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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSR2N2222AUBC/TR | 249.9203 |  | 4205 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSR2N2222AUBC/TR | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3599 | 547.4100 | | 8172 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 100 W. | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3599 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 20 a | - | NPN | 500mv @ 1ma, 10ma | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3013 | 31.9050 | | 9348 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3013 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM170HM23CT3AG | 593.4100 | | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 602W (TC) | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170HM23CT3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 브리지) | 1700V (1.7kv) | 124A (TC) | 22.5mohm @ 60a, 20V | 3.2V @ 5mA | 356NC @ 20V | 6600pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||
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| 0912gn-15ep | - | | 8741 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | EP | 대부분 | 활동적인 | 150 v | 기준 기준 | 960MHz ~ 1.215GHz | - | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-0912Gn-15ep | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 10 MA | 19W | 18.1db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N2369AUBC/TR | 252.7000 | | 6779 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2369aubc/tr | 50 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | MX2N5114 | 77.5922 | | 1927 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N5114 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 90 ma @ 18 v | 10 V @ 1 na | 75 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
| msr2n3501ub/tr | 103.9200 | | 3008 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | mx2n4861ub/tr | 68.9206 | | 2529 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/385 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4861ub/tr | 100 | n 채널 | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 8 ma @ 15 v | 800 mV @ 500 PA | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n3055 | - | | 8675 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/407 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3 | 2N3055 | 6 w | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 70 v | 15 a | 1MA | NPN | 2V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | APTC60TAM24TPG | 351.5525 | | 9432 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Coolmos ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 462W | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 600V | 95A | 24mohm @ 47.5a, 10V | 3.9V @ 5MA | 300NC @ 10V | 14400pf @ 25v | 슈퍼 슈퍼 | ||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N333T2 | - | | 4800 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 10 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2905AE3 | 11.3715 | | 9268 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1 µA | 1µA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
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| 2N2906AUB/TR | 8.6982 | | 9119 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2906 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2906AUB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC750SMA170B | 5.4400 | | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MSC750 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC750SMA170B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 90 | n 채널 | 1700 v | 7A (TC) | 20V | 940mohm @ 2.5a, 20V | 3.25v @ 100µa (타이핑) | 11 NC @ 20 v | +23V, -10V | 184 pf @ 1360 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | jantxv2n3735L | - | | 6902 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/395 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3735 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | NPN | 900mv @ 100ma, 1a | 20 @ 1a, 1.5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3499ub/tr | 28.1250 | | 2187 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3499ub/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2986 | 27.6600 | | 4691 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2986 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 3 a | - | PNP | 1.25V @ 400µA, 1mA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| jankcap2n3634 | - | | 7703 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcap2n3634 | 100 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT44F80B2 | 22.5900 | | 9224 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT44F80 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 47A (TC) | 10V | 24A, 10V 210mohm | 5V @ 2.5MA | 305 NC @ 10 v | ± 30V | 9330 pf @ 25 v | - | 1135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | APT66F60L | 21.3400 | | 6813 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT66F60 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 70A (TC) | 10V | 90mohm @ 33a, 10V | 5V @ 2.5MA | 330 nc @ 10 v | ± 30V | 13190 pf @ 25 v | - | 1135W (TC) |
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