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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 2N5879 | 63.9597 | ![]() | 5061 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5879 | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2920L | 30.6432 | ![]() | 8162 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2920 | 350MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TN2640LG-G | 1.8400 | ![]() | 1019 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TN2640 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n 채널 | 400 v | 260MA (TJ) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 2MA | ± 20V | 225 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||
APTGT100DA60T1G | 48.0105 | ![]() | 3428 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTGT100 | 340 W. | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||
JANSR2N3019S | 129.6708 | ![]() | 4980 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3019 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 50 @ 500ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
JANTX2N4931 | - | ![]() | 7193 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/397 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 200 MA | 250NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 3ma, 30ma | 50 @ 30MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
2N2906A | - | ![]() | 8518 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2906 | 500MW | TO-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2N2906AMS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MSC025SMA120B | 40.1300 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MSC025 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 691-MSC025SMA120B | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 103A (TC) | 20V | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 1MA | 232 NC @ 20 v | +25V, -10V | 3020 pf @ 1000 v | - | 500W (TC) | |||||||||||||||
![]() | jantx2n6300 | 35.8302 | ![]() | 7814 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/539 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 75 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 500 µA | 500µA | npn-달링턴 | 3v @ 80ma, 8a | 750 @ 4a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n6989u | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/559 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-Clcc | 2N6989 | 1W | 20-Clcc | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 800ma | 10µA (ICBO) | 4 NPN (() | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N3738 | 39.5010 | ![]() | 7271 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 20 W. | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 225 v | 1 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5743 | 37.1850 | ![]() | 6829 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 43 W. | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5743 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 20 a | - | PNP | 1.5v @ 1ma, 10ma | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6422 | 27.0655 | ![]() | 3121 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 35 W. | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 2 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N2222AUBC | 187.2500 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2222 | 500MW | 3-smd | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MNS2N3700UB | 13.6500 | ![]() | 7346 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mns2n3700ub | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
JAN2N5152 | 13.6192 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N5152 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6226 | 36.6681 | ![]() | 6605 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 125 w | TO-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 50 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
SG2823J | - | ![]() | 7892 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | - | SG2823 | - | 18-CDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 21 | 95V | 500ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | 1000 @ 350MA, 2V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6690 | - | ![]() | 4075 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/537 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 3 w | To-61 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 v | 100 µa | 100µA | NPN | 5V @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||
jankcal2n3635 | - | ![]() | 4815 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcal2n3635 | 100 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3499L | 12.5818 | ![]() | 9241 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3499 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 1.4V @ 30MA, 300MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
APT20M20LFLLG | 35.6600 | ![]() | 3504 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT20M20 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 100A (TC) | 20mohm @ 50a, 10V | 5V @ 2.5MA | 110 NC @ 10 v | 6850 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||
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JAN2N2905A | 10.0282 | ![]() | 6761 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/290 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N2905 | 800MW | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 1µA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2C5682 | 9.6300 | ![]() | 2220 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5682 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N2906AUBC/TR | 306.0614 | ![]() | 5006 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N2906AUBC/TR | 50 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6383 | 61.5524 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/523 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6383 | 6 w | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 10 a | 1MA | npn-달링턴 | 3V @ 100MA, 10A | 1000 @ 5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n6213 | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/461 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 3 w | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 2 a | 5MA | PNP | 2V @ 125MA, 1A | 30 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | APTM100A13SCG | 355.3600 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | 1250W | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 1000V (1KV) | 65A | 156mohm @ 32.5a, 10V | 5V @ 6MA | 562NC @ 10V | 15200pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3485A | 8.1662 | ![]() | 9542 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/392 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 2N3485 | 400MW | TO-46 (TO-206AB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - |
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