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트랜지스터 (5714)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | jantx2n3439u4 | - |  | 1353 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | 2N3439 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx2n7368 | - | | 8572 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/622 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | 115 w | TO-254 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 MA | 1MA | NPN | 1V @ 500MA, 5A | 50 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||
| JANSP2N2221AUBC | 231.8416 | | 5285 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | UBC | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSP2N2221AUBC | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3849 | 613.4700 | | 8915 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MB, TO-63-4, 스터드 | 150 W. | To-63 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3849 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 20 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | APTCV60HM45BT3G | 120.6600 | | 8430 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTCV60 | 250 W. | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 헬리콥터를 헬리콥터를, 부스트 다리 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.15 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
 | 2N5680L | 21.9184 | | 8632 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT300DU120G | 303.2725 | | 8798 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT300 | 1380 w | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 420 a | 2.1V @ 15V, 300A | 500 µA | 아니요 | 21 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
| 2N6271 | 103.8600 | | 2058 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 262 W. | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6271 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 30 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | jantx2n4854 | 160.8900 | | 73 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/421 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N4854 | 600MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||
 | APT60M75JFLL | 65.8700 | | 7239 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT60M75 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 58A (TC) | 10V | 75mohm @ 29a, 10V | 5V @ 5MA | 195 NC @ 10 v | ± 30V | 8930 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||||||||||||||||
 | JANS2N6676 | - | | 6878 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/538 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 6 w | TO-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 15 a | 1MA (ICBO) | NPN | 1V @ 3A, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||
 | jantx2n6251 | - | | 5480 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/510 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6251 | 5.5 w | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1MA | NPN | 1.5V @ 1.67A, 10A | 6 @ 10a, 3v | - | ||||||||||||||||||||
| APTCV60TLM24T3G | 149.6800 | | 8362 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | APTCV60 | 250 W. | 기준 | SP3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 4.62 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||
| MSR2N2369A | - | | 7303 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSR2N2369A | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT17F100 | 11.0300 | | 6839 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT17F100 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 17A (TC) | 10V | 780mohm @ 9a, 10V | 5V @ 1MA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 4845 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||
 | jankcal2n3634 | - | | 4045 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/357 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jankcal2n3634 | 100 | 140 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 50MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n6546t1 | - | | 9215 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | TO-254 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 300 v | 15 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n6050 | 92.0360 | | 4151 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv2n6050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSM2N2907AUB | 59.0304 | | 9005 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/291 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N2907AUB | 1 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| JAN2N3999 | 127.8130 | | 2950 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/374 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 섀시, 마운트 스터드 | TO-210AA, TO-59-4, 스터드 | 2N3999 | 2 w | To-59 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 10µA | NPN | 2V @ 500MA, 5A | 80 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||
| 2N6686 | 755.0400 | | 7268 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | TO-204AD (TO-3) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N6686 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 160 v | 25 a | - | NPN | 1.5V @ 2.5MA, 10MA | - | - | ||||||||||||||||||||||
| JAN2N656S | - | | 6090 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 60 v | 200 MA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3621 | 547.4100 | | 8772 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스터드 스터드 | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, 스터드 | 30 w | To-61 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-2N3621 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 5 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| JANSM2N3500 | 41.5800 | | 1824 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/366 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N3500 | 1 | 150 v | 300 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N3057A | 127.0302 | | 9561 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/391 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AB, to-46-3 금속 캔 | 500MW | To-46 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansd2n3057a | 1 | 80 v | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| aptgt100tdu60pg | 193.9500 | | 8047 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT100 | 340 W. | 기준 | SP6-P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 트리플, 공통 - 듀얼 소스 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 아니요 | 6.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||
 | TN0104N8-G | 1.4300 | | 1837 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | TN0104 | MOSFET (금속 (() | TO-243AA (SOT-89) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 630ma (TJ) | 3V, 10V | 2ohm @ 1a, 10V | 1.6V @ 500µA | ± 20V | 70 pf @ 20 v | - | 1.6W (TC) | |||||||||||||||||
 | jantx2n3055 | - | | 7581 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/407 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N3055 | 6 w | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 v | 15 a | 1MA | NPN | 2V @ 3.3A, 10A | 20 @ 4a, 4v | - | ||||||||||||||||||||
 | JANS2N2221 | 61.8704 | | 7939 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/469 | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | TO-18 (TO-206AA) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANS2N2221 | 1 | 30 v | - | NPN | - | 100 @ 150ma, 10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N2222AE3 | 4.5300 | | 4070 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N2222 | 500MW | TO-18 (TO-206AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | - |
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