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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | APTGT50H60T1G | 65.4200 | ![]() | 7427 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTGT50 | 176 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.15 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | TN0106N3-G | 1.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0106 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 350MA (TJ) | 4.5V, 10V | 3ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 500µA | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||
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2N5115E3 | 36.3622 | ![]() | 2920 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5115E3 | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 15 ma @ 15 v | 3 v @ 1 na | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mx2n4091ub/tr | 89.2696 | ![]() | 4508 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4091ub/tr | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N2907AUB/TR | 18.8200 | ![]() | 1206 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2907 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n2907aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
JANKCCG2N3499 | - | ![]() | 5272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccg2n3499 | 100 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N4449 | 129.0708 | ![]() | 3789 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N4449 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2604ub/tr | 81.6100 | ![]() | 2058 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 100 | 60 v | 30 MA | 10NA | PNP | 300MV @ 500µA, 10MA | 60 @ 500µa, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N3499L | 41.5800 | ![]() | 1578 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N3499L | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
JANSM2N2221AL | 91.0606 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2221al | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
jantx2n5152 | 13.6192 | ![]() | 7621 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N5152 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MX2N4092UB/TR | 89.2696 | ![]() | 6305 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4092ub/tr | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 15 ma @ 20 v | 50 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5969 | 613.4700 | ![]() | 5628 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 220 w | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5969 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 40 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n918ub/tr | 22.5435 | ![]() | 7914 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/301 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD,, | 200 MW | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N918UB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1ma, 10ma | 20 @ 3ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||||
JANSL2N3440 | 233.7316 | ![]() | 7078 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N3440 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
APT8030LVFRG | 24.0000 | ![]() | 7520 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT8030 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 27A (TC) | 300mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 510 nc @ 10 v | 7900 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||
JANSP2N2906A | 99.9500 | ![]() | 3869 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N2906A | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6323 | 311.4600 | ![]() | 8287 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 350 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6323 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 30 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
MSC040SMA120S | 25.1500 | ![]() | 9242 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | MSC040 | sicfet ((카바이드) | d3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 60 | n 채널 | 1200 v | 64A (TC) | 20V | 50mohm @ 40a, 20V | 2.6V @ 2MA | 137 NC @ 20 v | +23V, -10V | 1990 PF @ 1000 v | - | 303W | |||||||||||||||||||||
![]() | APT5010JVR | 38.7000 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT5010 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 44A (TC) | 100mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 470 nc @ 10 v | 8900 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3485A | - | ![]() | 1972 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 400MW | TO-46 (TO-206AB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT60M75JVR | 82.3510 | ![]() | 3362 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT60M75 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 62A (TC) | 10V | 75mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 v | ± 30V | 19800 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N2369AUB | 149.5006 | ![]() | 3267 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2369aub | 1 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
APT24M120L | 19.0200 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT24M120 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 24A (TC) | 10V | 680mohm @ 12a, 10V | 5V @ 2.5MA | 260 NC @ 10 v | ± 30V | 8370 pf @ 25 v | - | 1040W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200SK60T3AG | 92.6400 | ![]() | 7573 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT200 | 750 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 290 a | 1.9V @ 15V, 200a | 250 µA | 예 | 12.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
APTMC120TAM33CTPAG | - | ![]() | 3876 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTMC120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 370W | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | APTMC120TAM33CTPACC6543 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 1200V (1.2kv) | 78A (TC) | 33mohm @ 60a, 20V | 2.2V @ 3MA (유형) | 148NC @ 20V | 2850pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MKC2N5667 | - | ![]() | 8137 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 1.2 w | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MKC2N5667 | 100 | 300 v | 5 a | 200na | NPN | 400mv @ 600ma, 3a | 25 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5679 | 9.6300 | ![]() | 1804 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C5679 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5739 | 37.1850 | ![]() | 4217 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 35 W. | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5739 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 10 a | - | PNP | - | - | - |
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