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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| 2N6594 | 110.9100 | | 6383 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 100 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6594 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 12 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
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 | JAN2N3486A | - | | 1044 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/392 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 400MW | To-46 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
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| MV2N4091UB/TR | 92.4882 | | 1560 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/431 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 360 MW | 3-UB (3.09x2.45) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-mv2n4091ub/tr | 1 | n 채널 | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 ma @ 20 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | jantxv2n3440ua/tr | 188.1152 | | 8148 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 800MW | UA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n3440ua/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 v | 2 µA | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
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 | APTGF50DH60T1G | - | | 7115 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP1 | 250 W. | 기준 | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 비대칭 비대칭 | NPT | 600 v | 65 a | 2.45V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 2.2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
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