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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | jantxv2n3763u4 | - | ![]() | 5661 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/396 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 1.5 a | 10µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100ma, 1a | 20 @ 1a, 1.5v | - | ||||||||||||||||||||
JAN2N1711S | 55.3280 | ![]() | 8792 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/225 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
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![]() | JANKCBR2N5002 | - | ![]() | 2560 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/534 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | 주사위 | 2 w | 주사위 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 80 v | 50 µA | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||
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![]() | 2N6226 | 36.6681 | ![]() | 6605 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 125 w | TO-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 50 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||
JAN2N3486A | - | ![]() | 1044 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/392 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 400MW | To-46 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3506AU4 | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/349 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 µA | 1µA | NPN | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 50 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N2904A | 21.6258 | ![]() | 4400 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N2904 | 600MW | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2N2904AMS | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 1µA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 500ma, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | mv2n5116ub/tr | 95.7866 | ![]() | 9233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mv2n5116ub/tr | 100 | p 채널 | 30 v | 27pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 v | 1 v @ 1 na | 175 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MV2N4091UB/TR | 92.4882 | ![]() | 1560 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mv2n4091ub/tr | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT1201R6BVFRG | 18.9800 | ![]() | 3717 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT1201 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 8A (TC) | 1.6ohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | 230 nc @ 10 v | 3660 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||
![]() | DN3545N8-G | 0.9900 | ![]() | 6392 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | DN3545 | MOSFET (금속 (() | TO-243AA (SOT-89) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 450 v | 200MA (TA) | 0V | 20ohm @ 150ma, 0v | - | ± 20V | 360 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.6W (TA) | |||||||||||||||
![]() | jantxv2n3440ua/tr | 188.1152 | ![]() | 8148 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3440ua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 2 µA | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6274 | 247.9918 | ![]() | 9654 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/514 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 250 W. | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 50 µA | 50µA | NPN | 3V @ 10a, 50a | 30 @ 20A, 4V | - | ||||||||||||||||||||
JANKCCM2N3501 | - | ![]() | 4240 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccm2n3501 | 100 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
JANS2N3636 | - | ![]() | 2663 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
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![]() | 2N3486 | 9.0307 | ![]() | 1203 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 2N3486 | 400MW | TO-46 (TO-206AB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||
jantx2n5415s | 11.0390 | ![]() | 4078 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/485 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N5415 | 750 MW | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 1MA | PNP | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2C4300 | 12.5550 | ![]() | 1304 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C4300 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MSCSM120HM083CAG | 847.0700 | ![]() | 6452 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | MSCSM120 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120HM083CAG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | JANS2N2221UA | 104.4106 | ![]() | 4185 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/469 | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | UA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N2221UA | 1 | 30 v | - | NPN | - | 100 @ 150ma, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N1716 | - | ![]() | 4976 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 750 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
APT12040JVR | 110.4800 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT12040 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 (ISOTOP®) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-APT12040JVR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 26A (TC) | 10V | 400mohm @ 13a, 10V | 4V @ 5MA | 1200 NC @ 10 v | ± 30V | 18000 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | |||||||||||||||
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![]() | JANS2N5796UC | - | ![]() | 9302 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/496 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5796 | 600MW | UC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N5796UC | 50 | 60V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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