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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 소음 소음 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | 2N5606 | 43.0350 | ![]() | 8184 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 25 W. | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5606 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | NPN | 1.5V @ 500µA, 2.5MA | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APT60M75JVR | 82.3510 | ![]() | 3362 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT60M75 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 62A (TC) | 10V | 75mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 v | ± 30V | 19800 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n222aub/tr | 6.8894 | ![]() | 6866 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n2222aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2484UA/TR | 16.3191 | ![]() | 1581 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/376 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2484 | 360 MW | UA | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N2484UA/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 MA | 2NA | NPN | 300mv @ 100µa, 1ma | 225 @ 10ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120HM50CT3AG | 181.3700 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 245W (TC) | SP3F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120HM50CT3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 | 1200V (1.2kv) | 55A (TC) | 50mohm @ 40a, 20V | 2.7v @ 1ma | 137NC @ 20V | 1990pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||
APT34F100L | 23.5000 | ![]() | 5607 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT34F100 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 35A (TC) | 10V | 400mohm @ 18a, 10V | 5V @ 2.5MA | 305 NC @ 10 v | ± 30V | 9835 pf @ 25 v | - | 1135W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 2C6420 | 31.7100 | ![]() | 4992 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C6420 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANKCCG2N3499 | - | ![]() | 5272 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccg2n3499 | 100 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n3467 | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/348 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 100ma, 1a | 40 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MVR2N2222AUBC | - | ![]() | 3970 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MVR2N2222AUBC | 100 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2219AL | 114.6304 | ![]() | 3662 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N2219 | 800MW | To-5 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 75 @ 1ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSL2N3500L | 41.5800 | ![]() | 5711 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N3500L | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
jankcam2n3637 | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcam2n3637 | 100 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
JANS2N3501 | 63.4204 | ![]() | 8779 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3501 | 1 W. | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3740 | 19.8968 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N3740 | 25 W. | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 4 a | 10µA | PNP | 600mv @ 125ma, 1a | 40 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2907AUBC | 308.8614 | ![]() | 3645 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-Clcc | 2N2907 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N5151U3 | 232.1916 | ![]() | 6374 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1.16 w | U3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSF2N5151U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF1511 | 327.5510 | ![]() | 4702 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 500 v | 주사위 | ARF1511 | 40.7MHz | MOSFET | 주사위 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | ARF1511ms | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 4 n 채널 | 20A | 750W | 15db | - | 380 v | ||||||||||||||||||||||
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![]() | 2C2920 | 10.7464 | ![]() | 7712 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C2920 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6383 | 61.5524 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/523 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6383 | 6 w | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 10 a | 1MA | npn-달링턴 | 3V @ 100MA, 10A | 1000 @ 5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N3636L | - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3725L | - | ![]() | 8121 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | To-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 500 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2435N8-G | 1.6700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | TN2435 | MOSFET (금속 (() | TO-243AA (SOT-89) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 350 v | 365MA (TJ) | 3V, 10V | 6ohm @ 750ma, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||
jantx2n4854 | 160.8900 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/421 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N4854 | 600MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n6300 | 35.8302 | ![]() | 7814 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/539 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 75 w | TO-66 (TO-213AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 500 µA | 500µA | npn-달링턴 | 3v @ 80ma, 8a | 750 @ 4a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||
2N6277 | 110.0176 | ![]() | 3541 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6277 | 250 W. | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 50 a | 50µA | NPN | 3V @ 10a, 50a | 50 @ 1a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4915 | 60.8475 | ![]() | 2969 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 88 W. | TO-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | - | PNP | - | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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