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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | jantx2n3741u4 | - | ![]() | 4418 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/441 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 25 W. | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 1.25ma, 1a | 30 @ 250ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5389 | 519.0900 | ![]() | 7084 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 175 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5389 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 7 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mx2n5114ub | 86.9288 | ![]() | 9470 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n5114ub | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 30 ma @ 18 v | 5 v @ 1 na | 75 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mv2n5115ub | 95.6403 | ![]() | 7313 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mv2n5115ub | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 15 ma @ 15 v | 3 v @ 1 na | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4416A | 74.1300 | ![]() | 2906 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | 300MW | To-72 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4416A | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 35 v | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 15 v | 2.5 v @ 1 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT300DA170D3G | 269.3100 | ![]() | 3890 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | APTGT300 | 1470 w | 기준 | D3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 530 a | 2.4V @ 15V, 300A | 8 MA | 아니요 | 26 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70AM07CT3AG | 362.4800 | ![]() | 4277 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 988W (TC) | SP3F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70AM07CT3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 700V | 353A (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2.4V @ 12mA | 645NC @ 20V | 13500pf @ 700V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
MV2N5116 | - | ![]() | 6422 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | MV2N5116 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 25 ma @ 15 v | 6 V @ 1 na | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APT9M100 | 5.9400 | ![]() | 448 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT9M100 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT9M100 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 9A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 5a, 10V | 5V @ 1MA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2605 pf @ 25 v | - | 335W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSH2N2221AUBC/TR | 275.7620 | ![]() | 3093 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansh2n2221aubc/tr | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N498S | 21.1350 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N498S | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC017SMA120J | 66.3200 | ![]() | 8076 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | MSC017 | sicfet ((카바이드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC017SMA120J | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 1200 v | 88A (TC) | 20V | 22mohm @ 40a, 20V | 2.7V @ 4.5MA (유형) | 249 NC @ 20 v | +23V, -10V | 5280 pf @ 1000 v | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5667 | 22.3050 | ![]() | 6816 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5667 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3629 | 509.6550 | ![]() | 6682 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 30 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3629 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5667 | 30.4304 | ![]() | 8512 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N5667 | 1.2 w | To-5 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 5 a | 200na | NPN | 1V @ 1A, 5A | 25 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5683 | 105.4158 | ![]() | 3043 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N5683 | 300 w | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 50 a | 5µA | NPN | 5V @ 10A, 50A | 30 @ 5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n2218al | 9.6159 | ![]() | 3307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N2218 | 800MW | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
2N3506 | 12.8877 | ![]() | 2041 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 500 MA | - | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 40 @ 1.5a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6298 | 29.8984 | ![]() | 6443 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/540 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N6298 | 64 w | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 8 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2V @ 80MA, 8A | 750 @ 4a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170AM039CT6AG | 1.0000 | ![]() | 8001 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 2.4kW (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM170AM039CT6AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 523A (TC) | 5MOHM @ 270A, 20V | 3.3v @ 22.5ma | 1602NC @ 20V | 29700pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
jankcbr2n2221a | - | ![]() | 3208 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbr2n2221a | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5239 | 50.5950 | ![]() | 2418 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5239 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx2n4150s | 9.9883 | ![]() | 7540 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/394 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N4150 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 v | 10 a | 10µA | NPN | 2.5V @ 1A, 10A | 40 @ 5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n2920 | 36.3090 | ![]() | 7721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2920 | 350MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75GN60BDQ2G | 10.1200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT75GN60 | 기준 | 536 w | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT75GN60BDQ2G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75A, 1ohm, 15V | 25 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 155 a | 225 a | 1.85V @ 15V, 75A | 2.5mj (on), 2.14mj (OFF) | 485 NC | 47ns/385ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC750SMA170B4 | 5.6100 | ![]() | 137 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC750SMA170B4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 90 | n 채널 | 1700 v | 7A (TC) | 20V | 940mohm @ 2.5a, 20V | 3.25v @ 100µa (타이핑) | 11 NC @ 20 v | +23V, -10V | 184 pf @ 1360 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1490 | 58.8900 | ![]() | 9306 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 75 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N1490 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 v | 6 a | 25µA (ICBO) | NPN | 3v @ 300ma, 1.5a | 25 @ 1.5A, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
jankcch2n3498 | - | ![]() | 7464 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcch2n3498 | 100 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DDUM31CTBL2NG | 296.3200 | ![]() | 5418 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 310W | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DDUM31CTBL2NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널, 채널 소스 | 1200V | 79a | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 1MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6437 | 72.8175 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | TO-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 25 a | - | PNP | - | - | - |
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