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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JAN2N1486 Microchip Technology JAN2N1486 186.7320
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/207 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-233AA, TO-8-3 금속 캔 2N1486 1.75 w TO-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 55 v 3 a 15µA NPN 750mv @ 40ma, 750a 35 @ 750MA, 4V -
2N3498U4/TR Microchip Technology 2N3498U4/tr 135.3150
RFQ
ECAD 4480 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U4 - 영향을받지 영향을받지 150-2N3498U4/tr 귀 99 8541.29.0095 100 100 v 500 MA 50NA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 40 @ 150ma, 10V -
JAN2N6987 Microchip Technology JAN2N6987 47.8534
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/558 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 2N6987 1.5W 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60V 600ma 10µA (ICBO) 4 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2C3999 Microchip Technology 2C3999 26.8050
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2C3999 1
JAN2N5671 Microchip Technology Jan2n5671 152.8436
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/488 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N5671 6 w TO-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 90 v 30 a 10MA NPN 5V @ 6A, 30A 20 @ 20A, 5V -
2N5665 Microchip Technology 2N5665 29.0472
RFQ
ECAD 4825 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2N5665 2.5 w TO-66 (TO-213AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 5 a 200na NPN 1V @ 1A, 5A 25 @ 1a, 5V -
JANTX2N1714 Microchip Technology JANTX2N1714 -
RFQ
ECAD 7746 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 To-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 60 v 750 MA - NPN - - -
JANKCDM2N5154 Microchip Technology jankcdm2n5154 -
RFQ
ECAD 6656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcdm2n5154 100 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANTXV2N2218AL Microchip Technology jantxv2n2218al 9.6159
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N2218 800MW To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
JANTX2N3741U4 Microchip Technology jantx2n3741u4 -
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/441 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 25 W. U4 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 1.25ma, 1a 30 @ 250ma, 1V -
JANTXV2N5679 Microchip Technology jantxv2n5679 26.9059
RFQ
ECAD 2769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/582 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N5679 1 W. To-39 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 1 a 10µA PNP 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 250ma, 2v -
JAN2N5152U3 Microchip Technology JAN2N5152U3 344.9887
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANTXV2N6277 Microchip Technology jantxv2n6277 247.9918
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/514 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 250 W. TO-3 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 150 v 50 µA 50µA NPN 3V @ 10a, 50a 30 @ 20A, 4V -
JAN2N6052 Microchip Technology JAN2N6052 48.6115
RFQ
ECAD 7551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/501 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3 2N6052 150 W. TO-3 (TO-204AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 12 a 1MA pnp- 달링턴 3V @ 120ma, 12a 1000 @ 6A, 3V -
JANTX2N3499U4/TR Microchip Technology jantx2n3499u4/tr -
RFQ
ECAD 6180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U4 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx2N3499U4/tr 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 500 MA 50NA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 100 @ 150ma, 10V -
2N5151U3 Microchip Technology 2N5151U3 85.8382
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1.16 w U3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANTX2N2218AL Microchip Technology jantx2n2218al 8.7780
RFQ
ECAD 7189 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N2218 800MW To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
JANSD2N3634L Microchip Technology JANSD2N3634L -
RFQ
ECAD 8520 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
JANS2N3499 Microchip Technology JANS2N3499 54.3900
RFQ
ECAD 1436 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 100 @ 150ma, 10V -
JANS2N3501L Microchip Technology JANS2N3501L 63.4204
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
JANSL2N3635UB/TR Microchip Technology JANSL2N3635ub/tr 147.3102
RFQ
ECAD 4007 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 1.5 w ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 10V -
JANSL2N3440UA Microchip Technology JANSL2N3440UA -
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 800MW UA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansl2N3440UA 귀 99 8541.21.0095 1 250 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
APT24M80S Microchip Technology APT24M80S 11.7000
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB APT24M80 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 25A (TC) 10V 390mohm @ 12a, 10V 5V @ 1MA 150 nc @ 10 v ± 30V 4595 pf @ 25 v - 625W (TC)
2N6378 Microchip Technology 2N6378 192.4776
RFQ
ECAD 7445 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 250 W. TO-3 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 50 a - PNP - - -
VN2410L-G-P014 Microchip Technology VN2410L-G-P014 0.9800
RFQ
ECAD 5317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 VN2410 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 240 v 190ma (TJ) 2.5V, 10V 10ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 125 pf @ 25 v - 1W (TC)
JANSD2N2222AUA Microchip Technology JANSD2N2222AUA 158.4100
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 650 MW UA - 영향을받지 영향을받지 150-jansd2n2222aua 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANTXV2N6678T1 Microchip Technology jantxv2n6678t1 -
RFQ
ECAD 3884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) TO-254 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 400 v 15 a - NPN - - -
JAN2N918UB Microchip Technology Jan2n918ub 22.4105
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/301 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD,, 2N918 200 MW 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 15 v 50 MA 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 1ma, 10ma 20 @ 3ma, 1v -
JAN2N697S Microchip Technology JAN2N697S -
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/99 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 600MW TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
2N3739 Microchip Technology 2N3739 39.5010
RFQ
ECAD 2340 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 20 W. TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 1 a 100µA (ICBO) NPN 2.5V @ 25MA, 250ma 25 @ 250ma, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고