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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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ARF465AG | 61.8200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 1200 v | TO-247-3 | ARF465 | 40.68MHz | MOSFET | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 6A | 150W | 15db | - | 300 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SG2813L | - | ![]() | 8399 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-Clcc | SG2813 | - | 20-CLCC (8.89x8.89) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-SG2813L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 50V | 600ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.9V @ 600µA, 500MA | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N3636UB | - | ![]() | 1740 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 1.5 w | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VN1206L-G-P002 | 1.7200 | ![]() | 2576 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | VN1206 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 120 v | 230ma (TJ) | 2.5V, 10V | 6ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 30V | 125 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | VN2210N3-G | 2.4900 | ![]() | 4642 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | VN2210 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 1.2A (TJ) | 5V, 10V | 350mohm @ 4a, 10V | 2.4V @ 10MA | ± 20V | 500 pf @ 25 v | - | 740MW (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 2N4309 | 14.6400 | ![]() | 7136 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1.5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4309 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3762U4 | 145.3500 | ![]() | 7286 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 10 W. | U4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3762U4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 100NA | PNP | 50MV @ 50MA, 500MA | 40 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N5004 | - | ![]() | 2699 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/534 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 2 w | To-59 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 50 µA | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6989u | 85.8116 | ![]() | 5257 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/559 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N6989 | 1W | 6-SMD | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 800ma | 10NA (ICBO) | 4 PNP (() | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
jantxv2n2904a | 13.3532 | ![]() | 8864 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/290 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N2904 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 10µA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3771 | 291.2000 | ![]() | 1906 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/518 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 6 w | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 MA | 5MA | NPN | 4V @ 6A, 30A | 15 @ 15a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C2946A | 11.7173 | ![]() | 1908 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C2946A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5575 | 164.2200 | ![]() | 1127 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5575 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3507al | 17.7023 | ![]() | 2840 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/349 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3507 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 3 a | - | NPN | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 30 @ 1.5A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6213 | - | ![]() | 1998 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/461 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 3 w | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 5 MA | 5MA | PNP | 2V @ 125MA, 1A | 30 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n1484 | 214.3960 | ![]() | 7547 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/180 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-233AA, TO-8-3 금속 캔 | 1.75 w | TO-8 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 v | 3 a | 15µA | NPN | 1.20v @ 75ma, 750a | 20 @ 750ma, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n333a | - | ![]() | 1607 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6338 | 131.1247 | ![]() | 6300 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/509 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 50 µA | 50µA | NPN | 1.8V @ 2.5A, 25A | 30 @ 10a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3439ua/tr | 187.4236 | ![]() | 3445 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3439ua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2919L | 35.8302 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2919 | 350MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
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![]() | 2N697S | 14.5901 | ![]() | 9025 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N697 | 600MW | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 10µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 90025-03TX | - | ![]() | 4336 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 100 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C1482 | 22.4700 | ![]() | 3159 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C1482 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2102 | 27.3182 | ![]() | 2997 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | To-5 | - | 영향을받지 영향을받지 | 2N2102ms | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 65 v | 1 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5152U3 | 120.0750 | ![]() | 3133 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U3 (SMD-0.5) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5152U3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N5745 | 36.8302 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/433 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 5 w | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 100 µa | 100µA | PNP | 1V @ 1A, 10A | 15 @ 10a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MIC94051BM4 TR | - | ![]() | 2495 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Symfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | MOSFET (금속 (() | SOT-143 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 6 v | 1.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 160mohm @ 100ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 6V | 600 pf @ 5.5 v | - | 568MW (TA) | ||||||||||||||||||||
aptm50am38ftg | 159.4300 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | 694W | SP4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 500V | 90A | 45mohm @ 45a, 10V | 5V @ 5MA | 246NC @ 10V | 11200pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5683 | 105.4158 | ![]() | 3043 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N5683 | 300 w | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 50 a | 5µA | NPN | 5V @ 10A, 50A | 30 @ 5a, 2v | - |
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