SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANTX2N3741U4 Microchip Technology jantx2n3741u4 -
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/441 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 25 W. U4 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 1.25ma, 1a 30 @ 250ma, 1V -
2N5389 Microchip Technology 2N5389 519.0900
RFQ
ECAD 7084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 175 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5389 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 7 a - NPN - - -
MX2N5114UB Microchip Technology mx2n5114ub 86.9288
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-mx2n5114ub 1 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 30 ma @ 18 v 5 v @ 1 na 75 옴
MV2N5115UB Microchip Technology mv2n5115ub 95.6403
RFQ
ECAD 7313 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-mv2n5115ub 1 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 15 ma @ 15 v 3 v @ 1 na 100 옴
2N4416A Microchip Technology 2N4416A 74.1300
RFQ
ECAD 2906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 300MW To-72 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-2N4416A 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 35 v 4pf @ 15V 35 v 5 ma @ 15 v 2.5 v @ 1 na
APTGT300DA170D3G Microchip Technology APTGT300DA170D3G 269.3100
RFQ
ECAD 3890 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 D-3 모듈 APTGT300 1470 w 기준 D3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1700 v 530 a 2.4V @ 15V, 300A 8 MA 아니요 26 NF @ 25 v
MSCSM70AM07CT3AG Microchip Technology MSCSM70AM07CT3AG 362.4800
RFQ
ECAD 4277 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 988W (TC) SP3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70AM07CT3AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 700V 353A (TC) 6.4mohm @ 120a, 20V 2.4V @ 12mA 645NC @ 20V 13500pf @ 700V -
MV2N5116 Microchip Technology MV2N5116 -
RFQ
ECAD 6422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 MV2N5116 500MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 27pf @ 15V 30 v 25 ma @ 15 v 6 V @ 1 na 100 옴
APT9M100S Microchip Technology APT9M100 5.9400
RFQ
ECAD 448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT9M100 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT9M100 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 9A (TC) 10V 1.4ohm @ 5a, 10V 5V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 30V 2605 pf @ 25 v - 335W (TC)
JANSH2N2221AUBC/TR Microchip Technology JANSH2N2221AUBC/TR 275.7620
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC - 영향을받지 영향을받지 150-jansh2n2221aubc/tr 50 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N498S Microchip Technology 2N498S 21.1350
RFQ
ECAD 8721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2N498S 1
MSC017SMA120J Microchip Technology MSC017SMA120J 66.3200
RFQ
ECAD 8076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) MSC017 sicfet ((카바이드) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MSC017SMA120J 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1200 v 88A (TC) 20V 22mohm @ 40a, 20V 2.7V @ 4.5MA (유형) 249 NC @ 20 v +23V, -10V 5280 pf @ 1000 v 278W (TC)
2C5667 Microchip Technology 2C5667 22.3050
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2C5667 1
2N3629 Microchip Technology 2N3629 509.6550
RFQ
ECAD 6682 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 30 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N3629 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 5 a - PNP - - -
2N5667 Microchip Technology 2N5667 30.4304
RFQ
ECAD 8512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N5667 1.2 w To-5 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 5 a 200na NPN 1V @ 1A, 5A 25 @ 1a, 5V -
2N5683 Microchip Technology 2N5683 105.4158
RFQ
ECAD 3043 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N5683 300 w TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 50 a 5µA NPN 5V @ 10A, 50A 30 @ 5a, 2v -
JANTXV2N2218AL Microchip Technology jantxv2n2218al 9.6159
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N2218 800MW To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
2N3506 Microchip Technology 2N3506 12.8877
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 500 MA - NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 1.5a, 2v -
JAN2N6298 Microchip Technology JAN2N6298 29.8984
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/540 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2N6298 64 w TO-66 (TO-213AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 8 a 500µA pnp- 달링턴 2V @ 80MA, 8A 750 @ 4a, 3v -
MSCSM170AM039CT6AG Microchip Technology MSCSM170AM039CT6AG 1.0000
RFQ
ECAD 8001 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM170 실리콘 실리콘 (sic) 2.4kW (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM170AM039CT6AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1700V (1.7kv) 523A (TC) 5MOHM @ 270A, 20V 3.3v @ 22.5ma 1602NC @ 20V 29700pf @ 1000V -
JANKCBR2N2221A Microchip Technology jankcbr2n2221a -
RFQ
ECAD 3208 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcbr2n2221a 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
2N5239 Microchip Technology 2N5239 50.5950
RFQ
ECAD 2418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5239 1
JANTX2N4150S Microchip Technology jantx2n4150s 9.9883
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/394 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N4150 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 70 v 10 a 10µA NPN 2.5V @ 1A, 10A 40 @ 5a, 5V -
JANTX2N2920 Microchip Technology jantx2n2920 36.3090
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/355 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N2920 350MW To-78-6 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
APT75GN60BDQ2G Microchip Technology APT75GN60BDQ2G 10.1200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT75GN60 기준 536 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT75GN60BDQ2G 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 1ohm, 15V 25 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 155 a 225 a 1.85V @ 15V, 75A 2.5mj (on), 2.14mj (OFF) 485 NC 47ns/385ns
MSC750SMA170B4 Microchip Technology MSC750SMA170B4 5.6100
RFQ
ECAD 137 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSC750SMA170B4 귀 99 8541.29.0095 90 n 채널 1700 v 7A (TC) 20V 940mohm @ 2.5a, 20V 3.25v @ 100µa (타이핑) 11 NC @ 20 v +23V, -10V 184 pf @ 1360 v - 68W (TC)
2N1490 Microchip Technology 2N1490 58.8900
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 75 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N1490 귀 99 8541.29.0095 1 55 v 6 a 25µA (ICBO) NPN 3v @ 300ma, 1.5a 25 @ 1.5A, 4V -
JANKCCH2N3498 Microchip Technology jankcch2n3498 -
RFQ
ECAD 7464 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcch2n3498 100 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 40 @ 150ma, 10V -
MSCSM120DDUM31CTBL2NG Microchip Technology MSCSM120DDUM31CTBL2NG 296.3200
RFQ
ECAD 5418 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 310W - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120DDUM31CTBL2NG 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널, 채널 소스 1200V 79a 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 1MA 232NC @ 20V 3020pf @ 1000V -
2N6437 Microchip Technology 2N6437 72.8175
RFQ
ECAD 2635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 TO-3 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 25 a - PNP - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고