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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 2N3868S | 10.9459 | ![]() | 5214 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 2N3868 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 3 MA | 100µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 30 @ 1.5A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL90DSK120T3G | 84.9500 | ![]() | 1136 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGL90 | 385 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중 이중 헬기 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 110 a | 2.25V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 4.4 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4959ub | 82.5000 | ![]() | 7655 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4959UB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantx2n2222aua/tr | 22.3440 | ![]() | 3420 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2222 | 650 MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50DAM19G | 200.7200 | ![]() | 1400 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 163A (TC) | 10V | 22.5mohm @ 81.5a, 10V | 5V @ 10MA | 492 NC @ 10 v | ± 30V | 22400 pf @ 25 v | - | 1136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TN0610N3-G-P013 | 1.0500 | ![]() | 2151 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0610 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 500MA (TJ) | 3V, 10V | 1.5ohm @ 750ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6689 | - | ![]() | 4394 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/537 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 3 w | To-61 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 100 µa | 100µA | NPN | 5V @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6691 | - | ![]() | 1616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/538 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 3 w | To-61 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 15 a | 1MA (ICBO) | NPN | 1V @ 3A, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | APT58M50J | 32.5300 | ![]() | 6417 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT58M50 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 58A (TC) | 10V | 65mohm @ 42a, 10V | 5V @ 2.5MA | 340 nc @ 10 v | ± 30V | 13500 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | JANSR2N5151U3 | 229.9812 | ![]() | 7770 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1.16 w | U3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSR2N5151U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantx2n5796u | - | ![]() | 6715 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/496 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5796 | 600MW | 6-SMD | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600ma | 10NA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantx2n5154u3 | 153.6682 | ![]() | 5721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
APT8030LVRG | 23.4800 | ![]() | 6618 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT8030 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 27A (TC) | 300mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 510 nc @ 10 v | 7900 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | JANTX2N1717 | - | ![]() | 5957 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
MSC035SMA070S | 15.9800 | ![]() | 3045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | MSC035 | sicfet ((카바이드) | d3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 60 | n 채널 | 700 v | 65A (TC) | 20V | 44mohm @ 30a, 20V | 2.7v @ 1ma | 99 NC @ 20 v | +23V, -10V | 2010 pf @ 700 v | - | 206W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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JAN2N2945A | 192.2900 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/382 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 2N2945 | 400MW | To-46 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 MA | 10µA (ICBO) | PNP | - | 70 @ 1ma, 500mv | - |
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