전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N3491 | 547.4100 | ![]() | 7634 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 115 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3491 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 7 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4877 | 16.5150 | ![]() | 3260 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 10 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4877 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 4 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
JANKCBD2N3439 | - | ![]() | 6427 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcbd2n3439 | 100 | 350 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
jankcar2n3635 | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcar2n3635 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
JAN2N4029 | 7.6209 | ![]() | 7616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/512 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4029 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10µA (ICBO) | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | APT33N90JCU2 | - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Coolmos ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 900 v | 33A (TC) | 10V | 120mohm @ 26a, 10V | 3.5v @ 3ma | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 100 v | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||
2N2907 | 3.8700 | ![]() | 8207 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N2907 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3019E3 | 13.3350 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 800MW | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3019E3 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2C3439 | 9.0307 | ![]() | 6548 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2C3439 | 1 | 350 v | 1 a | 20µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
MVR2N2222AUB | - | ![]() | 9061 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MVR2N2222AUB | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
JANKCB2N2907A | 17.8752 | ![]() | 5049 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2907 | 500MW | TO-18 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcb2n2907a | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N5666U3 | 204.8112 | ![]() | 5255 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/455 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-276AA | 2N5666 | 1.2 w | U-3 (TO-276AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | NPN | 1V @ 1A, 5A | 40 @ 1a, 5V | - | |||||||||||||||||||||
MSR2N2907A | - | ![]() | 9039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSR2N2907A | 100 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
SG2803J-DESC | - | ![]() | 2197 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | - | SG2803 | - | 18-CDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 21 | 50V | 500ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | 1000 @ 350MA, 2V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N3621 | 547.4100 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 30 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3621 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120AM50CT1AG | 89.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 245W (TC) | SP1F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120AM50CT1AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 55A (TC) | 50mohm @ 40a, 20V | 2.7v @ 1ma | 137NC @ 20V | 1990pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||
![]() | JANSL2N5151L | 98.9702 | ![]() | 3916 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2N5151L | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APT12031JFLL | 122.8900 | ![]() | 7286 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT12031 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 30A (TC) | 10V | 330mohm @ 15a, 10V | 5V @ 5MA | 365 NC @ 10 v | ± 30V | 9480 pf @ 25 v | - | 690AW (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2N5628 | 74.1300 | ![]() | 4441 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 116 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5628 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 a | - | PNP | 1.5v @ 1ma, 5ma | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n4150p | 19.0323 | ![]() | 7479 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/394 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2N4150p | 1 | 70 v | 10 a | 10µA | NPN | 2.5V @ 1A, 10A | 50 @ 1a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
JANKCCD2N3499 | - | ![]() | 6995 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccd2n3499 | 100 | 100 v | 500 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30ma, 300ma | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT58M80J | 65.9400 | ![]() | 6902 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT58M80 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 60A (TC) | 10V | 110mohm @ 43a, 10V | 5V @ 5MA | 570 nc @ 10 v | ± 30V | 17550 pf @ 25 v | - | 960W (TC) | ||||||||||||||||
JANKCCF2N5151 | - | ![]() | 2593 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankccf2n5151 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MIC94030BM4 TR | - | ![]() | 6151 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | tinyfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | MIC94030 | MOSFET (금속 (() | SOT-143 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 16 v | 1A (TA) | 2.7V, 10V | 450mohm @ 100ma, 10V | 1.4V @ 250µA | 16V | 100 pf @ 12 v | - | 568MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2369AUB/TR | 212.5108 | ![]() | 6311 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2369A | 360 MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansr2n2369aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TN2540N3-G | 1.5600 | ![]() | 5645 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN2540 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 175MA (TJ) | 4.5V, 10V | 12ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 125 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||
APTCV60HM45BT3G | 120.6600 | ![]() | 8430 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTCV60 | 250 W. | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 헬리콥터를 헬리콥터를, 부스트 다리 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.15 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||
![]() | JANSD2N2369AU | 130.1402 | ![]() | 4216 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 500MW | 유 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n2369au | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5614 | 74.1300 | ![]() | 3171 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 58 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5614 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
JANSP2N2906A | 99.9500 | ![]() | 3869 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N2906A | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고