SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
APTGT50TDU60PG Microchip Technology aptgt50tdu60pg 150.8300
RFQ
ECAD 4625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT50 176 w 기준 SP6-P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 트리플, 공통 - 듀얼 소스 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 1.9V @ 15V, 50A 250 µA 아니요 3.15 NF @ 25 v
2N3501UB/TR Microchip Technology 2N3501ub/tr 17.1703
RFQ
ECAD 5312 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2n3501ub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
APT34N80B2C3G Microchip Technology APT34N80B2C3G 10.7600
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT34N80 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 34A (TC) 10V 145mohm @ 22a, 10V 3.9V @ 2MA 355 NC @ 10 v ± 20V 4510 pf @ 25 v - 417W (TC)
VN10KN3-G-P013 Microchip Technology vn10kn3-g-p013 0.5400
RFQ
ECAD 4269 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 vn10kn3 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 310MA (TJ) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 30V 60 pf @ 25 v - 1W (TC)
JANTX2N5745 Microchip Technology JANTX2N5745 -
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/433 대부분 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 5 w TO-3 (TO-204AA) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 20 a 100µA PNP 1V @ 1A, 10A 15 @ 10a, 2v -
2N2811 Microchip Technology 2N2811 117.9178
RFQ
ECAD 1865 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N2811 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
2N3585P Microchip Technology 2N3585P 39.6900
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2.5 w TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 150-2N3585p 귀 99 8541.29.0095 1 300 v 2 a 5MA NPN 750mv @ 125ma, 1a 40 @ 100ma, 10V -
2N2223A Microchip Technology 2N2223A 36.9150
RFQ
ECAD 3113 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N2223 - 영향을받지 영향을받지 150-2N2223A 1
APT1201R6BVFRG Microchip Technology APT1201R6BVFRG 18.9800
RFQ
ECAD 3717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT1201 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 8A (TC) 1.6ohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 230 nc @ 10 v 3660 pf @ 25 v -
2N7142 Microchip Technology 2N7142 237.8400
RFQ
ECAD 1523 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 87 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N7142 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 12 a - PNP - - -
JANS2N2906AUBC/TR Microchip Technology JANS2N2906AUBC/TR 194.8002
RFQ
ECAD 5895 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-Clcc 2N2906 500MW UBC - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS2N2906AUBC/TR 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
2N5612 Microchip Technology 2N5612 43.0350
RFQ
ECAD 5901 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 25 W. TO-66 (TO-213AA) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5612 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 5 a - NPN - - -
JANTXV2N6301 Microchip Technology jantxv2n6301 39.5675
RFQ
ECAD 6984 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/539 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2N6301 75 w To-66 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500µA pnp- 달링턴 3v @ 80ma, 8a 750 @ 4a, 3v -
2N3057 Microchip Technology 2N3057 9.9150
RFQ
ECAD 6842 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2N3057 1
MSC70SM120JCU2 Microchip Technology MSC70SM120JCU2 66.0000
RFQ
ECAD 43 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MSC70SM120JCU2 sicfet ((카바이드) SOT-227 (ISOTOP®) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSC70SM120JCU2 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 89A (TC) 20V 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 1MA 232 NC @ 20 v +25V, -10V 3020 pf @ 1000 v - 395W (TC)
MSC040SMA120S/TR Microchip Technology MSC040SMA120S/TR 26.0800
RFQ
ECAD 3031 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA sicfet ((카바이드) TO-268 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSC040SMA120S/TR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 1200 v 64A (TC) 20V 50mohm @ 40a, 20V 2.6V @ 2MA 137 NC @ 20 v +23V, -10V 1990 PF @ 1000 v - 303W (TC)
VN0104N3-G-P013 Microchip Technology vn0104n3-g-p013 0.6800
RFQ
ECAD 3946 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 VN0104 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 350MA (TJ) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2.4V @ 1mA ± 20V 65 pf @ 25 v - 1W (TC)
JANTX2N1715S Microchip Technology jantx2n1715s -
RFQ
ECAD 5104 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 100 v 750 MA - NPN - - -
JANKCCR2N5151 Microchip Technology jankccr2n5151 -
RFQ
ECAD 2472 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankccr2n5151 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
JANTX2N2222AUBP/TR Microchip Technology jantx2n2222aubp/tr 12.5552
RFQ
ECAD 7372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n2222aubp/tr 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANSD2N3637 Microchip Technology JANSD2N3637 129.6306
RFQ
ECAD 8665 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-JANSD2N3637 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
APT8011JFLL Microchip Technology apt8011jfll 97.9400
RFQ
ECAD 5334 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT8011 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 51A (TC) 125mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 5MA 650 NC @ 10 v 9480 pf @ 25 v -
2N3774 Microchip Technology 2N3774 33.0450
RFQ
ECAD 7687 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 5 w TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N3774 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 1 a - PNP - - -
JANKCDR2N5154 Microchip Technology jankcdr2n5154 -
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcdr2n5154 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
2N6989 Microchip Technology 2N6989 -
RFQ
ECAD 6437 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 2N698 1.5W TO-116 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 50V 800ma 10µA (ICBO) 4 NPN (() 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JAN2N5302 Microchip Technology JAN2N5302 141.9110
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/456 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N5302 5 w TO-3 (TO-204AA) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 30 a 10µA NPN 3V @ 6A, 30A 15 @ 15a, 2v -
JANKCA2N3636 Microchip Technology jankca2n3636 -
RFQ
ECAD 4972 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca2n3636 귀 99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V -
JANSD2N3501 Microchip Technology JANSD2N3501 41.5800
RFQ
ECAD 8422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-JANSD2N3501 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
JANKCAM2N2369A Microchip Technology jankcam2n2369a -
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcam2n2369a 100 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 40 @ 10ma, 1v -
APT50M75B2FLLG Microchip Technology APT50M75B2FLLG 23.6500
RFQ
ECAD 5153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT50M75 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 57A (TC) 75mohm @ 28.5a, 10V 5V @ 2.5MA 125 nc @ 10 v 5590 pf @ 25 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고