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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 2C3635 | 6.9426 | ![]() | 9118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3635 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N5794U | 299.5020 | ![]() | 7947 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/495 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5794 | 600MW | 유 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N5794U | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 900mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N3501U4/tr | 135.3150 | ![]() | 9365 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3501U4/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 150 v | 300 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||
jantx2n2222a | 2.7300 | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2222 | 500MW | TO-218 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||
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![]() | JAN2N6676T1 | - | ![]() | 8088 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | TO-254 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 300 v | 15 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N6987U/TR | 59.5308 | ![]() | 6016 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/558 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-Clcc | 2N6987 | 20-Clcc | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6987U/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 10µA (ICBO) | 4 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
![]() | MCP87022T-U/MF | - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCP87022 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n 채널 | 25 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 25a, 10V | 1.6V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 2310 pf @ 12.5 v | - | 2.2W (TA) | ||||||||||
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![]() | 2N3439UA | 47.3081 | ![]() | 6861 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N3439 | 800MW | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||
![]() | JAN2N3762U4 | - | ![]() | 2222 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 40 v | 1.5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||
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![]() | jantxv2n5796a | 138.7610 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/496 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N5796 | 600MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||
JANS2N2907AL | 67.8402 | ![]() | 3033 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2907 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||
![]() | MSCSM120HM083CAG | 847.0700 | ![]() | 6452 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | MSCSM120 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120HM083CAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n6689 | - | ![]() | 3730 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/537 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 3 w | To-61 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 100 µa | 100µA | NPN | 5V @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | ||||||||||||||||
![]() | TN0620N3-G-P014 | 1.3200 | ![]() | 6992 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0620 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 250MA (TJ) | 5V, 10V | 6ohm @ 500ma, 10V | 1.6V @ 1mA | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||
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APT5010LVRG | 18.4400 | ![]() | 5483 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT5010 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 47A (TC) | 100mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 470 nc @ 10 v | 8900 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||
![]() | jantx2n2604ub | - | ![]() | 7622 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/354 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2604 | 400MW | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 MA | 10NA | PNP | 300MV @ 500µA, 10MA | 60 @ 500µa, 5V | - | |||||||||||||||
JAN2N3421S | 16.5053 | ![]() | 7535 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/393 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3421 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 40 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||
![]() | APT8020JFLL | 42.6200 | ![]() | 8842 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT8020 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 33A (TC) | 220mohm @ 16.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 195 NC @ 10 v | 5200 pf @ 25 v | - | |||||||||||||
JAN2N3418 | 17.0905 | ![]() | 1271 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/393 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3418 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 a | 5µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 20 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||
![]() | 2N4399 | 42.3073 | ![]() | 9130 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N4399 | 5 w | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N4399ms | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 30 a | 100µA | PNP | 750mv @ 1a, 10a | 15 @ 15a, 2v | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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