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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 입력 입력 (ciss) (max) @ vds 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2C5582 Microchip Technology 2C5582 22.4700
RFQ
ECAD 7767 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C5582 1
2C5157 Microchip Technology 2C5157 32.8350
RFQ
ECAD 1195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C5157 1
2N6062 Microchip Technology 2N6062 613.4700
RFQ
ECAD 3466 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-211MB, TO-63-4, 스터드 150 W. To-63 영향을받지 영향을받지 150-2N6062 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 50 a - PNP - - -
JANSL2N2907AUA Microchip Technology JANSL2N2907AUA 155.8004
RFQ
ECAD 9333 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 500MW UA 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n2907aua 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
MV2N5115UB Microchip Technology mv2n5115ub 95.6403
RFQ
ECAD 7313 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mv2n5115ub 1 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 15 ma @ 15 v 3 v @ 1 na 100 옴
2C6213 Microchip Technology 2C6213 53.9850
RFQ
ECAD 4704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C6213 1
JANSP2N5154 Microchip Technology JANSP2N5154 95.9904
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N5154 1 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
2N5467 Microchip Technology 2N5467 65.4300
RFQ
ECAD 8034 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 140 W. TO-204AD (TO-3) 영향을받지 영향을받지 150-2N5467 귀 99 8541.29.0095 1 400 v 3 a - PNP - - -
2N3487 Microchip Technology 2N3487 547.4100
RFQ
ECAD 2341 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 115 w To-61 영향을받지 영향을받지 150-2N3487 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 7.5 a - PNP - - -
JANSL2N2906AUBC Microchip Technology JANSL2N2906AUBC 305.9206
RFQ
ECAD 4259 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n2906aubc 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
R2N2920A Microchip Technology R2N2920A 61.5923
RFQ
ECAD 1501 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N2920 350MW To-78-6 영향을받지 영향을받지 150-R2N2920A 귀 99 8541.21.0095 1 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
JANSP2N5152 Microchip Technology JANSP2N5152 95.9904
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N5152 1 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANKCCP2N3500 Microchip Technology JANKCCP2N3500 -
RFQ
ECAD 9551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-JANKCCP2N3500 100 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
MQ2N5115UB Microchip Technology mq2n5115ub 75.6238
RFQ
ECAD 9875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub 영향을받지 영향을받지 150-mq2n5115ub 1 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 15 ma @ 15 v 3 v @ 1 na 100 옴
JANSD2N4449 Microchip Technology JANSD2N4449 129.0708
RFQ
ECAD 7893 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 500MW To-46 영향을받지 영향을받지 150-JANSD2N4449 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
2C5667 Microchip Technology 2C5667 22.3050
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C5667 1
2N5116UA Microchip Technology 2N5116UA 62.9550
RFQ
ECAD 6823 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 500MW UA 영향을받지 영향을받지 150-2N5116UA 1 p 채널 30 v 27pf @ 15V 30 v 5 ma @ 15 v 1 v @ 1 na 175 옴
2N5575 Microchip Technology 2N5575 164.2200
RFQ
ECAD 1127 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2N5575 1
JANSP2N5152L Microchip Technology JANSP2N5152L 98.9702
RFQ
ECAD 3886 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. TO-5AA 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N5152L 1 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
2N2219E3 Microchip Technology 2N2219E3 10.4100
RFQ
ECAD 5367 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) 영향을받지 영향을받지 150-2N2219E3 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2C6059 Microchip Technology 2C6059 33.2700
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C6059 1
2C3902-MSCL Microchip Technology 2C3902-MSCL 37.0050
RFQ
ECAD 5078 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C3902-MSCL 1
2N6581 Microchip Technology 2N6581 110.9100
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 125 w TO-204AD (TO-3) 영향을받지 영향을받지 150-2N6581 귀 99 8541.29.0095 1 450 v 10 a - PNP 1.5V @ 500µA, 3MA - -
JAN2N6299P Microchip Technology Jan2n6299p 36.8144
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 64 w TO-66 (TO-213AA) 영향을받지 영향을받지 150-JAN2N6299P 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500µA pnp- 달링턴 2V @ 80MA, 8A 750 @ 4a, 3v -
JANSP2N2369AUBC Microchip Technology JANSP2N2369AUBC 252.5510
RFQ
ECAD 8742 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW UBC 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N2369AUBC 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
2C5665 Microchip Technology 2C5665 16.8000
RFQ
ECAD 7683 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 영향을받지 영향을받지 150-2C5665 1
MVR2N2222AUBC/TR Microchip Technology MVR2N2222AUBC/TR 40.0197
RFQ
ECAD 7184 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC 영향을받지 영향을받지 150-MVR2N2222AUBC/TR 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANTX2N2920U/TR Microchip Technology jantx2n2920u/tr 52.4552
RFQ
ECAD 8444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 /355 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N2920 350MW 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n2920U/tr 100 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
JANSP2N2221AUBC/TR Microchip Technology JANSP2N2221AUBC/TR 231.9816
RFQ
ECAD 9187 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N2221AUBC/TR 50 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N5794UC/TR Microchip Technology 2N5794UC/TR 83.0850
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N5794 600MW UC 영향을받지 영향을받지 150-2N5794UC/TR 귀 99 8541.21.0095 100 40V 600ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 900mv @ 30ma, 300ma 100 @ 150ma, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고