SIC
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트랜지스터 (5714)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
APTGF150H120G Microchip Technology APTGF150H120G -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP6 961 w 기준 SP6 다운로드 1 (무제한) APTGF150H120GMP-ND 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 NPT 1200 v 200a 3.7V @ 15V, 150A 350 µA 아니요 10.2 NF @ 25 v
APTM10HM19FT3G Microchip Technology aptm10hm19ft3g 89.0600
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM10 MOSFET (금속 (() 208W SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 100V 70A 21mohm @ 35a, 10V 4V @ 1MA 200nc @ 10v 5100pf @ 25V -
APTGL60DDA120T3G Microchip Technology APTGL60DDA120T3G 75.0300
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTGL60 280 W. 기준 SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 이중 이중 헬기 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 2.25V @ 15V, 50A 250 µA 예 2.77 NF @ 25 v
APTM100A23STG Microchip Technology APTM100A23STG 191.2800
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM100 MOSFET (금속 (() 694W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 1000V (1KV) 36a 270mohm @ 18a, 10V 5V @ 5MA 308NC @ 10V 8700pf @ 25v -
MSCSM70HM05AG Microchip Technology MSCSM70HM05AG 630.6700
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 966W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70HM05AG 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 브리지) 700V 349A (TC) 6.4mohm @ 120a, 20V 2.4V @ 12mA 645NC @ 20V 13500pf @ 700V -
APTMC120TAM33CTPAG Microchip Technology APTMC120TAM33CTPAG -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTMC120 실리콘 실리콘 (sic) 370W SP6-P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 APTMC120TAM33CTPACC6543 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 1200V (1.2kv) 78A (TC) 33mohm @ 60a, 20V 2.2V @ 3MA (유형) 148NC @ 20V 2850pf @ 1000V -
VN0550N3-G-P013 Microchip Technology VN0550N3-G-P013 1.9400
RFQ
 ECAD 354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 VN0550 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 50MA (TJ) 5V, 10V 60ohm @ 50ma, 10V 4V @ 1MA ± 20V 55 pf @ 25 v - 1W (TC)
VP3203N8-G Microchip Technology VP3203N8-G 2.0000
RFQ
 ECAD 2598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA VP3203 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 1.1A (TJ) 4.5V, 10V 600mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 10MA ± 20V 300 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
APTGT200SK120G Microchip Technology APTGT200SK120G 174.0714
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTGT200 890 W. 기준 SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 280 a 2.1V @ 15V, 200a 350 µA 아니요 14 nf @ 25 v
JANSF2N6987 Microchip Technology JANSF2N6987 180.2500
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/558 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 2N6987 1.5W TO-116 - 영향을받지 영향을받지 150-JANSF2N6987 1 60V 600ma 10µA (ICBO) 4 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
APT5024BFLLG Microchip Technology APT5024BFLLG 8.4200
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT5024 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 22A (TC) 240mohm @ 11a, 10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 v 1900 pf @ 25 v -
APTM50HM35FG Microchip Technology APTM50HM35FG 362.8025
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() 781W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 500V 99a 39mohm @ 49.5a, 10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14000pf @ 25V -
APT5020SVFRG Microchip Technology APT5020SVFRG 11.6700
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT5020 MOSFET (금속 (() D3 [S] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 26A (TC) 200mohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 225 NC @ 10 v 4440 pf @ 25 v -
APT23F60B Microchip Technology APT23F60B 6.0100
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT23F60 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10V 5V @ 1MA 110 NC @ 10 v ± 30V 4415 pf @ 25 v - 415W (TC)
2N6322 Microchip Technology 2N6322 311.4600
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 350 w TO-204AD (TO-3) - 영향을받지 영향을받지 150-2N6322 귀 99 8541.29.0095 1 200 v 30 a - NPN - - -
APT8011JFLL Microchip Technology apt8011jfll 97.9400
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT8011 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 51A (TC) 125mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 5MA 650 NC @ 10 v 9480 pf @ 25 v -
APTGT100A60T1G Microchip Technology APTGT100A60T1G 60.9100
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTGT100 340 W. 기준 SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 트렌치 트렌치 정지 600 v 150 a 1.9V @ 15V, 100A 250 µA 예 6.1 NF @ 25 v
APT95GR65B2 Microchip Technology APT95GR65B2 8.9400
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT95GR65 기준 892 w T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 433v, 95a, 4.3ohm, 15v NPT 650 v 208 a 400 a 2.4V @ 15V, 95A 3.12mj (on), 2.55mj (OFF) 420 NC 29ns/226ns
APT1001RBN Microchip Technology APT1001RBN -
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power Mos IV® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 11A (TC) 10V 1ohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 30V 2950 pf @ 25 v - 310W (TC)
TN5325N3-G Microchip Technology TN5325N3-G 0.7500
RFQ
 ECAD 776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN5325 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 250 v 215MA (TA) 4.5V, 10V 7ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 110 pf @ 25 v - 740MW (TA)
MSC080SMA120B Microchip Technology MSC080SMA120B 12.8000
RFQ
 ECAD 7958 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MSC080 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 37A (TC) 20V 100mohm @ 15a, 20V 2.8V @ 1MA 64 NC @ 20 v +23V, -10V 838 pf @ 1000 v - 200W (TC)
APT34N80B2C3G Microchip Technology APT34N80B2C3G 10.7600
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT34N80 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 34A (TC) 10V 145mohm @ 22a, 10V 3.9V @ 2MA 355 NC @ 10 v ± 20V 4510 pf @ 25 v - 417W (TC)
APTC60TDUM35PG Microchip Technology APTC60TDUM35PG 257.8900
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTC60 MOSFET (금속 (() 416W SP6-P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 600V 72A 35mohm @ 72a, 10V 3.9V @ 5.4ma 518NC @ 10V 14000pf @ 25V -
JANTXV2N5154U3/TR Microchip Technology jantxv2n5154u3/tr 93.8049
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv2n5154u3/tr 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 1 MA 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
APT1201R4BLLG Microchip Technology APT1201R4BLLG 13.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT1201 MOSFET (금속 (() TO-247-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-APT1201R4BLLG 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 9A (TC) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 5V @ 1MA 120 nc @ 10 v ± 30V 2500 pf @ 25 v - 300W (TC)
JANSM2N2221AUB Microchip Technology JANSM2N2221AUB 150.3406
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-JANSM2N2221AUB 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
APT36GA60B Microchip Technology APT36GA60B 4.8100
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT36GA60 기준 290 W. TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 20A, 10ohm, 15V Pt 600 v 65 a 109 a 2.5V @ 15V, 20A 307µJ (on), 254µJ (OFF) 102 NC 16ns/122ns
JAN2N2919U Microchip Technology JAN2N2919U 43.0920
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/355 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2919 350MW 3-smd - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 30ma 10µA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
JANTX2N5152 Microchip Technology jantx2n5152 13.6192
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N5152 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 30 @ 2.5a, 5V -
2N5658 Microchip Technology 2N5658 287.8650
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-210AA, TO-59-4, 스터드 30 w To-59 - 영향을받지 영향을받지 150-2N5658 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - PNP - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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