SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
APT1003RSFLLG Microchip Technology APT1003RSFLLG 11.9700
RFQ
ECAD 8472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT1003 MOSFET (금속 (() D3 [S] - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 4A (TC) 3ohm @ 2a, 10V 5V @ 1MA 34 NC @ 10 v 694 pf @ 25 v -
JAN2N3418S Microchip Technology JAN2N3418S 16.5053
RFQ
ECAD 6436 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/393 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N3418 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 5µA NPN 500mv @ 200ma, 2a 20 @ 1a, 2v -
JAN2N3735L Microchip Technology JAN2N3735L 8.5918
RFQ
ECAD 8993 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/395 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3735 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 1.5 a 10µA (ICBO) NPN 900mv @ 100ma, 1a 20 @ 1a, 1.5v -
MIC94053YC6TR Microchip Technology MIC94053YC6TR -
RFQ
ECAD 8558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 귀 99 8542.39.0001 676 p 채널 6 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 84mohm @ 100ma, 4.5v 1.2V @ 250µA -6V - 270MW (TA)
JANTX2N2946AUB Microchip Technology jantx2n2946aub -
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/382 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 400MW ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 35 v 100 MA 10µA (ICBO) PNP - 50 @ 1ma, 500mv -
2N5681 Microchip Technology 2N5681 20.6416
RFQ
ECAD 6685 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N5681 1 W. To-39 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 1 a 10µA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 250ma, 2v -
JAN2N2369AUB Microchip Technology Jan2n2369aub 17.1570
RFQ
ECAD 5447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2369 360 MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 20 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
2N5151 Microchip Technology 2N5151 26.0015
RFQ
ECAD 7813 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/545 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N5151 1 W. To-39 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
APT50GLQ65JU2 Microchip Technology APT50GLQ65JU2 -
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 220 w 기준 ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 100 헬리콥터를 헬리콥터를 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 2.3V @ 15V, 50A 50 µA 아니요 3.1 NF @ 25 v
2C5665 Microchip Technology 2C5665 16.8000
RFQ
ECAD 7683 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2C5665 1
JAN2N6299P Microchip Technology Jan2n6299p 36.8144
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 64 w TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 150-JAN2N6299P 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500µA pnp- 달링턴 2V @ 80MA, 8A 750 @ 4a, 3v -
JANTXV2N2432UB Microchip Technology jantxv2n2432ub -
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 30 v 100 MA - NPN - - -
2N6187 Microchip Technology 2N6187 287.8650
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-210AA, TO-59-4, 스터드 60 W. To-59 - 영향을받지 영향을받지 150-2N6187 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - PNP - - -
MV2N4859 Microchip Technology MV2N4859 57.2964
RFQ
ECAD 3496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/385 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 MV2N4859 360 MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 18pf @ 10V 30 v 175 ma @ 15 v 10 V @ 500 PA 25 옴
2N3737UB/TR Microchip Technology 2N3737ub/tr 17.5161
RFQ
ECAD 8741 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2N3737ub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 1.5 a 10µA (ICBO) NPN 900mv @ 100ma, 1a 20 @ 1a, 1.5v -
2C5339JS Microchip Technology 2C5339JS 19.2450
RFQ
ECAD 5584 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2C5339JS 1
JANS2N3763U4 Microchip Technology JANS2N3763U4 -
RFQ
ECAD 5719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/396 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U4 - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 1.5 a 10µA (ICBO) PNP 900mv @ 100ma, 1a 20 @ 1a, 1.5v -
JANKCCH2N3498 Microchip Technology jankcch2n3498 -
RFQ
ECAD 7464 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcch2n3498 100 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 40 @ 150ma, 10V -
2N5318 Microchip Technology 2N5318 519.0900
RFQ
ECAD 4895 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 87 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5318 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 10 a - PNP - - -
APTMC120AM12CT3AG Microchip Technology APTMC120AM12CT3AG -
RFQ
ECAD 2704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTMC120 실리콘 실리콘 (sic) 925W SP3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 220A (TC) 12MOHM @ 150A, 20V 2.4V @ 30MA (유형) 483NC @ 20V 8400pf @ 1000V -
2N5970 Microchip Technology 2N5970 129.5850
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 85 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5970 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 15 a - NPN - - -
MVR2N2222AUB/TR Microchip Technology MVR2N2222AUB/TR 29.9649
RFQ
ECAD 4535 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-MVR2N2222AUB/TR 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANSP2N5004 Microchip Technology JANSP2N5004 -
RFQ
ECAD 6145 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/534 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-210AA, TO-59-4, 스터드 2 w To-59 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 50 µA 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANSD2N3636 Microchip Technology JANSD2N3636 -
RFQ
ECAD 4409 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
JANTXV2N6383 Microchip Technology jantxv2n6383 69.1068
RFQ
ECAD 2879 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/523 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N6383 6 w TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 10 a 1MA npn-달링턴 3V @ 100MA, 10A 1000 @ 5a, 3v -
JANKCDL2N5154 Microchip Technology jankcdl2n5154 -
RFQ
ECAD 1129 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcdl2n5154 100 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
APT1001R6BFLLG Microchip Technology APT1001R6BFLLG 27.0100
RFQ
ECAD 7029 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT1001 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 8A (TC) 10V 1.6ohm @ 4a, 10V 5V @ 1MA 55 NC @ 10 v ± 30V 1320 pf @ 25 v - 266W (TC)
VN2460N3-G Microchip Technology VN2460N3-G 1.5000
RFQ
ECAD 628 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN2460 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 160MA (TJ) 4.5V, 10V 20ohm @ 100ma, 10V 4V @ 2MA ± 20V 150 pf @ 25 v - 1W (TA)
JANTX2N2920U Microchip Technology jantx2n2920U 52.3089
RFQ
ECAD 9632 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/355 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N2920 350MW 6-SMD - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
JANTX2N3500 Microchip Technology jantx2n3500 10.6932
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N3500 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고