전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | JAN2N5151U3 | 134.4763 | ![]() | 8242 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1.16 w | U3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSH2N2907AUBC | 342.7406 | ![]() | 3956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSH2N2907AUBC | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n5682 | 26.9059 | ![]() | 2944 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/583 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 10 µA | 10µA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 250ma, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSF2N3700 | 34.9902 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N3700 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT34F60B | 13.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT34F60 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 36A (TC) | 10V | 210mohm @ 17a, 10V | 5V @ 1MA | 165 NC @ 10 v | ± 30V | 6640 pf @ 25 v | - | 624W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5667 | 30.4304 | ![]() | 8512 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N5667 | 1.2 w | To-5 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 5 a | 200na | NPN | 1V @ 1A, 5A | 25 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCP87090T-U/MF | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCP87090 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n 채널 | 25 v | 64A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 10v | 1.7V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | +10V, -8V | 580 pf @ 12.5 v | - | 2.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
2N3506 | 12.8877 | ![]() | 2041 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 500 MA | - | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 1.5a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC080SMA330B4 | 138.0600 | ![]() | 5428 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | MSC080 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC080SMA330B4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 3300 v | 41A (TC) | 20V | 105mohm @ 30a, 20V | 2.97V @ 3MA | 55 NC @ 20 v | +23V, -10V | 3462 pf @ 2400 v | - | 381W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5050 | 27.1187 | ![]() | 7770 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5050 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5805 | 59.6106 | ![]() | 3356 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 62 w | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661 | 15.9000 | ![]() | 6582 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | MOSFET (금속 (() | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N6661MC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 90 v | 350MA (TJ) | 5V, 10V | 4ohm @ 1a, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 24 v | - | 6.25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
jantx2n2906a | 4.2294 | ![]() | 8670 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2906 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5967 | 613.4700 | ![]() | 2643 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 220 w | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5967 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 40 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6301 | 29.8984 | ![]() | 7858 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/539 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 75 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 500 µA | 500µA | npn-달링턴 | 3v @ 80ma, 8a | 750 @ 4a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2726 | 15.9600 | ![]() | 7293 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2726 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 500 MA | - | NPN | 2V @ 40MA, 200MA | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6213 | - | ![]() | 4384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/461 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 3 w | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 5 MA | 5MA | PNP | 2V @ 125MA, 1A | 30 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N1724 | - | ![]() | 4048 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/262 | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 3 w | To-61 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 300 µA | 300µA | NPN | 600mv @ 200ma, 2a | 30 @ 2a, 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
APT56M50L | 11.5900 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT56M50 | MOSFET (금속 (() | TO-264 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 56A (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5V @ 2.5MA | 220 NC @ 10 v | ± 30V | 8800 pf @ 25 v | - | 780W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2907AUB/TR | 146.9710 | ![]() | 2254 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2907 | 500MW | 3-smd | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansf2n2907aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
APT102GA60L | 14.5900 | ![]() | 7167 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT102 | 기준 | 780 W. | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 62A, 4.7OHM, 15V | Pt | 600 v | 183 a | 307 a | 2.5V @ 15V, 62A | 1.354mj (on), 1.614mj (OFF) | 294 NC | 28ns/212ns | |||||||||||||||||||||||||||||
JANSL2N2222AL | 98.5102 | ![]() | 9533 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5151U3 | 85.8382 | ![]() | 4433 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1.16 w | U3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N3439UA | - | ![]() | 7969 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 350 v | 2 µA | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70TLM07CAG | 741.9300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 966W (TC) | SP6C | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70TLM07CAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (3 채널 인버터) | 700V | 349A (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2.4V @ 12mA | 645NC @ 20V | 13500pf @ 700V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n3725ub | - | ![]() | 7802 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 500 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2905AE3 | 11.3715 | ![]() | 9268 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1 µA | 1µA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N3700UB | 40.5702 | ![]() | 5097 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 쟁반 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N3700 | 500MW | ub | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4301 | 547.4100 | ![]() | 6825 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 87 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4301 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICPB1020-1-110I | - | ![]() | 7143 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 상자 | 활동적인 | 28 v | 표면 표면 | 주사위 | 14GHz | 간 간 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 | - | 8a | 1 a | 100W | 7.4dB | - | 28 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
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