SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANKCAM2N2369A Microchip Technology jankcam2n2369a -
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcam2n2369a 100 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 40 @ 10ma, 1v -
APT50M75B2FLLG Microchip Technology APT50M75B2FLLG 23.6500
RFQ
ECAD 5153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT50M75 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 57A (TC) 75mohm @ 28.5a, 10V 5V @ 2.5MA 125 nc @ 10 v 5590 pf @ 25 v -
JANSP2N2907AUA/TR Microchip Technology JANSP2N2907AUA/TR 156.0008
RFQ
ECAD 6948 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2907 500MW UA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansp2n2907aua/tr 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANS2N2484 Microchip Technology JANS2N2484 52.7104
RFQ
ECAD 2651 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/376 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2484 360 MW TO-18 (TO-206AA) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 50 MA 2NA NPN 300mv @ 100µa, 1ma 225 @ 10ma, 5V -
2N3725 Microchip Technology 2N3725 14.7098
RFQ
ECAD 2962 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N3725 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2N3725ms 귀 99 8541.29.0095 1
JAN2N6691 Microchip Technology JAN2N6691 -
RFQ
ECAD 6075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/538 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 3 w To-61 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 15 a 1MA (ICBO) NPN 1V @ 3A, 15a 15 @ 1a, 3v -
JANTXV2N2605 Microchip Technology jantxv2n2605 23.3814
RFQ
ECAD 6762 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/354 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 2N2605 400MW To-46-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 30 MA 10NA PNP 300MV @ 500µA, 10MA 100 @ 10ma, 5V -
JANSR2N2219 Microchip Technology JANSR2N2219 114.6304
RFQ
ECAD 9159 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N2219 800MW TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JAN2N3867 Microchip Technology JAN2N3867 -
RFQ
ECAD 4325 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/350 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 3 MA 100µA (ICBO) PNP 1.5V @ 250MA, 2.5A 40 @ 1.5a, 2v -
DN2450N8-G Microchip Technology DN2450N8-G 0.9000
RFQ
ECAD 7332 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DN2450 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 230ma (TJ) 0V 10ohm @ 300ma, 0v - ± 20V 200 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.6W (TA)
APTM60H23FT1G Microchip Technology APTM60H23FT1G 67.4700
RFQ
ECAD 7605 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTM60 MOSFET (금속 (() 208W SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 600V 20A 276mohm @ 17a, 10V 5V @ 1MA 165NC @ 10V 5316pf @ 25v -
JANTX2N2222AUA Microchip Technology jantx2n2222aua 22.2110
RFQ
ECAD 1127 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD 2N2222 650 MW 4-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
APTGT100TDU60PG Microchip Technology aptgt100tdu60pg 193.9500
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT100 340 W. 기준 SP6-P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 트리플, 공통 - 듀얼 소스 트렌치 트렌치 정지 600 v 150 a 1.9V @ 15V, 100A 250 µA 아니요 6.1 NF @ 25 v
90024-04TXV Microchip Technology 90024-04TXV -
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 TO-3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 - - - - -
JANTXV2N5664P Microchip Technology jantxv2n5664p 40.7512
RFQ
ECAD 8213 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/455 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2.5 w TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantxv2n5664p 1 200 v 5 a 200na NPN 400mv @ 300ma, 3a 40 @ 1a, 5V -
JANSP2N2222AL Microchip Technology JANSP2N2222AL 98.5102
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANTX2N5415S Microchip Technology jantx2n5415s 11.0390
RFQ
ECAD 4078 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/485 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N5415 750 MW TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 200 v 1 a 1MA PNP 2V @ 5MA, 50MA 30 @ 50MA, 10V -
APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology APT25GT120BRDQ2G 8.2300
RFQ
ECAD 7574 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT25GT120 기준 347 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 25A, 5ohm, 15V NPT 1200 v 54 a 75 a 3.7V @ 15V, 25A 930µJ (on), 720µJ (OFF) 170 NC 14ns/150ns
APT100GN120B2G Microchip Technology APT100GN120B2G 29.4600
RFQ
ECAD 7446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT100 기준 960 w 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 800V, 100A, 1ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 245 a 300 a 2.1V @ 15V, 100A 11mj (on), 9.5mj (OFF) 540 NC 50ns/615ns
JANSG2N2221AUA Microchip Technology JANSG2N2221AUA 154.1904
RFQ
ECAD 7171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 650 MW UA - 영향을받지 영향을받지 150-jansg2n2221aua 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
JANSL2N3057A Microchip Technology JANSL2N3057A 127.0302
RFQ
ECAD 8890 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/391 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 500MW To-46 - 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n3057a 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 10V -
2N657S Microchip Technology 2N657S 40.3950
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 600MW TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N657S 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
JANSF2N2222AUBC Microchip Technology JANSF2N2222AUBC 305.8602
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW UBC - 영향을받지 영향을받지 150-JANSF2N2222AUBC 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N5291 Microchip Technology 2N5291 519.0900
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 116 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5291 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 10 a - PNP 1.5v @ 1ma, 5ma - -
JANTX2N6299P Microchip Technology jantx2n6299p 36.3489
RFQ
ECAD 8686 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 64 w TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jantx2N6299p 1 80 v 8 a 500µA pnp- 달링턴 2V @ 80MA, 8A 750 @ 4a, 3v -
78160GNP Microchip Technology 78160GNP -
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 78160 - 영향을받지 영향을받지 150-78160GNP 25
JANS2N2222A Microchip Technology JANS2N2222A 32.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2222 500MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
MSCGLQ50X120CTYZBNMG Microchip Technology MSCGLQ50X120CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 6964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 330 w 3 정류기 정류기 브리지 - 다운로드 Rohs3 준수 1 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 1200 v 90 a 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2770 pf @ 25 v
APTGF150DH120G Microchip Technology APTGF150DH120G -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP6 961 w 기준 SP6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 비대칭 비대칭 NPT 1200 v 200a 3.7V @ 15V, 150A 350 µA 아니요 10.2 NF @ 25 v
JANTX2N5003 Microchip Technology JANTX2N5003 443.7924
RFQ
ECAD 6715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/535 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 섀시, 마운트 스터드 TO-210AA, TO-59-4, 스터드 2N5003 2 w To-59 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고