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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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JANSM2N2221A | 91.0606 | ![]() | 2766 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2221a | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1716 | 20.3850 | ![]() | 9613 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N1716 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5411 | 287.8650 | ![]() | 9666 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | ~ 111-4,- | 52 W. | ~ 111 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5411 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | - | PNP | 600MV @ 200µA, 2MA | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jankcaf2n3810 | - | ![]() | 5691 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 /336 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N3810 | 350MW | To-78-6 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcaf2n3810 | 100 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n3700p | 16.5053 | ![]() | 8233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3700p | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGL475SK120D3G | 250.4300 | ![]() | 6056 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | APTGL475 | 2080 w | 기준 | D3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 610 a | 2.2V @ 15V, 400A | 5 MA | 아니요 | 24.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N5152L | 98.9702 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N5152L | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
JANSM2N3499 | 41.5800 | ![]() | 4529 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2N3499 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT75DA120TG | 89.6700 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTGT75 | 357 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 5.34 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6251 | - | ![]() | 4409 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6251 | 6 w | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1MA | NPN | 1.5V @ 1.67A, 10A | 6 @ 10a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSA2079 | - | ![]() | 3446 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-NSA2079 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N2222AUBC/TR | 279.2920 | ![]() | 5375 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2222aubc/tr | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3439-MSCL | 10.1850 | ![]() | 5527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3439-MSCL | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60AM45T1G | 67.0800 | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 600V | 49a | 45mohm @ 24.5a, 10V | 3.9V @ 3MA | 150NC @ 10V | 7200pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM02T6LIAG | 1.0000 | ![]() | 9695 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 3.75kW (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120AM02T6LIAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 947A (TC) | 2.6mohm @ 480a, 20V | 2.8V @ 36MA | 2784NC @ 20V | 36200pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||
jankcap2n2369a | - | ![]() | 3304 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcap2n2369a | 100 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF469BG | 70.8500 | ![]() | 1245 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | 500 v | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | ARF469 | 45MHz | MOSFET | TO-264 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 30A | 250 µA | 350W | 16db | - | 150 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3627 | 30.6450 | ![]() | 5236 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 7 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3627 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 2 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3623 | 30.6450 | ![]() | 9502 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 7 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3623 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n5663u3 | 240.4640 | ![]() | 7708 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | U3 (SMD-0.5) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n5663u3 | 1 | 300 v | 2 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
MSR2N3700 | - | ![]() | 9388 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSR2N3700 | 100 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSH2N2369AUB/TR | 357.8820 | ![]() | 1823 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansh2n2369aub/tr | 50 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
JANKCB2N2221A | 63.2149 | ![]() | 2081 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcb2n2221a | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3636L | 11.4646 | ![]() | 3082 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3636 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SG2821J-DESC | - | ![]() | 7302 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 18-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | SG2821 | - | 18-cerdip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-SG2821J-DESC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 21 | 95V | 500ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | 1000 @ 350MA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||
jantxv2n2484 | - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/376 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2484 | 360 MW | TO-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 MA | 2NA | NPN | 300mv @ 100µa, 1ma | 225 @ 10ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
APT6015LVRG | 21.2400 | ![]() | 2124 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT6015 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 38A (TC) | 150mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 475 NC @ 10 v | 9000 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5874 | 41.7354 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5874 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N2906AUBC | 305.9206 | ![]() | 4259 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2906aubc | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5020BVFRG | 10.6100 | ![]() | 6646 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT5020 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 26A (TC) | 200mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 v | 4440 pf @ 25 v | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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