전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS2N2920U/TR | 153.9408 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N2920 | 350MW | 6-SMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N2920U/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||
Jankca2n5238 | 37.2533 | ![]() | 2010 년 년 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/394 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankca2n5238 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 170 v | 10 a | 10µA | NPN | 2.5V @ 1A, 10A | 50 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2222AUB/TR | 146.9710 | ![]() | 3677 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSF2N2222AUB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
jantx2n4033ub/tr | 25.9350 | ![]() | 5360 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/512 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 500MW | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n4033ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | MV2N4856ub/tr | 80.6379 | ![]() | 1056 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mv2n4856ub/tr | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5153 | 8.7381 | ![]() | 3216 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5153 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n5416u4/tr | - | ![]() | 5956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/485 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n5416u4/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 1 a | 1MA | PNP | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
JANHCC2N5153 | 25.8685 | ![]() | 2748 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCC2N5153 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSD2N3501UB/TR | 94.4906 | ![]() | 1920 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n3501ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSD2N3439UA | - | ![]() | 2668 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSD2N3439UA | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N3440UA | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N3440UA | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2906aua/tr | 29.7388 | ![]() | 1017 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2906 | 500MW | 4-SMD | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2906aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70DUM025AG | 623.4600 | ![]() | 1110 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1882W (TC) | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70DUM025AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 700V | 689A (TC) | 3.2mohm @ 240a, 20V | 2.4V @ 24MA | 1290NC @ 20V | 27000pf @ 700V | - | ||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DUM11T3AG | 310.6600 | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1067W (TC) | SP3F | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DUM11T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 1200V (1.2kv) | 254A (TC) | 10.4mohm @ 120a, 20V | 2.8V @ 3MA | 696NC @ 20V | 9060pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||
![]() | MSC080SMA330B4 | 138.0600 | ![]() | 5428 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | MSC080 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC080SMA330B4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 3300 v | 41A (TC) | 20V | 105mohm @ 30a, 20V | 2.97V @ 3MA | 55 NC @ 20 v | +23V, -10V | 3462 pf @ 2400 v | - | 381W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2N3498U4/tr | 135.3150 | ![]() | 4480 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3498U4/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 500 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N2221AUBC/TR | 231.9816 | ![]() | 9224 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2221aubc/tr | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n3250aub/tr | - | ![]() | 2694 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/323 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3250aub/tr | 50 | 60 v | 200 MA | 20NA | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2222AUBP/TR | 12.4488 | ![]() | 2150 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N2222AUBP/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | mx2n5114ub | 86.9288 | ![]() | 9470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n5114ub | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 30 ma @ 18 v | 5 v @ 1 na | 75 옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5322E3 | 20.1300 | ![]() | 5537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 10 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5322E3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 v | 2 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||
jantxv2n3700p | 16.5053 | ![]() | 8233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3700p | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2878 | 255.5700 | ![]() | 2977 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 30 w | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2878 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||
JANS2N3507A | 70.3204 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N3507A | 1 | 50 v | 3 a | 1µA | NPN | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 35 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||
JANKCBF2N3440 | - | ![]() | 4326 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbf2n3440 | 100 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5970 | 129.5850 | ![]() | 9040 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 85 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5970 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 15 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N4902 | 50.9250 | ![]() | 1284 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 87.5 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4902 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6187 | 287.8650 | ![]() | 4924 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 60 W. | To-59 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6187 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||
JANKCCD2N3501 | - | ![]() | 2984 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccd2n3501 | 100 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4225 | 14.3550 | ![]() | 1280 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4225 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | - | NPN | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고