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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | jantx2n2605ub/tr | - |  | 8633 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/354 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2605 | 400MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n2605ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 MA | 10NA | PNP | 300MV @ 500µA, 10MA | 150 @ 500µa, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | JANSF2N5004 | - | | 6180 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/534 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 2 w | To-59 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 50 µA | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N5347 | 157.9375 | | 8527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5347 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT14M100B | 7.5000 | | 4296 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT14M100 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 14A (TC) | 10V | 900mohm @ 7a, 10V | 5V @ 1MA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 3965 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | jantxv2n1716 | - | | 3158 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANSP2N2906AUA/TR | 153.0406 | | 9102 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2906 | 500MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansp2n2906aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N5153 | 14.0847 | | 2941 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 µA | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N2919L | 35.7371 | | 9077 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2919 | 350MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | mv2n5116ub/tr | 95.7866 | | 9233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mv2n5116ub/tr | 100 | p 채널 | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 v | 1 v @ 1 na | 175 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | VN2110K1-G | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | VN2110 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 200MA (TJ) | 5V, 10V | 4ohm @ 500ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 360MW (TC) | |||||||||||||||||||||
 | 2N5884 | 63.9597 | | 9379 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5884 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N5884ms | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n3724ub | - | | 8721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 30 v | 500 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N5664 | 26.9857 | | 2240 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/455 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N5664 | 2.5 w | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | NPN | 1V @ 1A, 5A | 40 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | APT34F60S/TR | 15.0600 | | 5448 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT34F60 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT34F60S/TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 600 v | 36A (TC) | 10V | 190mohm @ 17a, 10V | 5V @ 1MA | 165 NC @ 10 v | ± 30V | 6640 pf @ 25 v | - | 624W (TC) | |||||||||||||||||||||
| JANS2N3737ub/tr | 157.3504 | | 1456 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/395 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jans2n3737ub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | NPN | 900mv @ 100ma, 1a | 20 @ 1a, 1.5v | - | |||||||||||||||||||||||||
| JAN2N3792 | 43.1585 | | 6302 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/379 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3 | 2N3792 | 5 w | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 5MA | PNP | 2.5V @ 2A, 10A | 30 @ 3a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||
| APTMC60TLM14CAG | - | | 9045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTMC60 | 실리콘 실리콘 (sic) | 925W | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (3 채널 인버터) | 1200V (1.2kv) | 219A (TC) | 12MOHM @ 150A, 20V | 2.4V @ 30MA (유형) | 483NC @ 20V | 8400pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||
 | APTGF90A60T1G | - | | 2744 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP1 | 416 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | NPT | 600 v | 110 a | 2.5V @ 15V, 90A | 250 µA | 예 | 4.3 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
 | JANSP2N2222AUBC/TR | 279.2920 | | 5231 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N2222AUBC/TR | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGLQ100A65T1G | 70.0200 | | 1789 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SP1 | APTGLQ100 | 350 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 200a | 2.3V @ 15V, 100A | 100 µa | 예 | 6 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
| jantx2n4239 | 40.5517 | | 7729 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/581 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N4239 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 100ma, 1a | 30 @ 250ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||
| Jan2n4449ub/tr | 26.1478 | | 3801 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 400MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N4449UB/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 100 | 20 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N708 | - | | 7476 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/312 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N708 | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 25NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1ma, 10ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||
 | APT47F60J | 35.5400 | | 2211 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT47F60 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 49A (TC) | 10V | 90mohm @ 33a, 10V | 5V @ 2.5MA | 330 nc @ 10 v | ± 30V | 13190 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | JAN2N3501L | 6.7830 | | 4074 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3501 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | 89100-06TX | - | | 8567 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N1716S | 20.3850 | | 9888 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N1716S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2919U | 43.0920 | | 3582 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2919 | 350MW | 3-smd | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n5153 | 15.6408 | | 6024 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 µA | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N2221 | 61.8704 | | 7939 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/469 | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N2221 | 1 | 30 v | - | NPN | - | 100 @ 150ma, 10V | 250MHz |
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