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![]() | jantx2n2218al | 8.7780 | ![]() | 7189 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N2218 | 800MW | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||
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![]() | JANSL2N3635ub/tr | 147.3102 | ![]() | 4007 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 1.5 w | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 10V | - | ||||||||||||||||
![]() | JANSL2N3440UA | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N3440UA | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||
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![]() | VN2410L-G-P014 | 0.9800 | ![]() | 5317 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | VN2410 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 240 v | 190ma (TJ) | 2.5V, 10V | 10ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 125 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||
![]() | JANSD2N2222AUA | 158.4100 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2222aua | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6678t1 | - | ![]() | 3884 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | TO-254 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 400 v | 15 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | Jan2n918ub | 22.4105 | ![]() | 5698 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/301 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD,, | 2N918 | 200 MW | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1ma, 10ma | 20 @ 3ma, 1v | - | |||||||||||||||
JAN2N697S | - | ![]() | 3834 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/99 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 600MW | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 10µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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