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트랜지스터 (5714)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
JANSL2N3057A Microchip Technology JANSL2N3057A 127.0302
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/391 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AB, to-46-3 금속 캔 500MW To-46 - 영향을받지 영향을받지 150-jansl2n3057a 1 80 v 1 a 10NA NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 10V -
APT10026L2LLG Microchip Technology APT10026L2LLG 66.9704
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT10026 MOSFET (금속 (() 264 MAX ™ [L2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 38A (TC) 260mohm @ 19a, 10V 5V @ 5MA 267 NC @ 10 v 7114 pf @ 25 v -
JANSR2N3500L Microchip Technology JANSR2N3500L 41.5800
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-JANSR2N3500L 1 150 v 300 MA 10µA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
APT20M11JVFR Microchip Technology APT20M11JVFR 82.0300
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT20M11 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 175A (TC) 10V 11mohm @ 500ma, 10V 4V @ 5MA 180 NC @ 10 v ± 30V 21600 pf @ 25 v - 700W (TC)
JANTXV2N2219 Microchip Technology jantxv2n2219 9.6159
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N2219 800MW TO-205AD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 30 v 800 MA 10NA NPN 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
APT45M100J Microchip Technology APT45M100J 67.5000
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT45M100 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 45A (TC) 10V 180mohm @ 33a, 10V 5V @ 2.5MA 570 nc @ 10 v ± 30V 18500 pf @ 25 v - 960W (TC)
MSR2N3810U/TR Microchip Technology MSR2N3810U/TR 274.2726
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 2N3810 350MW 유 - 영향을받지 영향을받지 150-msr2n3810u/tr 100 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
APTM120DA30T1G Microchip Technology APTM120DA30T1G 69.4500
RFQ
 ECAD 1046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTM120 MOSFET (금속 (() SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 31A (TC) 10V 360mohm @ 25a, 10V 5V @ 2.5MA 560 nc @ 10 v ± 30V 14560 pf @ 25 v - 657W (TC)
VN2222LL-G-P013 Microchip Technology vn2222ll-g-p013 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 VN2222 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 230ma (TJ) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 30V 60 pf @ 25 v - 400MW (TA), 1W (TC)
JANTXV2N3741 Microchip Technology jantxv2n3741 23.4080
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/441 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-213AA, TO-66-2 2N3741 25 W. TO-66 (TO-213AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 4 a 10µA PNP 600mv @ 125ma, 1a 30 @ 250ma, 1V -
JANTX2N2481 Microchip Technology JANTX2N2481 -
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 2N2481 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
2N6190 Microchip Technology 2N6190 17.5500
RFQ
 ECAD 9584 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 10 W. TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N6190 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - PNP - - -
APTM20HM16FTG Microchip Technology aptm20hm16ftg 179.8000
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM20 MOSFET (금속 (() 390W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 200V 104a 19mohm @ 52a, 10V 5V @ 2.5MA 140NC @ 10V 7220pf @ 25v -
APT8020JFLL Microchip Technology APT8020JFLL 42.6200
RFQ
 ECAD 8842 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT8020 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 33A (TC) 220mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 2.5MA 195 NC @ 10 v 5200 pf @ 25 v -
JANS2N2218A Microchip Technology JANS2N2218A 90.7106
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/251 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 800MW TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-JANS2N2218A 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
APTM50AM19FG Microchip Technology aptm50am19fg 302.5800
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() 1136W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 500V 163a 22.5mohm @ 81.5a, 10V 5V @ 10MA 492NC @ 10V 22400pf @ 25v -
ICPB1005-1-110I Microchip Technology ICPB1005-1-110I -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 상자 활동적인 28 v 표면 표면 주사위 14GHz 간 간 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 - 2A 250 MA 25W 6.4dB - 28 v
2C3635 Microchip Technology 2C3635 6.9426
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 150-2C3635 1
APT54GA60B Microchip Technology APT54GA60B 6.3900
RFQ
 ECAD 7303 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT54GA60 기준 416 w TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 32A, 4.7OHM, 15V Pt 600 v 96 a 161 a 2.5V @ 15V, 32A 534µJ (on), 466µJ (OFF) 158 NC 17ns/112ns
JANTX2N3501U4 Microchip Technology jantx2n3501u4 -
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U4 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 50NA (ICBO) NPN 400mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
APT80GA60LD40 Microchip Technology APT80GA60LD40 12.9500
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT80GA60 기준 625 w TO-264 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 47A, 4.7OHM, 15V 22 ns Pt 600 v 143 a 240 a 2.5V @ 15V, 47A 840µJ (on), 751µJ (OFF) 230 NC 23ns/158ns
APTGT300DU60G Microchip Technology APTGT300DU60G 217.6800
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT300 1150 w 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 APTGT300DU60GMP-ND 귀 99 8541.29.0095 1 이중, 소스 일반적인 트렌치 트렌치 정지 600 v 430 a 1.8V @ 15V, 300A 350 µA 아니요 24 nf @ 25 v
2N3495 Microchip Technology 2N3495 33.6900
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 400MW TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-2N3495 귀 99 8541.21.0095 1 - 120V 100ma PNP 40 @ 50MA, 10V 150MHz -
APTGLQ100A65T1G Microchip Technology APTGLQ100A65T1G 70.0200
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SP1 APTGLQ100 350 w 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 650 v 200a 2.3V @ 15V, 100A 100 µa 예 6 nf @ 25 v
JANS2N2484UB Microchip Technology JANS2N2484UB 58.5102
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/376 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2484 360 MW ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 50 MA 2NA NPN 300mv @ 100µa, 1ma 250 @ 1ma, 5V -
JANSP2N3810L Microchip Technology JANSP2N3810L 198.9608
RFQ
 ECAD 3109 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/336 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3810 350MW To-78-6 - 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N3810L 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
JANKCBL2N2222A Microchip Technology JANKCBL2N2222A -
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 (TO-206AA) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcbl2n2222a 100 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
2N696 Microchip Technology 2N696 26.1478
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N696 600MW TO-5AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 15ma, 150ma 20 @ 150ma, 10V -
JANS2N2906AUA Microchip Technology JANS2N2906AUA 103.9706
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 2N2906 500MW UA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
2N2219AE3 Microchip Technology 2N2219AE3 7.2884
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N2219 800MW To-39 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-2N2219AE3 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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