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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MIC94031CYW | - |  | 2150 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | tinyfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - | - | MOSFET (금속 (() | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 16 v | 1A (TA) | - | 450mohm @ 100ma, 10V | 1.4V @ 250µA | - | - | 568MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT50GN60BDQ2G | 7.2700 | | 8192 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | apt50gn60 | 기준 | 366 w | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 50A, 4.3OHM, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 107 a | 150 a | 1.85V @ 15V, 50A | 1185µJ (on), 1565µJ (OFF) | 325 NC | 20ns/230ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSF2N2221AUBC/TR | 238.6406 | | 8291 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSF2N2221AUBC/TR | 50 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 2N4037 | 15.8550 | | 8438 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4037 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6547T1 | 349.2000 | | 9125 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6547T1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 v | 15 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | APTGT75TL60T3G | 93.2700 | | 10 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTGT75 | 250 W. | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 4.62 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n3867p | 32.4919 | | 2924 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/350 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N3867p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | 1µA | PNP | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 50 @ 500ma, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantxv2n5416u4/tr | - | | 5956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/485 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n5416u4/tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 1 a | 1MA | PNP | 2V @ 5MA, 50MA | 30 @ 50MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n5154L | 14.8295 | | 2357 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N5154 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSR2N2907AUB/TR | - | | 2767 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-msr2n2907aub/tr | 100 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4999 | 324.3000 | | 5415 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 35 W. | To-59 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N4999 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6341 | 67.2980 | | 6841 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | TO-3 | - | 영향을받지 영향을받지 | 2N6341ms | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 50 µA | 50µA | NPN | 1.8V @ 2.5A, 25A | 30 @ 10a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N4449 | 129.0708 | | 7893 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSD2N4449 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jankcdm2n5154 | - | | 6656 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcdm2n5154 | 100 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| JANSP2N4449 | 129.0708 | | 3847 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N4449 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 20 @ 100ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 2N5796U/tr | 63.1883 | | 3134 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/496 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N5796 | 6-SMD | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5796U/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | jantx2n5339 | 10.2942 | | 6572 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N5339 | 1 W. | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | jantx2n5339ms | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2v @ 500ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx2n3700p | 11.0390 | | 7745 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantx2N3700p | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG2024J | - | | 9659 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) | SG2024 | - | 16-Cerdip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-SG2024J | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 95V | 500ma | - | 7 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | 1000 @ 350MA, 2V | - |
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