SIC
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트랜지스터 (5714)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
APT50GT120LRG Microchip Technology APT50GT120LRG 17.5400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Thunderbolt IGBT® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT50GT120 기준 625 w TO-264 (L) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT50GT120LRG 귀 99 8541.29.0095 1 800V, 50A, 4.7OHM, 15V NPT 1200 v 50 a 150 a 3.7V @ 15V, 50A -, 2.33mj (OFF) 340 NC 24ns/230ns
APT35GN120SG Microchip Technology APT35GN120SG 9.5700
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT35GN120 기준 379 w d3pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT35GN120SG 귀 99 8541.29.0095 30 800V, 35A, 2.2OHM, 15V npt, 필드 트렌치 중지 1200 v 94 a 105 a 2.1V @ 15V, 35A -, 2.315mj (OFF) 220 NC 24ns/300ns
CMTDGF90H603G Microchip Technology CMTDGF90H603G -
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 쟁반 쓸모없는 - 150-CMTDGF90H603G 쓸모없는 1
APTM20AM04FG Microchip Technology APTM20AM04FG 339.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM20 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 200V 372A 5mohm @ 186a, 10V 5V @ 10MA 560NC @ 10V 28900pf @ 25V -
MX2N4092UB/TR Microchip Technology MX2N4092UB/TR 89.2696
RFQ
 ECAD 6305 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/431 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4092ub/tr 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 15 ma @ 20 v 50 옴
MQ2N2609 Microchip Technology MQ2N2609 76.0760
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 300MW TO-18 (TO-206AA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MQ2N2609 1 p 채널 30 v 10pf @ 5V 30 v 2 ma @ 5 v 750 mV @ 1 µA
2N4393UB/TR Microchip Technology 2N4393ub/tr 28.2359
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2n4393ub/tr 1
MV2N4392UB/TR Microchip Technology MV2N4392ub/tr 78.0577
RFQ
 ECAD 5780 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mv2n4392ub/tr 1
MV2N4860UB/TR Microchip Technology MV2N4860ub/tr 80.6379
RFQ
 ECAD 6106 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mv2n4860ub/tr 1
MX2N4858UB/TR Microchip Technology mx2n4858ub/tr 68.9206
RFQ
 ECAD 5163 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-mx2n4858ub/tr 1
2N4857UB/TR Microchip Technology 2N4857ub/tr 86.9554
RFQ
 ECAD 9296 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N4857 360 MW - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2n4857ub/tr 1 n 채널 40 v 18pf @ 10V 40 v 100 ma @ 15 v 6 V @ 500 PA 40
2N5115E3 Microchip Technology 2N5115E3 36.3622
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2N5115E3 1 p 채널 30 v 25pf @ 15V 30 v 15 ma @ 15 v 3 v @ 1 na 100 옴
JANTX2N3810U/TR Microchip Technology jantx2n3810u/tr 34.6864
RFQ
 ECAD 6609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/336 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3810 350MW To-78-6 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx2n3810u/tr 귀 99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
JANKCB2N3439 Microchip Technology JANKCB2N3439 22.6366
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcb2n3439 귀 99 8541.21.0095 1 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
JANSL2N2906AUA/TR Microchip Technology JANSL2N2906AUA/TR 153.0406
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2906 500MW UA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n2906aua/tr 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
2N4091UB/TR Microchip Technology 2N4091UB/tr 47.8135
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2n4091ub/tr 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 30 ma @ 20 v 30 옴
JANSP2N2906AUA/TR Microchip Technology JANSP2N2906AUA/TR 153.0406
RFQ
 ECAD 9102 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2906 500MW UA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansp2n2906aua/tr 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
JANKCB2N2907A Microchip Technology JANKCB2N2907A 17.8752
RFQ
 ECAD 5049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N2907 500MW TO-18 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcb2n2907a 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JANKCB2N2222A Microchip Technology JANKCB2N2222A 17.8752
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcb2n2222a 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
JAN2N3500U4/TR Microchip Technology JAN2N3500U4/TR -
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U4 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN2N3500U4/tr 귀 99 8541.21.0095 1 150 v 300 MA 50NA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
JANKCBR2N3439 Microchip Technology JANKCBR2N3439 -
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankcbr2n3439 귀 99 8541.21.0095 1 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
2C5339 Microchip Technology 2C5339 8.5386
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2C5339 1
JANKCCF2N5153 Microchip Technology JANKCCF2N5153 -
RFQ
 ECAD 2014 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/545 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankccf2n5153 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50µA PNP 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
MSCSM120VR1M16CT3AG Microchip Technology MSCSM120VR1M16CT3AG 291.1100
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 745W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120VR1M16CT3AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 173A (TC) 16mohm @ 80a, 20V 2.8V @ 6MA 464NC @ 20V 6040pf @ 1000V -
MSCSM120VR1M062CT6AG Microchip Technology MSCSM120VR1M062CT6AG 802.6400
RFQ
 ECAD 3944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 1.753kW (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120VR1M062CT6AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 420A (TC) 6.2MOHM @ 200a, 20V 2.8V @ 15mA 1160NC @ 20V 15100pf @ 1000V -
1011GN-30EP Microchip Technology 1011gn-30ep -
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 EP 대부분 활동적인 150 v 기준 기준 1.03GHz ~ 1.09GHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-1011gn-30p 귀 99 8541.29.0095 1 - - 40 MA 35W 18.5dB - 50 v
MSCSM120AM31T1AG Microchip Technology MSCSM120AM31T1AG 108.4700
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 395W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM31T1AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 89A (TC) 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 3MA 232NC @ 20V 3020pf @ 1000V -
APT36GA60SD15 Microchip Technology APT36GA60SD15 7.9300
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 8® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT36GA60 기준 290 W. d3pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT36GA60SD15 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 10ohm, 15V 19 ns Pt 600 v 65 a 109 a 2.5V @ 15V, 20A 307µJ (on), 254µJ (OFF) 102 NC 16ns/122ns
APTM120A20DG Microchip Technology APTM120A20DG 309.5600
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM120 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 50a 240mohm @ 25a, 10V 5V @ 6MA 600NC @ 10V 15200pf @ 25V -
MSCSM170TLM11CAG Microchip Technology MSCSM170TLM11CAG 903.7800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM170 실리콘 실리콘 (sic) 1114W (TC) SP6C - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM170TLM11CAG 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (3 채널 인버터) 1700V (1.7kv) 238A (TC) 11.3MOHM @ 120A, 20V 3.2v @ 10ma 712NC @ 20V 13200pf @ 1000V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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