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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
APT6017JFLL Microchip Technology APT6017JFLL 50.4100
RFQ
ECAD 8146 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT6017 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 31A (TC) 170mohm @ 15.5a, 10V 5V @ 2.5MA 100 nc @ 10 v 4500 pf @ 25 v -
JANSF2N2369AUA Microchip Technology JANSF2N2369AUA 166.6500
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2369A 360 MW UA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
MQ2N5116UB/TR Microchip Technology mq2n5116ub/tr 75.7701
RFQ
ECAD 2712 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-mq2n5116ub/tr 100 p 채널 30 v 27pf @ 15V 30 v 5 ma @ 15 v 1 v @ 1 na 175 옴
JANTXV2N6211 Microchip Technology jantxv2n6211 -
RFQ
ECAD 3390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/461 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TA) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 3 w TO-66 (TO-213AA) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 225 v 5 MA 5MA PNP 1.4V @ 125MA, 1A 30 @ 1a, 5V -
JANTX2N5153L Microchip Technology jantx2n5153L 45.7653
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N5153 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
TN5325N8-G Microchip Technology TN5325N8-G 0.7800
RFQ
ECAD 4021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-243AA TN5325 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 316MA (TJ) 4.5V, 10V 7ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 110 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
APTGT100H170G Microchip Technology APTGT100H170G 342.6400
RFQ
ECAD 4165 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT100 560 W. 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 150 a 2.4V @ 15V, 100A 350 µA 아니요 9 nf @ 25 v
JANSF2N5153U3 Microchip Technology JANSF2N5153U3 229.9812
RFQ
ECAD 2468 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1.16 w U3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
JANTXV2N3771 Microchip Technology jantxv2n3771 291.2000
RFQ
ECAD 1906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/518 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 6 w TO-3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 5 MA 5MA NPN 4V @ 6A, 30A 15 @ 15a, 4v -
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0.9500
RFQ
ECAD 6937 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DN1509N8 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 90 v 360MA (TJ) 0V 6ohm @ 200ma, 0v - ± 20V 150 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.6W (TA)
JANSM2N3635 Microchip Technology JANSM2N3635 129.5906
RFQ
ECAD 7661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
MIC94031YM4-TR Microchip Technology MIC94031YM4-TR -
RFQ
ECAD 8930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 tinyfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA MIC94031 MOSFET (금속 (() SOT-143 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 16 v 1A (TA) 2.7V, 10V 450mohm @ 100ma, 10V 1.4V @ 250µA 16V 100 pf @ 12 v - 568MW (TA)
2N2102 Microchip Technology 2N2102 27.3182
RFQ
ECAD 2997 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 5 w To-5 - 영향을받지 영향을받지 2N2102ms 귀 99 8541.29.0095 1 65 v 1 a - PNP - - -
2N5732 Microchip Technology 2N5732 77.3850
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 75 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5732 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 20 a - NPN - - -
JAN2N930UB Microchip Technology Jan2n930ub -
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/253 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N930 ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 45 v 30 MA - NPN - - -
JANSL2N2906AUB Microchip Technology JANSL2N2906AUB 148.2202
RFQ
ECAD 6032 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n2906aub 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
ARF475FL Microchip Technology ARF475FL 150.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 500 v - ARF475 128MHz MOSFET - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 10A 15 MA 900W 16db - 150 v
2N5317 Microchip Technology 2N5317 519.0900
RFQ
ECAD 2781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 87 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5317 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - PNP - - -
JAN2N2906AUA Microchip Technology Jan2n2906aua 22.8893
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2906 500MW 4-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
APT25GP90BDQ1G Microchip Technology APT25GP90BDQ1G -
RFQ
ECAD 3982 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT25GP90 기준 417 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 40A, 4.3OHM, 15V Pt 900 v 72 a 110 a 3.9V @ 15V, 25A 370µJ (OFF) 110 NC 13ns/55ns
JAN2N3700UB Microchip Technology JAN2N3700UB -
RFQ
ECAD 5623 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/391 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N3700 500MW 3-UB (2.9x2.2) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 50 @ 500ma, 10V -
JANS2N5796U Microchip Technology JANS2N5796U 456.8900
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/496 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N5796 600MW 6-SMD - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 600ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JAN2N3501UB Microchip Technology Jan2n3501ub 17.5826
RFQ
ECAD 9247 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N3501 500MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
JANTX2N2484UA Microchip Technology jantx2n2484ua 20.4687
RFQ
ECAD 5684 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/376 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2484 360 MW UA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 50 MA 2NA NPN 300mv @ 100µa, 1ma 225 @ 10ma, 5V -
JAN2N3467 Microchip Technology JAN2N3467 -
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/348 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 1.2v @ 100ma, 1a 40 @ 500ma, 1V -
APT10045LLLG Microchip Technology APT10045LLLG 26.5800
RFQ
ECAD 4617 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT10045 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 23A (TC) 450mohm @ 11.5a, 10V 5V @ 2.5MA 154 NC @ 10 v 4350 pf @ 25 v -
2N4912 Microchip Technology 2N4912 19.9101
RFQ
ECAD 1028 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 25 W. TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 4 a - PNP - - -
JANTX2N3767 Microchip Technology jantx2n3767 26.4005
RFQ
ECAD 1333 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/518 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2N3767 25 W. TO-66 (TO-213AA) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 4 a 500µA NPN 2.5V @ 100MA, 1A 40 @ 500ma, 5V -
2N6340 Microchip Technology 2N6340 67.2980
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N6340 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
MSC080SMA120J Microchip Technology MSC080SMA120J 28.8000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MSC080 sicfet ((카바이드) SOT-227 (ISOTOP®) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 691-MSC080SMA120J 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 37A (TC) - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고