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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | mx2n4861ub/tr | 68.9206 | ![]() | 2529 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/385 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4861ub/tr | 100 | n 채널 | 30 v | 18pf @ 10V | 30 v | 8 ma @ 15 v | 800 mV @ 500 PA | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60HM70T3G | 90.1800 | ![]() | 4275 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 600V | 39a | 70mohm @ 39a, 10V | 3.9v @ 2.7ma | 259NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TP0620N3-G | 1.9000 | ![]() | 975 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TP0620 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 200 v | 175MA (TJ) | 5V, 10V | 12ohm @ 200ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
APT40M70LVRG | 22.3000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT40 | MOSFET (금속 (() | TO-264 (L) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT40M70LVRG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 400 v | 57A (TC) | 10V | 70mohm @ 28.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 495 NC @ 10 v | ± 30V | 8890 pf @ 25 v | - | 520W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n335a | - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 10 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT20M18LVFRG | 33.5800 | ![]() | 1315 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT20M18 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 100A (TC) | 18mohm @ 50a, 10V | 4V @ 2.5MA | 330 nc @ 10 v | 9880 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | msr2n3501ub/tr | 103.9200 | ![]() | 3008 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N918 | 160.6802 | ![]() | 2742 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/301 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | 200 MW | To-72 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1ma, 10ma | 20 @ 3ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIC94030YM4TR | - | ![]() | 5977 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | MOSFET (금속 (() | SOT-143 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 16 v | 1A (TA) | 450mohm @ 100ma, 10V | 1.4V @ 250µA | ± 16V | 100 pf @ 12 v | - | 568MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n336a | - | ![]() | 6478 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 10 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MX2N5114 | 77.5922 | ![]() | 1927 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N5114 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 90 ma @ 18 v | 10 V @ 1 na | 75 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214GN-1220V | - | ![]() | 1159 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | 125 v | 표면 표면 | 55-QQ | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 헴 | 55-QQ | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1214GN-120V | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 30 MA | 130W | 17.16dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N1717S | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N329A | 65.1035 | ![]() | 1492 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2905AE3 | 11.3715 | ![]() | 9268 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1 µA | 1µA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3810A | 18.0747 | ![]() | 4540 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 2N3810 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N3810ams | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 0912GN-50LE | - | ![]() | 7718 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 이자형 | 대부분 | 활동적인 | 150 v | 표면 표면 | 55-QQP | 960MHz ~ 1.215GHz | - | 55-QQP | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-0912GN-50LE | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 30 MA | 58W | 15.9dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF150A120TG | - | ![]() | 2111 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP4 | 961 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | NPT | 1200 v | 200a | 3.7V @ 15V, 150A | 350 µA | 예 | 10.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIC94051BM4TR | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | MIC94051 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APL602J | 89.2900 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APL602 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 43A (TC) | 12V | 125mohm @ 21.5a, 12v | 4V @ 2.5MA | ± 30V | 9000 pf @ 25 v | - | 565W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
APT5010B2VRG | 18.4100 | ![]() | 3350 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT5010 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 47A (TC) | 100mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 470 nc @ 10 v | 8900 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTMC120AM12CT3AG | - | ![]() | 2704 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTMC120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 925W | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 220A (TC) | 12MOHM @ 150A, 20V | 2.4V @ 30MA (유형) | 483NC @ 20V | 8400pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6299 | 27.2384 | ![]() | 6463 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N6299 | 64 w | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 8 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2V @ 80MA, 8A | 750 @ 4a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70XM45CTYZBNMG | - | ![]() | 1435 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 실리콘 실리콘 (sic) | 141W (TC), 292W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 700V | 52A (TC), 110A (TC) | 44mohm @ 30a, 20v, 19mohm @ 40a, 20V | 2.7v @ 2ma, 2.4v @ 4ma | 99NC @ 20V, 215NC @ 20V | 2010pf @ 700v, 4500pf @ 700v | 실리콘 실리콘 (sic) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N5684 | 173.7512 | ![]() | 6458 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/466 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N5684 | 300 w | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 a | 5µA | NPN | 5V @ 10A, 50A | 30 @ 5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5412 | 519.0900 | ![]() | 4715 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 100 W. | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5412 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 15 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n3737ub | 16.3856 | ![]() | 5019 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/395 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N3737 | 500MW | 3-UB (2.9x2.2) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | NPN | 900mv @ 100ma, 1a | 20 @ 1a, 1.5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS2N930 | - | ![]() | 6151 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/253 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N930 | 300MW | TO-18 (TO-206AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 30 MA | 2NA | NPN | 1V @ 500µA, 10MA | 100 @ 10µa, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N5339U3 | 97.4491 | ![]() | 9130 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/560 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-276AA | 1 W. | U-3 (TO-276AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 100 µa | 100µA | NPN | 1.2v @ 500ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MQ2N4091UB | 81.2497 | ![]() | 6682 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MQ2N4091UB | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 |
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