전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MV2N4860UB | 80.4916 | ![]() | 5752 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | MV2N4860 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 89100-01TXV | - | ![]() | 3166 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2907AUB/TR | 59.7504 | ![]() | 8029 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2907 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansr2n2907aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 1ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2920A | 40.3050 | ![]() | 6360 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2920 | 350MW | To-78-6 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2920A | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n7371 | - | ![]() | 4507 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/623 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | 100 W. | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 12 a | 1MA | pnp- 달링턴 | 3V @ 120ma, 12a | 1000 @ 6A, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N3501UB | 95.2600 | ![]() | 7274 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n2945aub/tr | 434.6922 | ![]() | 3371 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/382 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 400MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n2945aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 MA | 10µA (ICBO) | PNP | - | 70 @ 1ma, 500mv | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT14F100B | 7.8300 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT14F100 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 14A (TC) | 10V | 980mohm @ 7a, 10V | 5V @ 1MA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 3965 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5672-MSCL | 172.3800 | ![]() | 6981 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5672-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT10050LVFRG | 25.4100 | ![]() | 4620 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT10050 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 21A (TC) | 500mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 500 NC @ 10 v | 7900 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10021JFLL | 101.2000 | ![]() | 9513 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT10021 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 37A (TC) | 10V | 210mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 5MA | 395 NC @ 10 v | ± 30V | 9750 pf @ 25 v | - | 694W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APT6029BFLLG | 13.3100 | ![]() | 7677 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT6029 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q9302744 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 290mohm @ 10.5a, 10V | 5V @ 1MA | 65 nc @ 10 v | 2615 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5782 | 16.9974 | ![]() | 4192 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5782 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10025JVFR | 91.7110 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT10025 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q11965606 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 34A (TC) | 250mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 5MA | 990 NC @ 10 v | 18000 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||
APT100GN120J | 37.5100 | ![]() | 5815 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT100 | 446 w | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 153 a | 2.1V @ 15V, 100A | 100 µa | 아니요 | 6.5 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N3810U | 262.3106 | ![]() | 5377 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/336 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N3810 | 350MW | 유 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N3810U | 1 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4240 | 39.9133 | ![]() | 1742 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N4240 | 35 W. | To-66 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 v | 2 a | 5MA | NPN | 1V @ 75MA, 750MA | 30 @ 750MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3741A | 24.1650 | ![]() | 4360 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3741A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT400U170D4G | 316.5100 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | D4 | APTGT400 | 2080 w | 기준 | D4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 800 a | 2.4V @ 15V, 400A | 1 MA | 아니요 | 33 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
2N2432 | 79.6670 | ![]() | 6966 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2432 | 300MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 100 MA | 10NA | NPN | - | 80 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 0912GN-650V | - | ![]() | 1594 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 다섯 | 대부분 | 활동적인 | 150 v | 표면 표면 | 55kr | 960MHz ~ 1.215GHz | 헴 | 55kr | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-0912GN-650V | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 100 MA | 650W | 18db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1724 | 377.5200 | ![]() | 5359 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 3 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N1724 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 300µA | NPN | 600mv @ 200ma, 2a | 30 @ 2a, 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
APT50M50L2LLG | 37.7300 | ![]() | 1849 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT50M50 | MOSFET (금속 (() | 264 MAX ™ [L2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 89A (TC) | 50mohm @ 44.5a, 10V | 5V @ 5MA | 200 nc @ 10 v | 10550 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C2432 | 6.9150 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C2432 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5729 | 28.1250 | ![]() | 5471 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5729 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | PNP | 1.5V @ 500µA, 2MA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
JANSL2N2907A | 99.0906 | ![]() | 5767 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2907a | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100DAM90G | 230.0917 | ![]() | 9653 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 78A (TC) | 10V | 105mohm @ 39a, 10V | 5V @ 10MA | 744 NC @ 10 v | ± 30V | 20700 pf @ 25 v | - | 1250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2218A | 283.9200 | ![]() | 6140 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansh2n2218a | 1 | 50 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT22F100J | 37.1800 | ![]() | 8653 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT22F100 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 23A (TC) | 10V | 380mohm @ 18a, 10V | - | 305 NC @ 10 v | ± 30V | 9835 pf @ 25 v | - | 545W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6301 | 29.8984 | ![]() | 7858 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/539 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 75 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 500 µA | 500µA | npn-달링턴 | 3v @ 80ma, 8a | 750 @ 4a, 3v | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고