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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VN1206L-G-P002 | 1.7200 |  | 2576 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | VN1206 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 120 v | 230ma (TJ) | 2.5V, 10V | 6ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 30V | 125 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | APTGT150DA120G | 157.6800 | | 7704 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT150 | 690 W. | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V, 150A | 350 µA | 아니요 | 10.7 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
 | MSCSM70DUM025AG | 623.4600 | | 1110 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 1882W (TC) | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70DUM025AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 700V | 689A (TC) | 3.2mohm @ 240a, 20V | 2.4V @ 24MA | 1290NC @ 20V | 27000pf @ 700V | - | |||||||||||||||||||||
| 2N4211 | 707.8500 | | 7520 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 100 W. | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4211 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 20 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | MV2N5114UB | 95.6403 | | 3262 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-mv2n5114ub | 1 | p 채널 | 30 v | 25pf @ 15V | 30 v | 30 ma @ 18 v | 5 v @ 1 na | 75 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSD2N2906AUA/TR | 153.0406 | | 1892 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2906 | 500MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2906aua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n2222ap | 15.0290 | | 6039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2n2222ap | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT600DA60G | 225.2700 | | 2800 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT600 | 2300 W. | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 700 a | 1.8V @ 15V, 600A | 750 µA | 아니요 | 49 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
| APTGT25X120T3G | 100.0908 | | 9932 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT25 | 156 w | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 40 a | 2.1V @ 15V, 25A | 250 µA | 예 | 1.8 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
 | 2N3660 | 30.6450 | | 3634 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3660 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 30 v | 1.5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N2813 | 117.9178 | | 1464 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N2813 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG2803J | - | | 1071 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 18-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | SG2803 | - | 18-cerdip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-SG2803J | 귀 99 | 8541.29.0095 | 21 | 50V | 500ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | JANSM2N5151 | 95.9904 | | 9553 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N5151 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| LND150N3-G-P002 | 0.6800 | | 2878 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | LND150 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 500 v | 30MA (TJ) | 0V | 1000ohm @ 500µa, 0V | - | ± 20V | 10 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 740MW (TA) | |||||||||||||||||||||
| 2C3725 | 6.1500 | | 5889 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3725 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSR2N2920U/TR | 273.4718 | | 3363 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N2920 | 350MW | 6-SMD | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSR2N2920U/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | APT12057JFLL | 69.8600 | | 7223 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT12057 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 19A (TC) | 570mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 185 NC @ 10 v | 5155 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N5733 | 519.0900 | | 7520 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 150 W. | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5733 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 30 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N2270 | 33.0372 | | 9736 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2270 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC180SMA120B | 8.6900 | | 7 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MSC180 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | TO-247-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 25A | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| MNS2N3700ub/tr | 13.8000 | | 7068 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2C3019 | 9.5494 | | 9157 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3019 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120DDUM16CTBL3NG | - | | 2647 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 560W | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DDUM16CTBL3NG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널, 채널 소스 | 1200V | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 2MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||
| JAN2N3724 | - | | 4140 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 30 v | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5625 | 74.1300 | | 6833 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 116 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5625 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - | PNP | 1.5v @ 1ma, 5ma | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| MRH25N12U3 | - | | 9063 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | MOSFET (금속 (() | U3 (SMD-0.5) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MRH25N12U3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | n 채널 | 250 v | 12.4A (TC) | 12V | 210mohm @ 7.5a, 12v | 4V @ 1MA | 50 nc @ 12 v | ± 20V | 1980 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| jantxvr2n2907aub/tr | 12.3158 | | 6898 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxvr2n2907aub/tr | 143 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANSL2N2221AUBC/TR | 231.9816 | | 9224 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2221aubc/tr | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANSM2N3440 | 233.7316 | | 5578 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N3440 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6582 | 110.9100 | | 3424 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 125 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6582 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | - | NPN | - | - | - |
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