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![]() | jantxv2n3636L | 14.3906 | ![]() | 4627 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3636 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
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![]() | jantxv2n4033ua | 110.1905 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/512 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 500MW | UA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3620 | 30.6450 | ![]() | 1313 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 7.5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3620 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 2.5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
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![]() | APT20M11JVR | 72.3300 | ![]() | 8308 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT20M11 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 175A (TC) | 10V | 11mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 5MA | 180 NC @ 10 v | ± 30V | 21600 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||
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![]() | 89100-02TXV | - | ![]() | 6225 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2N3498L | 15.1088 | ![]() | 1068 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3498 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
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![]() | jantx2n3499u4 | - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2N3637L | 11.9700 | ![]() | 5636 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3637 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5631 | 74.1300 | ![]() | 6430 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5631 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 16 a | - | PNP | - | - | - |
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