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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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MSC100SM70JCU3 | 58.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MSC100SM70JCU3 | sicfet ((카바이드) | SOT-227 (ISOTOP®) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC100SM70JCU3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 700 v | 124A (TC) | 20V | 19mohm @ 40a, 20V | 2.4V @ 4mA | 215 NC @ 20 v | +25V, -10V | 4500 pf @ 700 v | - | 365W (TC) | |||||||||||||
![]() | APT14M100S | 8.0300 | ![]() | 7357 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | APT14M100 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 14A (TC) | 10V | 880mohm @ 7a, 10V | 5V @ 1MA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 3965 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | |||||||||||||
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![]() | jantxv2n918ub | 29.3265 | ![]() | 5341 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/301 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N918 | 200 MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 MA | 1µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1ma, 10ma | 20 @ 3ma, 1v | - | |||||||||||||||||
JANHCA2N3634 | - | ![]() | 2079 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANHCA2N3634 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||
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![]() | JANSL2N2221AUA | 150.2006 | ![]() | 1507 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 650 MW | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2221aua | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N5153U3 | 229.9812 | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1.16 w | U3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N5153U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n930ub | - | ![]() | 1418 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/253 | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N930 | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 30 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3868 | 148.2902 | ![]() | 4413 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/350 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 MA | 100µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 30 @ 1.5A, 2V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N657 | 35.8169 | ![]() | 7800 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N657 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
jankcar2n2369a | - | ![]() | 3449 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2369A | 360 MW | TO-18 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcar2n2369a | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||
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![]() | 2N3743U4 | 78.4966 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 200 MA | PNP | 1.2v @ 3ma, 30ma | 50 @ 30MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
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APT1201R5BVRG | 35.8600 | ![]() | 2045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT1201 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT1201R5BVRG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 10A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 28 nc @ 10 v | - | 4440 pf @ 25 v | - | - | ||||||||||||||
![]() | APT30M19JVFR | 84.5000 | ![]() | 4132 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT30M19 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 130A (TC) | 10V | 19mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 5MA | 975 NC @ 10 v | ± 30V | 21600 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | |||||||||||||
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![]() | jantx2n6989u | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/559 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-Clcc | 2N6989 | 1W | 20-Clcc | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 800ma | 10µA (ICBO) | 4 NPN (() | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||
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![]() | jantxv2n3637L | 14.3906 | ![]() | 8036 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N3637 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||
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![]() | JANS2N3810U | 108.4106 | ![]() | 1404 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/336 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N3810 | 350MW | 6-SMD | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 100µa, 1ma | 150 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6059 | 49.0770 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/502 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6059 | 150 W. | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 12 a | 1MA | npn-달링턴 | 3V @ 120ma, 12a | 1000 @ 6A, 3V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N6384 | 63.2016 | ![]() | 7471 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6384 | 6 w | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N6384ms | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 10 a | 1MA | npn-달링턴 | 3V @ 100MA, 10A | 1000 @ 5a, 3v | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N5347 | 157.9375 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N5347 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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