1.5 w ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 10V -
JANTXV2N3636L Microchip Technology jantxv2n3636L 14.3906
RFQ
ECAD 4627 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3636 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
JANSL2N3636L Microchip Technology JANSL2N3636L -
RFQ
ECAD 5151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
APT60M75L2LLG Microchip Technology APT60M75L2LLG 50.6400
RFQ
ECAD 1545 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT60M75 MOSFET (금속 (() 264 MAX ™ [L2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 73A (TC) 10V 75mohm @ 36.5a, 10V 5V @ 5MA 195 NC @ 10 v ± 30V 8930 pf @ 25 v - 893W (TC)
JANTXV2N6689 Microchip Technology jantxv2n6689 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/537 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TA) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 3 w To-61 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 100 µa 100µA NPN 5V @ 5a, 15a 15 @ 1a, 3v -
JANTXV2N6353 Microchip Technology jantxv2n6353 -
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/472 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2N6353 2 w TO-66 (TO-213AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 150 v 5 a - npn-달링턴 2.5V @ 10MA, 5A 1000 @ 5a, 5V -
2N3750 Microchip Technology 2N3750 273.7050
RFQ
ECAD 5930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 ~ 111-4,- 30 w ~ 111 - 영향을받지 영향을받지 150-2N3750 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 5 a - NPN - - -
JANTXV2N3637 Microchip Technology jantxv2n3637 13.8320
RFQ
ECAD 5192 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N3637 1 W. To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
2N2432AUB/TR Microchip Technology 2N2432AUB/TR 20.3850
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-2N2432AUB/TR 귀 99 8541.21.0095 100 45 v 100 MA 10NA NPN 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 1ma, 5V -
JANTX2N2218A Microchip Technology jantx2n2218a 9.6292
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N2218 800MW TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
JANTX2N3440UA Microchip Technology jantx2n3440ua -
RFQ
ECAD 3027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 800MW UA - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 250 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
JANS2N3762L Microchip Technology JANS2N3762L -
RFQ
ECAD 5200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/396 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 1.5 a 100µA (ICBO) PNP 900mv @ 100ma, 1a 40 @ 500ma, 1V -
APTGF25H120T1G Microchip Technology APTGF25H120T1G -
RFQ
ECAD 3563 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP1 208 w 기준 SP1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 NPT 1200 v 40 a 3.7V @ 15V, 25A 250 µA 1.65 NF @ 25 v
2N5958 Microchip Technology 2N5958 519.0900
RFQ
ECAD 7901 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 175 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5958 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 20 a - PNP - - -
JANSF2N2369A Microchip Technology JANSF2N2369A 126.4602
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2369A 360 MW TO-18 (TO-206AA) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 15 v 400 NA 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
JANTXV2N4033UA Microchip Technology jantxv2n4033ua 110.1905
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/512 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 500MW UA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V -
2N3620 Microchip Technology 2N3620 30.6450
RFQ
ECAD 1313 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 7.5 w TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N3620 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 2.5 a - PNP - - -
2N6437 Microchip Technology 2N6437 72.8175
RFQ
ECAD 2635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 TO-3 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 25 a - PNP - - -
APT20M11JVR Microchip Technology APT20M11JVR 72.3300
RFQ
ECAD 8308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT20M11 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 175A (TC) 10V 11mohm @ 500ma, 10V 4V @ 5MA 180 NC @ 10 v ± 30V 21600 pf @ 25 v - 700W (TC)
2N5873 Microchip Technology 2N5873 41.7354
RFQ
ECAD 1476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N5873 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
JANSD2N3634UB/TR Microchip Technology JANSD2N3634UB/TR -
RFQ
ECAD 5268 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 1 W. ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
JANTX2N2920L Microchip Technology jantx2n2920l -
RFQ
ECAD 5548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/355 대부분 sic에서 중단되었습니다 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N2920 350MW To-78-6 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
89100-02TXV Microchip Technology 89100-02TXV -
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 TO-66 (TO-213AA) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - - - - -
JANTX2N3498L Microchip Technology Jantx2N3498L 15.1088
RFQ
ECAD 1068 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3498 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 40 @ 150ma, 10V -
JANHCC2N3501 Microchip Technology JANHCC2N3501 9.4962
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-JANHCC2N3501 귀 99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
2N6380 Microchip Technology 2N6380 836.8360
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-211MB, TO-63-4, 스터드 250 W. To-63 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 50 a - PNP - - -
JANTX2N3499U4 Microchip Technology jantx2n3499u4 -
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U4 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 500 MA 50NA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 100 @ 150ma, 10V -
JANTX2N3637L Microchip Technology Jantx2N3637L 11.9700
RFQ
ECAD 5636 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3637 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
2N5631 Microchip Technology 2N5631 74.1300
RFQ
ECAD 6430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 200 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5631 귀 99 8541.29.0095 1 140 v 16 a - PNP - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고