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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 2C3741-PI | 24.1650 | ![]() | 6829 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3741-PI | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ARF476FL | 158.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | 500 v | - | ARF476 | 128MHz | MOSFET | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 10A | 15 MA | 900W | 16db | - | 150 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | apt30m30jll | 40.1200 | ![]() | 2490 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT30M30 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 88A (TC) | 30mohm @ 44a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140 NC @ 10 v | 7030 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APL602J | 89.2900 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APL602 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 43A (TC) | 12V | 125mohm @ 21.5a, 12v | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 9000 pf @ 25 v | - | 565W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GT120JU2 | 38.3400 | ![]() | 2179 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | APT100 | 480 W. | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 140 a | 2.1V @ 15V, 100A | 5 MA | 아니요 | 7.2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3660 | 30.6450 | ![]() | 3634 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3660 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 30 v | 1.5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n3735L | - | ![]() | 6902 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/395 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3735 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | NPN | 900mv @ 100ma, 1a | 20 @ 1a, 1.5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3498U4/TR | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N3498U4/TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3440 | 13.1800 | ![]() | 199 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3440 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N3440ms | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MNSKC2N2222A | 8.6051 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MnSKC2N2222A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214GN-1220V | - | ![]() | 1159 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | 125 v | 표면 표면 | 55-QQ | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 헴 | 55-QQ | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1214GN-120V | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 30 MA | 130W | 17.16dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2920u/tr | 58.0678 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N2920 | 350MW | 6-SMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2920u/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2369aub | 26.5335 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2369 | 400MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6061 | 613.4700 | ![]() | 8708 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 262 W. | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6061 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 50 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5631 | 74.1300 | ![]() | 6430 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5631 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 16 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n3725ub/tr | - | ![]() | 5034 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N3725ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 500 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5010JVFR | 41.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT5010 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 44A (TC) | 100mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 470 nc @ 10 v | 8900 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2605ub/tr | 81.6300 | ![]() | 7588 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 100 | 60 v | 30 MA | 10NA | PNP | 300MV @ 500µA, 10MA | 150 @ 500µa, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT35GT120JU2 | 24.4800 | ![]() | 6514 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | APT35GT120 | 260 W. | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 55 a | 2.1V @ 15V, 35A | 5 MA | 아니요 | 2.53 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx2n3735L | 9.5494 | ![]() | 4193 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/395 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3735 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA | NPN | 900mv @ 100ma, 1a | 20 @ 1a, 1.5v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1716 | 20.3850 | ![]() | 9613 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N1716 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT100MC120JCU2 | - | ![]() | 6199 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT100 | sicfet ((카바이드) | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 143A (TC) | 20V | 17mohm @ 100a, 20V | 2.3V @ 2mA | 360 NC @ 20 v | +25V, -10V | 5960 pf @ 1000 v | - | 600W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n7369 | - | ![]() | 3655 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/621 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | 115 w | TO-254 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 MA | 5MA | PNP | 1V @ 500MA, 5A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5671 | 55.8334 | ![]() | 6665 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N5671 | 6 w | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 v | 30 a | 10MA | NPN | 5V @ 6A, 30A | 20 @ 20A, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT60GT60BRG | 14.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Thunderbolt IGBT® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT60GT60 | 기준 | 500 W. | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | NPT | 600 v | 100 a | 360 a | 2.5V @ 15V, 60A | 3.4mj | 275 NC | 26NS/395NS | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSH2N2218AL | 283.9200 | ![]() | 9370 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 800MW | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansh2n2218al | 1 | 50 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt30tl601g | 56.5400 | ![]() | 5616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTGT30 | 90 W. | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 30A | 250 µA | 아니요 | 1.6 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5346 | 287.8650 | ![]() | 7094 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 60 W. | To-59 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5346 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 7 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50M75JLLU3 | 32.1100 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT50M75 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 51A (TC) | 10V | 75mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 1MA | 123 NC @ 10 v | ± 30V | 5590 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N336ALT2 | - | ![]() | 1424 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 10 MA | - | NPN | - | - | - |
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