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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mx2n4091ub/tr | 89.2696 |  | 4508 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4091ub/tr | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
 | JANS2N2907AUB/TR | 18.8200 | | 1206 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2907 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n2907aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
 | JANS2N5416U4/TR | - | | 3411 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/485 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n5416u4/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 1 a | 1MA | PNP | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
 | JANKCCG2N3499 | - | | 5272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccg2n3499 | 100 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| JANKCCD2N3500 | - | | 6829 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccd2n3500 | 100 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | JANSL2N4449 | 129.0708 | | 3789 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N4449 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n2907aubp/tr | 21.0007 | | 5869 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2907aubp/tr | 100 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 1ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N2604ub/tr | 81.6100 | | 2058 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 100 | 60 v | 30 MA | 10NA | PNP | 300MV @ 500µA, 10MA | 60 @ 500µa, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6678T1 | 299.7155 | | 4218 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N6678 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantxv2n3418 | 21.4263 | | 7997 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/393 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3418 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 a | 5µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 20 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||
 | JANSP2N3499L | 41.5800 | | 1578 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N3499L | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | JANSM2N2221AL | 91.0606 | | 6290 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansm2n2221al | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N5666 | 104.1002 | | 8421 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/455 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N5666 | 1.2 w | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | NPN | 1V @ 1A, 5A | 40 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| jantx2n5152 | 13.6192 | | 7621 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N5152 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| jantxv2n4931 | - | | 4118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/397 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 200 MA | 250NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 3ma, 30ma | 50 @ 30MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| MX2N4092UB/TR | 89.2696 | | 6305 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mx2n4092ub/tr | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 15 ma @ 20 v | 50 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
 | APT10050LVRG | 23.9700 | | 3163 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT10050 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 21A (TC) | 500mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 500 NC @ 10 v | 7900 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||
| JAN2N3499L | 12.5818 | | 9241 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3499 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 1.4V @ 30MA, 300MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| jantx2n5667s | - | | 6369 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/455 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N5667 | 1.2 w | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 5 a | 200na | NPN | 1V @ 1A, 5A | 25 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| jankcbh2n2221a | - | | 5518 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbh2n2221a | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N5969 | 613.4700 | | 5628 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 220 w | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5969 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 40 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| JANSM2N2906AUBC | 305.9206 | | 9096 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N2906AUBC | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n918ub/tr | 22.5435 | | 7914 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/301 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD,, | 200 MW | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N918UB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1ma, 10ma | 20 @ 3ma, 1v | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N4398 | 42.3073 | | 7676 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N4398 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N4398ms | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N7372 | - | | 7853 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/612 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | 2N7372 | 4 w | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| JANSL2N3440 | 233.7316 | | 7078 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N3440 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | ARF466AG | 65.5000 | | 2871 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | 1000 v | TO-264-3, TO-264AA | ARF466 | 40.68MHz | MOSFET | TO-264 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 13A | 300W | 16db | - | 150 v | |||||||||||||||||||||||
| JANSD2N3700UB/TR | 46.3004 | | 7602 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N3700 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n3700ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| jantxv2n4033 | - | | 9261 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/512 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| APT8030LVFRG | 24.0000 | | 7520 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT8030 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 27A (TC) | 300mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 510 nc @ 10 v | 7900 pf @ 25 v | - |
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