RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (5714)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	저항 -rds (on)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	전류 전류 (ID) - 최대
NSC1163	-	RFQ	2147	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인								-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-NSC1163			1
apt6010jll	39.8500	RFQ	9820	마이크로 마이크로 기술	Power MOS 7®	튜브	활동적인		섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT6010	MOSFET (금속 (()		ISOTOP®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	600 v	47A (TC)		100mohm @ 23.5a, 10V	5V @ 2.5MA	150 nc @ 10 v		6710 pf @ 25 v	-
2N5633	74.1300	RFQ	8599	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			150 W.	TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5633	귀 99	8541.29.0095	1													120 v	10 a				-		PNP	-	-	-
2N498S	21.1350	RFQ	8721	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인								-			영향을받지 영향을받지	150-2N498S			1
2N5663	23.8800	RFQ	7573	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			1 W.	TO-5AA	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5663	귀 99	8541.29.0095	1													300 v	2 a				200na		NPN	800mv @ 400ma, 2a	25 @ 500ma, 5V	-
JANSM2N3810L	198.9608	RFQ	2842	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/336	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N3810		350MW	To-78-6	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSM2N3810L			1													60V	50ma				10µA (ICBO)		2 PNP (()	250mv @ 100µa, 1ma	150 @ 1ma, 5V	-
2N5678	613.4700	RFQ	4921	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-	스터드 스터드	TO-211MB, TO-63-4, 스터드			175 w	To-63	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5678	귀 99	8541.29.0095	1													100 v	10 a				-		PNP	-	-	-
2N6033	129.5850	RFQ	3432	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			140 W.	TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N6033	귀 99	8541.29.0095	1													120 v	40 a				10MA		NPN	1V @ 4A, 40A	10 @ 40a, 2v	-
JANSP2N3637ub/tr	147.3102	RFQ	4734	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			1 W.	ub	-			영향을받지 영향을받지	150-jansp2n3637ub/tr			50													175 v	1 a				10µA		PNP	600mv @ 5ma, 50ma	100 @ 50MA, 10V	-
JANTX2N3584	221.9700	RFQ	1821	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/384	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2	2N3584		2.5 w	TO-66 (TO-213AA)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1													250 v	2 a				5MA		NPN	750mv @ 125ma, 1a	25 @ 1a, 10V	-
2N5683	105.4158	RFQ	3043	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3	2N5683		300 w	TO-204AD (TO-3)	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1													60 v	50 a				5µA		NPN	5V @ 10A, 50A	30 @ 5a, 2v	-
MX2N4092	69.2531	RFQ	6441	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/431	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			360 MW	TO-18 (TO-206AA)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1		n 채널	40 v							16pf @ 20V					40 v	15 ma @ 20 v			50 옴
JANSD2N3636	-	RFQ	4409	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/357	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	TO-39 (TO-205AD)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50													175 v	10 µA				10µA		PNP	600mv @ 5ma, 50ma	50 @ 50MA, 10V	-
2N5615	74.1300	RFQ	8564	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			58 W.	TO-204AD (TO-3)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5615	귀 99	8541.29.0095	1													80 v	5 a				-		PNP	1.5V @ 500µA, 2.5MA	-	-
JANS2N3764U4	-	RFQ	6762	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/396	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음			500MW	U4	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1													40 v	1.5 a				10µA (ICBO)		PNP	900mv @ 100ma, 1a	30 @ 1a, 1.5v	-
JAN2N2945A	192.2900	RFQ	8910	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/382	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AB, to-46-3 금속 캔	2N2945		400MW	To-46	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1													20 v	100 MA				10µA (ICBO)		PNP	-	70 @ 1ma, 500mv	-
2N2609	11.4114	RFQ	4430	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N2609		300MW	TO-18 (TO-206AA)	다운로드			영향을받지 영향을받지	2N2609ms	귀 99	8541.21.0095	1		p 채널								10pf @ 5V					30 v	2 ma @ 5 v	750 mv @ 1 a							10 MA
APT6017JFLL	50.4100	RFQ	8146	마이크로 마이크로 기술	Power MOS 7®	튜브	활동적인		섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT6017	MOSFET (금속 (()		ISOTOP®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	600 v	31A (TC)		170mohm @ 15.5a, 10V	5V @ 2.5MA	100 nc @ 10 v		4500 pf @ 25 v	-
JANSP2N3810	198.9608	RFQ	6656	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500 /336	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N3810		350MW	To-78-6	-			영향을받지 영향을받지	150-JANSP2N3810			1													60V	50ma				10µA (ICBO)		2 PNP (()	250mv @ 100µa, 1ma	150 @ 1ma, 5V	-
MSCSM70DUM025AG	623.4600	RFQ	1110	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	MSCSM70	실리콘 실리콘 (sic)	1882W (TC)	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-MSCSM70DUM025AG	귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스		700V	689A (TC)		3.2mohm @ 240a, 20V	2.4V @ 24MA	1290NC @ 20V		27000pf @ 700V	-
JANS2N3500L	54.3900	RFQ	7369	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/366	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			1 W.	To-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1													150 v	300 MA				10µA (ICBO)		NPN	400mv @ 15ma, 150ma	40 @ 150ma, 10V	-
APT20M38BVRG	13.3000	RFQ	2588	마이크로 마이크로 기술	MOS V®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	APT20M38	MOSFET (금속 (()		TO-247 [B]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	200 v	67A (TC)	10V	38mohm @ 500ma, 10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 v	± 30V	6120 pf @ 25 v	-	370W (TC)
2N2060	34.8327	RFQ	8653	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N206		600MW	To-78-6	-			영향을받지 영향을받지	2N2060ms	귀 99	8541.21.0095	1													60V	500ma				10µA (ICBO)		2 NPN (()	300mv @ 5ma, 50ma	50 @ 10ma, 5V	-
Jan2n918ub	22.4105	RFQ	5698	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/301	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD,,	2N918		200 MW		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1													15 v	50 MA				1µA (ICBO)		NPN	400mv @ 1ma, 10ma	20 @ 3ma, 1v	-
JAN2N3763L	-	RFQ	8203	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/396	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			1 W.	TO-5AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1													60 v	1.5 a				100µA (ICBO)		PNP	900mv @ 100ma, 1a	40 @ 500ma, 1V	-
JANKCBR2N2222A	-	RFQ	8789	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			500MW	TO-18	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jankcbr2n2222a	귀 99	8541.21.0095	1													50 v	800 MA				50NA		NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	-
2N2432	79.6670	RFQ	6966	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N2432		300MW	TO-18 (TO-206AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1													30 v	100 MA				10NA		NPN	-	80 @ 1ma, 5V	-
HS2369A	-	RFQ	1372	마이크로 마이크로 기술	*	대부분	활동적인				HS2369				-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	1
jantx2n4150s	9.9883	RFQ	7540	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/394	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔	2N4150		1 W.	TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1													70 v	10 a				10µA		NPN	2.5V @ 1A, 10A	40 @ 5a, 5V	-
2N5597	43.0350	RFQ	8538	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			20 W.	TO-66 (TO-213AA)	-			영향을받지 영향을받지	150-2N5597	귀 99	8541.29.0095	1													60 v	2 a				-		PNP	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (5714)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²