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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | vn10kn3-g-p013 | 0.5400 |  | 4269 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | vn10kn3 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 310MA (TJ) | 5V, 10V | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 30V | 60 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||
 | 2N3621 | 547.4100 | | 8772 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 30 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3621 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | JANSM2N3500 | 41.5800 | | 1824 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N3500 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N3057A | 127.0302 | | 9561 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n3057a | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n3250aub | - | | 5407 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/323 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N3250 | 360 MW | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||
| aptgt100tdu60pg | 193.9500 | | 8047 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT100 | 340 W. | 기준 | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 트리플, 공통 - 듀얼 소스 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 아니요 | 6.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
 | TN0104N8-G | 1.4300 | | 1837 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | TN0104 | MOSFET (금속 (() | TO-243AA (SOT-89) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 630ma (TJ) | 3V, 10V | 2ohm @ 1a, 10V | 1.6V @ 500µA | ± 20V | 70 pf @ 20 v | - | 1.6W (TC) | |||||||||||||||||
| 2N6281 | 92.0892 | | 9644 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N6281 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n3055 | - | | 7581 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/407 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N3055 | 6 w | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 v | 15 a | 1MA | NPN | 2V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4a, 4v | - | ||||||||||||||||||||
 | JANS2N2221 | 61.8704 | | 7939 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/469 | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N2221 | 1 | 30 v | - | NPN | - | 100 @ 150ma, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N2222AE3 | 4.5300 | | 4070 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2222 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| JAN2N3997 | 127.8130 | | 1913 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/374 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 섀시, 마운트 스터드 | ~ 111-4,- | 2N3997 | 2 w | ~ 111 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 10µA | NPN | 2V @ 500MA, 5A | 80 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||
| jantx2n2604 | - | | 9672 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/354 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 2N2604 | 400MW | TO-46 (TO-206AB) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 MA | 10NA | PNP | 300MV @ 500µA, 10MA | 60 @ 500µa, 5V | - | |||||||||||||||||||||
| 2N5011S | 21.9000 | | 2032 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N5011S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 v | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 5MA, 25MA | 30 @ 25MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N7143 | 237.8400 | | 4455 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 87 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N7143 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 12 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| JAN2N3419S | 16.5053 | | 5775 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/393 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3419 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 20 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||
 | 89100-01TX | 349.9496 | | 1147 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | JANSP2N5152U3 | 229.9812 | | 7033 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/544 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U3 (SMD-0.5) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N5152U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | NPN | 1.5v @ 500ma, 5a | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N6650 | - | | 1232 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/527 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 5 w | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 1MA | pnp- 달링턴 | 3V @ 100µa, 10a | 1000 @ 5a, 3v | - | |||||||||||||||||||||
 | JAN2N4854U/TR | 195.3105 | | 6988 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/421 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | 2N4854 | 600MW | 6-SMD | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N4854U/TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
 | apt50m50jll | 52.4800 | | 8294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT50M50 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 71A (TC) | 10V | 50mohm @ 35.5a, 10V | 5V @ 5MA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 10550 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||||||||||||||||
 | JANS2N5795A | 403.6818 | | 3603 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/496 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N5795 | 600MW | To-78-6 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||
| jankcal2n3637 | - | | 2352 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcal2n3637 | 100 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| 89100-06TXV | - | | 2595 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | TO-66 (TO-213AA) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | APT60GF60JU3 | - | | 9078 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | 동위 동위 | 378 w | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 600 v | 93 a | 2.5V @ 15V, 60A | 80 µA | 아니요 | 3.59 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| JANSL2N2221AUBC | 231.8416 | | 2543 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansl2n2221aubc | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | aptm50hm65ft3g | 154.6200 | | 2746 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 500V | 51A | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||
 | jantx2n3740 | - | | 6626 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/441 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N3740 | 25 W. | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 4 a | 10µA | PNP | 600mv @ 125ma, 1a | 30 @ 250ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||
| JAN2N2920A | 30.6432 | | 9037 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/355 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2920 | 350MW | To-78-6 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN2N2920A | 1 | 60V | 30ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | 2N3780 | 33.0450 | | 2020 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 5 w | TO-5AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3780 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 a | - | PNP | - | - | - |
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