SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2N3491 Microchip Technology 2N3491 547.4100
RFQ
ECAD 7634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 115 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N3491 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 7 a - NPN - - -
2N4877 Microchip Technology 2N4877 16.5150
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 10 W. TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N4877 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 4 a - PNP - - -
JANKCBD2N3439 Microchip Technology JANKCBD2N3439 -
RFQ
ECAD 6427 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcbd2n3439 100 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
JANKCAR2N3635 Microchip Technology jankcar2n3635 -
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/357 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcar2n3635 귀 99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5ma, 50ma 100 @ 50MA, 10V -
JAN2N4029 Microchip Technology JAN2N4029 7.6209
RFQ
ECAD 7616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/512 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4029 500MW TO-18 (TO-206AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V -
APT33N90JCU2 Microchip Technology APT33N90JCU2 -
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Coolmos ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() SOT-227 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 900 v 33A (TC) 10V 120mohm @ 26a, 10V 3.5v @ 3ma 270 nc @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 100 v - 290W (TC)
2N2907 Microchip Technology 2N2907 3.8700
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-2N2907 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N3019E3 Microchip Technology 2N3019E3 13.3350
RFQ
ECAD 6643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 800MW TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N3019E3 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 10V -
2C3439 Microchip Technology 2C3439 9.0307
RFQ
ECAD 6548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2C3439 1 350 v 1 a 20µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
MVR2N2222AUB Microchip Technology MVR2N2222AUB -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MVR2N2222AUB 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANKCB2N2907A Microchip Technology JANKCB2N2907A 17.8752
RFQ
ECAD 5049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2907 500MW TO-18 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcb2n2907a 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JAN2N5666U3 Microchip Technology JAN2N5666U3 204.8112
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/455 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 TO-276AA 2N5666 1.2 w U-3 (TO-276AA) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 200 v 5 a 200na NPN 1V @ 1A, 5A 40 @ 1a, 5V -
MSR2N2907A Microchip Technology MSR2N2907A -
RFQ
ECAD 9039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSR2N2907A 100 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
SG2803J-DESC Microchip Technology SG2803J-DESC -
RFQ
ECAD 2197 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 - SG2803 - 18-CDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 21 50V 500ma - 8 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
2N3621 Microchip Technology 2N3621 547.4100
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 30 w To-61 - 영향을받지 영향을받지 150-2N3621 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 5 a - NPN - - -
MSCSM120AM50CT1AG Microchip Technology MSCSM120AM50CT1AG 89.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 245W (TC) SP1F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM50CT1AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 55A (TC) 50mohm @ 40a, 20V 2.7v @ 1ma 137NC @ 20V 1990pf @ 1000V -
JANSL2N5151L Microchip Technology JANSL2N5151L 98.9702
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-jansl2N5151L 1 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
APT12031JFLL Microchip Technology APT12031JFLL 122.8900
RFQ
ECAD 7286 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT12031 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 30A (TC) 10V 330mohm @ 15a, 10V 5V @ 5MA 365 NC @ 10 v ± 30V 9480 pf @ 25 v - 690AW (TC)
2N5628 Microchip Technology 2N5628 74.1300
RFQ
ECAD 4441 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 116 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5628 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 10 a - PNP 1.5v @ 1ma, 5ma - -
JANTX2N4150P Microchip Technology jantx2n4150p 19.0323
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/394 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-jantx2N4150p 1 70 v 10 a 10µA NPN 2.5V @ 1A, 10A 50 @ 1a, 5V -
JANKCCD2N3499 Microchip Technology JANKCCD2N3499 -
RFQ
ECAD 6995 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankccd2n3499 100 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 100 @ 150ma, 10V -
APT58M80J Microchip Technology APT58M80J 65.9400
RFQ
ECAD 6902 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT58M80 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 60A (TC) 10V 110mohm @ 43a, 10V 5V @ 5MA 570 nc @ 10 v ± 30V 17550 pf @ 25 v - 960W (TC)
JANKCCF2N5151 Microchip Technology JANKCCF2N5151 -
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankccf2n5151 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
MIC94030BM4 TR Microchip Technology MIC94030BM4 TR -
RFQ
ECAD 6151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 tinyfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA MIC94030 MOSFET (금속 (() SOT-143 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 16 v 1A (TA) 2.7V, 10V 450mohm @ 100ma, 10V 1.4V @ 250µA 16V 100 pf @ 12 v - 568MW (TA)
JANSR2N2369AUB/TR Microchip Technology JANSR2N2369AUB/TR 212.5108
RFQ
ECAD 6311 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2369A 360 MW ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansr2n2369aub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 20 @ 100ma, 1v -
TN2540N3-G Microchip Technology TN2540N3-G 1.5600
RFQ
ECAD 5645 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN2540 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 175MA (TJ) 4.5V, 10V 12ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 125 pf @ 25 v - 1W (TA)
APTCV60HM45BT3G Microchip Technology APTCV60HM45BT3G 120.6600
RFQ
ECAD 8430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTCV60 250 W. 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 헬리콥터를 헬리콥터를, 부스트 다리 트렌치 트렌치 정지 600 v 50 a 1.9V @ 15V, 50A 250 µA 3.15 NF @ 25 v
JANSD2N2369AU Microchip Technology JANSD2N2369AU 130.1402
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/317 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 500MW - 영향을받지 영향을받지 150-jansd2n2369au 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10ma, 100ma 40 @ 10ma, 1v -
2N5614 Microchip Technology 2N5614 74.1300
RFQ
ECAD 3171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 58 W. TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N5614 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 5 a - PNP - - -
JANSP2N2906A Microchip Technology JANSP2N2906A 99.9500
RFQ
ECAD 3869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N2906A 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고